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고분자 기판(1) 위에 형성된 게이트 전극(3)과, 상기 게이트 전극 위에 형성되는 디스플레이 소자의 절연막에 있어서, 영률 2
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제 1항에 있어서, 상기 유기 절연막(4)은 폴리카보네이트, 폴리아미드, 아크릴 중의 어느 하나의 재질로 이루어임을 특징으로 하는 유무기 복합 이중구조 절연막
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제 1항에 있어서, 상기 무기 절연막(5)은 SiO2로 이루어짐을 특징으로 하는 유무기 복합 이중구조 절연막
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제 1항에 있어서, 상기 유기 절연막(4)의 두께는 40∼100㎚ 임을 특징으로 하는 유무기 복합 이중구조 절연막
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제 1항에 있어서, 상기 무기 절연막(5)의 두께는 50㎚~200㎚ 이내임을 특징으로 하는 유무기 복합 이중구조 절연막
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제 1항에 있어서, 상기 유기 절연막(4)의 점도와 두께 조절에 의해 평탄한 구조로 적층됨을 특징으로 하는 유무기 복합 이중구조 절연막
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제 1항에 있어서, 상기 유기 절연막(4)의 점도와 두께 조절에 의해 평탄한 구조로 적층됨을 특징으로 하는 유무기 복합 이중구조 절연막
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