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마이크로 소자용 다이아프램의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015145040
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로 소자용 다이아프램의 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 기판의 상부에 저응력식각방지막을 형성하고, 상기 실리콘 기판의 하부에 식각마스크층을 형성하는 제 1 단계와; 상기 식각마스크층의 중앙 영역에 실리콘 기판이 노출되는 십자형 패턴을 형성하는 제 2 단계와; 상기 십자형 패턴으로 노출된 실리콘 기판 영역에서 식각공정을 수행하여, 상기 식각방지막 하부로부터 부상된 마이크로 소자용 다이아프램을 형성하는 제 3 단계로 구성함으로써, 십자형 패턴을 갖는 식각마스크를 이용하여 팔각형의 다이아프램이 형성되어 구조적으로 안정한 다이아프램을 구현할 수 있는 효과가 발생한다.다이아프램, 십자, 팔각형
Int. CL H01L 29/84 (2006.01)
CPC G01L 7/08(2013.01) G01L 7/08(2013.01) G01L 7/08(2013.01) G01L 7/08(2013.01)
출원번호/일자 1020020074493 (2002.11.27)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0453976-0000 (2004.10.12)
공개번호/일자 10-2004-0046545 (2004.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20041020) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경일 대한민국 서울특별시서초구
2 이대성 대한민국 경기도평택시
3 황학인 대한민국 경기도수원시팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2002-0393304-42
2 등록결정서
Decision to grant		 2004.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0355000-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1

실리콘 기판의 상부에 저응력식각방지막을 형성하고, 상기 실리콘 기판의 하부에 식각마스크층을 형성하는 제 1 단계와;

상기 식각마스크층의 중앙 영역에 실리콘 기판이 노출되는 십자형 패턴을 형성하는 제 2 단계와;

상기 십자형 패턴으로 노출된 실리콘 기판 영역에서 비등방성식각공정을 수행하여, 상기 식각방지막 하부로부터 부상된 마이크로 소자용 다이아프램을 형성하는 제 3 단계로 이루어진 마이크로 소자용 다이아프램의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 저응력식각방지막에 형성된 다이아프램은 그 형상이 팔각형인 것을 특징으로 하는 마이크로 소자용 다이아프램의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 십자형 패턴은 십자형 패턴에서 모서리의 형성방향이 실리콘 기판의 (110) 결정 방향인 것을 특징으로 하는 마이크로 소자용 다이아프램의 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 식각방지층은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 마이크로 소자용 다이아프램의 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 마이크로 소자는

마이크로폰, 저압용 압력센서, 가스센서와 에어플로우(Air flow)센서 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 마이크로 소자용 다이아프램의 제조방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 팔각형 다이아프램은 실리콘 기판의 (100) 결정 방향으로 실리콘 기판면과 수직하게 식각되고, 실리콘 기판의 (110) 결정방향으로 경사지게 식각되어 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 소자용 다이아프램의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.