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고전자 이동도 트랜지스터를 이용한 고감도 수광소자

  • 기술번호 : KST2015145060
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT : High Electron Mobility Transistor, 이하 HEMT)를 이용한 고감도 수광소자에 관한 것이다.본 발명의 고전자 이동도 트랜지스터를 이용한 고감도 수광소자는 반절연 InP 기판(10) 위에 구조적 결함 및 암전류를 최소화시키기 위하여 형성된 InP완층층(11)과 InP/Al0.48In0.52As 초격자층(12); 상기 InP/Al0.48In0.52As 초격자층 위에 형성된 In0.53Ga0.47As 전도층(13); 상기 전도층 위에 형성되는 2차원 전자채널층(14); 상기 2차원 전자채널층에 존재하는 자유전자들을 국한시키기 위하여 형성된 전위장벽층(15); 상기 전위장벽층 위에 형성된 n형으로 도핑된 Al0.48In0.52As 전자공여층(16); 상기 Al0.48In0.52As 전자공여층 위에 형성된 InP 윈도우층; 상기 윈도우층 위에 형성된 게이트(18) 및 상기 전도층 및 전자채널층과 연결되어 있는 전극(19)을 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다.따라서, 본 발명의 고전자 이동도 트랜지스터를 이용한 고감도 수광소자는 종래의 PIN 다이오드나 PN접합 포토다이오드를 이용한 수광소자에 비하여 우수한 감도 특성을 가지며, 고주파 및 빠른 응답속도 특성을 가지는 고전자 이동도 트랜지스터의 장점을 살릴 수 있다.고전자 이동도 트랜지스터, 수광소자, 포토디텍터, 게이트 전압
Int. CL H01L 29/778 (2006.01) H01L 31/10 (2006.01)
CPC H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01)
출원번호/일자 1020020065316 (2002.10.24)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2004-0036341 (2004.04.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.10.24)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송홍주 대한민국 경기도평택시
2 노정현 대한민국 전라북도전주시완산구
3 김훈 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2002-0350356-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0029469-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0527649-58
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2005.02.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0064538-05
6 의견서
Written Opinion
2005.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2005-0064540-97
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2005.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0269937-52
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1

반절연 InP 기판(10) 위에 형성된 In0

2 2

제 1항에 있어서,

상기 InP(10) 기판 위에 구조적 결함 및 암전류를 최소화시키기 위하여 InP완층층(11)과 InP/Al0

3 3

제 1항에 있어서,

상기 InP 윈도우층(17) 위에 게이트(18)가 추가적으로 더 구비되는 것을 특징으로 하는 고전자 이동도 트랜지스터를 이용한 고감도 수광소자

4 4

제 1항 또는 제 2항에 있어서,

상기 In0

5 5

제 1항 또는 제 3항에 있어서,

상기 게이트(18) 및 전극(19)의 패턴은 리프트 오프(Lift-off) 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 고전자 이동도 트랜지스터를 이용한 고감도 수광소자

6 6

반절연 InP 기판(10) 위에 구조적 결함 및 암전류를 최소화시키기 위하여 형성된 InP완층층(11)과 InP/Al0

7 7

반절연 InP 기판(10) 위에 구조적 결함 및 암전류를 최소화시키기 위하여 형성된 InP완층층(11)과 InP/Al0

8 8

반절연 InP 기판(10) 위에 구조적 결함 및 암전류를 최소화시키기 위하여 형성된 InP완층층(11)과 InP/Al0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.