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일렉트릿 마이크로폰의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015145041
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 일렉트릿 마이크로폰의 제조방법에 관한 것으로, 다층 기판에 마이크로폰의 하부전극과 일렉트릿 물질막을 형성하고; 전면을 감싸며 제 1 포토레지스트층을 형성하고 식각하여 복수개의 요홈을 형성하고; 상기 제 1 포토레지스트층과 복수개의 요홈들을 감싸며 금속으로 이루어진 종자층(Seed layer)을 형성하고, 상기 종자층 상부에 제 2 포토레지스트층을 형성하고; 상기 제 2 포토레지스트층의 일부를 제거하여 마이크로폰의 지지부를 형성하기 위한 상기 복수개의 요홈 영역을 형성하고, 상기 복수개의 요홈들과 이격된 상기 하부전극 상측에 마이크로폰의 공기유입구들을 형성하기 위한 복수개의 작은 요홈들을 형성하고; 상기 복수개의 요홈과 복수개의 작은 요홈들에 금속층을 증착하고; 상기 다층 기판의 하부를 제거하여 상기 하부전극의 하측에 멤브레인(Membrane)을 형성하고; 상기 제 1과 2 포토레지스트층을 제거하여 복수개의 공기유입구를 갖으며, 복수개의 지지부에 지지되어 부상되는 상부전극을 형성하고, 상기 일렉트릿 물질막에 전하를 주입시켜 소자를 제조함으로서, 일렉트릿 마이크로폰의 구성요소들을 하나의 기판에 제조하게 되어, 제조공정이 단순하고 제조경비도 줄일 수 있는 효과가 발생한다. 일렉트릿, 마이크로폰
Int. CL H04R 31/00 (2006.01)
CPC H04R 31/00(2013.01) H04R 31/00(2013.01)
출원번호/일자 1020020074494 (2002.11.27)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0506591-0000 (2005.07.29)
공개번호/일자 10-2004-0046546 (2004.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20050808) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경일 대한민국 서울특별시서초구
2 이대성 대한민국 경기도평택시
3 황학인 대한민국 경기도수원시팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창남 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, *층 (서초동, 명지빌딩)(나이스국제특허법률사무소)
2 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
3 장재용 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **-*, *층(역삼동, 대명빌딩)(휴피아국제특허법률사무소)
4 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
5 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
6 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2002-0393305-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.06.21 수리 (Accepted) 9-1-2004-0037844-57
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0051384-13
5 의견서
Written Opinion
2005.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0168986-41
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.03.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0168987-97
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
2005.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0168968-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
9 등록결정서
Decision to grant
2005.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0357801-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판의 상, 하부 각각에 식각방지막과 저응력막을 순차적으로 형성하는 제 1 단계와; 상기 실리콘 기판 상부에 있는 저응력막 상부의 일부 영역에 마이크로폰의 하부전극과 일렉트릿 물질막을 순차적으로 형성하는 제 2 단계와; 상기 저응력막, 하부전극 및 일렉트릿 물질막을 감싸며 희생층을 형성하고, 상기 희생층을 식각하여 상기 하부전극과 이격된 부분에 복수개의 요홈들을 형성하는 제 3 단계와; 상기 희생층과 복수개의 요홈들을 감싸며 금속으로 이루어진 종자층(Seed layer)을 형성하는 제 4 단계와; 상기 종자층 상부에 도금틀층을 형성하고 상기 도금틀층의 일부를 제거하여 상부전극의 지지부를 형성하기 위한 상기 복수개의 요홈 영역을 형성하고, 상기 복수개의 요홈들과 이격된 상기 하부전극 상측에 마이크로폰의 공기유입구들을 형성하기 위한 복수개의 작은 요홈들을 형성하는 제 5 단계와; 상기 복수개의 요홈과 복수개의 작은 요홈들에 금속층을 도금하는 제 6 단계와; 상기 희생층과 종자층, 도금틀층을 제거하여 복수개의 공기유입구를 갖으며, 복수개의 지지부에 지지되어 부상되는 상부전극을 형성하는 제 7 단계와; 상기 일렉트릿 물질막에 전하를 주입시키는 제 8 단계로 이루어진 일렉트릿 마이크로폰의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계의 식각방지막을 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 일렉트릿 마이크로폰의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계의 저응력막은 실리콘 질화막과 산화막이 조합된 다층막, 실리콘 질화막, 폴리이미드(Polyimide)막과 테플론(Teflon)막 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 일렉트릿 마이크로폰의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계의 일렉트릿막은 실리콘 질화막과 실리콘 산화막이 조합된 다층막, 실리콘 질화막과 테플론 계열(FEP, PTFE, AF)막 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 일렉트릿 마이크로폰의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 희생층은 포토레지스트층 또는 실리콘 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 일렉트릿 마이크로폰의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 5 단계의 도금틀층은 포토레지스트층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 일렉트릿 마이크로폰의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 8 단계의 일렉트릿 물질막에 전하를 주입시키는 것은, 전원을 하부전극과 복수의 핀들을 갖는 플레이트에 연결하고, 상기 복수의 핀들을 상기 상부전극에 형성된 복수의 공기유입구들에 삽입시킨 후, 상기 전원에서 전압을 인가하여 상기 일렉트릿 물질막에 전하를 주입시키는 것을 특징으로 하는 일렉트릿 마이크로폰의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 제 6 단계와 제 7 단계 사이에 또는 상기 제 7 단계의 희생층, 종자층과 도금틀층을 제거하는 공정 사이에, 기판을 절단하여, 각 단위 소자를 분리시키는 공정이 더 구비된 것을 특징으로 하는 일렉트릿 마이크로폰의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계에서 제 8 단계까지의 공정을 수행하여 제조된 일렉트릭 마이크로폰을, 각 단위 소자 별로 자른 뒤 메탈캔, 전자기 차폐처리된 세라믹과 플라스틱 패키지 중 선택된 어느 하나의 패키지에 삽입, 고정시킨 후, 부가적인 회로 소자를 추가하여 전극을 연결하고 음파(音波)가 들어갈 수 있는 패키지 개방부가 형성되도록 밀봉하여 패키징하는 것을 특징으로 하는 일렉트릿 마이크로폰의 제조 방법
10 10
제 1 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 단계 내지 제 6 단계 사이에, 상기 실리콘 기판의 하부에 있는 식각방지막과 실리콘 기판을 순차적으로 식각하여 그 일부를 제거하여 상기 하부전극의 하측에 있는 상기 식각방지막과 저응력막이 부상된 멤브레인(Membrane)을 형성하는 공정이 더 구비된 것을 특징으로 하는 일렉트릿 마이크로폰의 제조 방법
11 10
제 1 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 단계 내지 제 6 단계 사이에, 상기 실리콘 기판의 하부에 있는 식각방지막과 실리콘 기판을 순차적으로 식각하여 그 일부를 제거하여 상기 하부전극의 하측에 있는 상기 식각방지막과 저응력막이 부상된 멤브레인(Membrane)을 형성하는 공정이 더 구비된 것을 특징으로 하는 일렉트릿 마이크로폰의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.