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포토디텍터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015145050
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광 흡수 면적을 증가시켜 기존의 포토디텍터보다 우수한 광특성을 얻을 수 있도록 한 포토디텍터의 제작방법이다.본 발명의 포토디텍터 제작방법은 Si, GaAs, InP를 포함하는 웨이퍼 또는 에피텍셜 성장된 것 중의 어느 하나로 이루어진 진성층 기판의 아랫면에 N+ 도핑된 영역을 형성하는 단계와, 진성층 기판의 윗면에 P+를 위한 마스크를 이용하여 P+ 영역을 형성하는 단계를 포함하는 PIN 포토다이오드를 이용한 포토디텍터에 있어서, 상기 PIN 포토다이오드의 광흡수 영역인 P+를 식각하기 위해 마스크를 추가로 사용하는 단계; 상기 마스크를 이용하여 P+ 영역과 진성층 영역까지 식각하는 단계; 및 마스크를 제거하는 단계를 포함하여 제조됨에 기술적 특징이 있다.따라서, 본 발명의 포토디텍터의 제작방법은 PIN 포토다이오드의 광 흡수 영역인 P+를 추가적으로 식각함으로써 기존의 PIN 포토다이오드와 동일한 입사면적에 대해 광 흡수 면적이 증가되므로 많은 광전류를 얻을 수 있고, 따라서 집적화가 용이하다는 장점이 있다. 포토디텍터, 포토다이오드, 광흡수
Int. CL H01L 31/10 (2006.01)
CPC H01L 31/105(2013.01) H01L 31/105(2013.01) H01L 31/105(2013.01)
출원번호/일자 1020020065313 (2002.10.24)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0512846-0000 (2005.08.30)
공개번호/일자 10-2004-0036338 (2004.04.30) 문서열기
공고번호/일자 (20050907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.10.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최홍구 대한민국 경기도성남시분당구
2 김훈 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2002-0350315-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0029468-50
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0527648-13
5 의견서
Written Opinion		 2005.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2005-5018098-22
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-5018097-87
7 보정요구서
Request for Amendment		 2005.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0014596-19
8 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2005.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2005-0149645-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
10 등록결정서
Decision to grant		 2005.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0266179-35
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
진성층 기판의 아랫면에 N+ 도핑된 영역을 형성하는 단계;상기 진성층 기판의 윗면에 P+를 위한 마스크를 이용하여 P+ 도핑된 영역을 형성하는 단계를 포함하는 PIN 포토다이오드를 이용한 포토디텍터에 있어서,상기 PIN 포토다이오드의 광 흡수 영역인 P+를 식각하기 위해 마스크를 추가로 사용하는 단계; 상기 마스크를 이용하여 P+ 영역과 진성층 영역까지 식각하는 단계; 및마스크를 제거하는 단계를 포함하여 제조됨을 특징으로 하는 포토디텍터의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 마스크를 추가로 사용하는 단계에서의 마스크는 포토레지스터, SiO2, Si3N4 중의 어느 하나로 이루어져 있음을 특징으로 하는 포토디텍터의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 마스크를 이용하여 P+ 영역과 진성층 영역까지 식각하는 단계에서의 식각깊이는 P+층과 진성층 전체의 두께를 넘지 않는 것을 특징으로 하는 포토디텍터의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 마스크를 이용하여 P+ 영역과 진성층 영역까지 식각하는 단계에서는 식각량과 식각 조건을 조절하여 수직면이거나 비스듬한 경사가 있는 면적 중의 어느 하나가 되도록 함을 특징으로 하는 포토디텍터의 제조방법
5 5
제 1항 또는 제 4항에 있어서, 상기 마스크를 이용하여 P+ 영역과 진성층 영역까지 식각하는 단계에서의 식각각도는 수평선으로부터 45°∼ 90°이내임을 특징으로 하는 포토디텍터의 제조방법
6 6
진성층 기판의 상부 및 하부면에 금속층이 도핑된 MSM(Metal Semiconductor Metal) 포토다이오드를 이용한 포토디텍터에 있어서, 진성층 기판의 아래면에 GaAs와 AlGaAs을 포함하는 장벽층 및 금속층을 형성하는 단계; 상기 진성층 기판의 윗면에 GaAs와 AlGaAs을 포함하는 장벽층 및 금속층을 형성하는 단계; 마스크를 이용하여 상기 금속층과 진성층 영역까지 식각하는 단계; 및 마스크를 제거하는 단계를 포함하여 제조됨을 특징으로 하는 포토디텍터의 제조방법
7 6
진성층 기판의 상부 및 하부면에 금속층이 도핑된 MSM(Metal Semiconductor Metal) 포토다이오드를 이용한 포토디텍터에 있어서, 진성층 기판의 아래면에 GaAs와 AlGaAs을 포함하는 장벽층 및 금속층을 형성하는 단계; 상기 진성층 기판의 윗면에 GaAs와 AlGaAs을 포함하는 장벽층 및 금속층을 형성하는 단계; 마스크를 이용하여 상기 금속층과 진성층 영역까지 식각하는 단계; 및 마스크를 제거하는 단계를 포함하여 제조됨을 특징으로 하는 포토디텍터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.