맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

마이크로 가스센서 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015145066
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로 가스센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 하부기판과; 상기 하부기판의 상부에 형성되며, 상호 비접촉되어 배열된 감지전극 패턴 및 히터전극 패턴과; 개구가 형성되어 있고, 상기 개구에 의해 상기 감지전극 패턴 및 히터전극 패턴의 일부를 노출시키며 상기 하부기판의 상부에 본딩되는 상부기판과; 상기 개구에 충진되는 가스 감지물질로 구성함으로써, 가스 감지물질의 접착력을 우수히 하고, 감도를 증대시킬 수 있는 소자의 열특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 더불어, 구조가 간단하여 소자의 사이즈를 초소형으로 형성할 수 있는 효과가 있다. 가스, 마이크로, 개구, 충진, 감지물질
Int. CL G01N 27/407 (2006.01)
CPC G01N 27/128(2013.01) G01N 27/128(2013.01) G01N 27/128(2013.01) G01N 27/128(2013.01)
출원번호/일자 1020020065397 (2002.10.25)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0508189-0000 (2005.08.05)
공개번호/일자 10-2004-0036388 (2004.04.30) 문서열기
공고번호/일자 (20050817) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.10.25)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박효덕 대한민국 경기도평택시
2 박준식 대한민국 경기도군포시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박창남 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, *층 (서초동, 명지빌딩)(나이스국제특허법률사무소)
2 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
3 장재용 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **-*, *층(역삼동, 대명빌딩)(휴피아국제특허법률사무소)
4 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
5 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
6 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2002-0350621-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.04.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0029476-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0409371-26
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0555453-61
6 의견서
Written Opinion		 2004.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2004-0555448-32
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0103413-03
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
9 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2005.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0225218-87
10 의견서
Written Opinion		 2005.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0225226-42
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0225227-98
12 등록결정서
Decision to grant		 2005.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0378458-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부기판과; 상기 하부기판의 상부에 형성되며, 상호 비접촉되어 배열된 감지전극 패턴 및 히터전극 패턴과; 개구가 형성되어 있고, 상기 개구 내부에 상기 감지전극 패턴 및 히터전극 패턴의 일부가 위치되도록, 상기 하부기판의 상부에 본딩되어 있는 상부기판과; 상기 개구에 충진되는 가스 감지물질로 구성된 마이크로 가스 센서
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 하부기판의 상부에 질화막이 더 형성되어 있고, 질화막의 상부에 상기 감지전극패턴과 히터전극패턴이 형성되어 있으며, 상기 감지전극패턴과 히터전극패턴이 형성되어 있는 영역 하부에 있는 하부기판이 제거된 요홈이 더 형성되어, 상기 감지전극패턴과 히터전극패턴이 형성되어 있는 영역의 질화막이 부상되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 하부기판의 상부에 질화막이 더 형성되어 있고, 질화막의 상부에 감지전극패턴과 히터전극패턴이 형성되어 있으며, 상기 감지전극패턴과 히터전극패턴이 형성되어 있는 영역 외측에 있는 질화막이 4개 부분으로 제거되어 있고, 제거된 질화막의 하부에 있는 하부기판의 일부가 제거되어 형성된 요홈을 더 구비하며, 상기 감지전극패턴과 히터전극패턴이 형성되어 있는 영역이 부상되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부기판은 글래스(Glass)기판인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
5 5
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 개구는 복수개이며, 각각의 개구에 히터전극패턴과 감지전극패턴이 노출되어 있으며, 상기 개구에 각각 가스 감지물질이 충진되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
7 7
제 1 항 내지 제 3 항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스 감지물질은 SnO2, ZnO, Fe2O3, WO3와 TiO2 중 선택된 모물질에 촉매를 혼합시켜 조성한 물질인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 복수의 개구에 충진되는 가스 감지물질은 각각 다른 가스를 감지할 수 있는 감지물질인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
9 9
상부기판에 포토레지스트층을 형성하고, 상기 포토레지스트층에 마스크를 이용하여 노광시키고 제거하는 사진식각공정을 수행하여, 복수의 개구가 형성된 포토레지스트 패턴을 형성하는 제 1 단계와; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상부기판을 제거하여 복수의 개구를 형성하는 제 2 단계와; 상호 비접촉되어 배열된 감지전극 패턴 및 히터전극 패턴이 형성된 하부기판의 상부에 상기 개구에 의해 상기 감지전극 패턴 및 히터전극 패턴의 일부가 노출되도록 상부기판을 본딩하는 제 3 단계와; 상기 각각의 개구에 마이크로 주사기(Micro syringe)를 이용하여 가스 감지물질을 충진하는 제 4 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 하부기판은, 상기 하부기판의 상부에 질화막이 더 형성되어 있고, 질화막의 상부에 감지전극패턴과 히터전극패턴이 형성되어 있으며, 상기 감지전극패턴과 히터전극패턴이 형성되어 있는 영역 하부에 있는 하부기판이 제거된 요홈이 더 형성되어, 상기 감지전극패턴과 히터전극패턴이 형성되어 있는 영역의 질화막이 부상되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서의 제조방법
11 11
제 9 항에 있어서, 제 3 단계의 하부기판은, 상기 하부기판의 상부에 질화막이 더 형성되어 있고, 질화막의 상부에 감지전극패턴과 히터전극패턴이 형성되어 있으며, 상기 감지전극패턴과 히터전극패턴이 형성되어 있는 영역 외측에 있는 질화막이 4개 부분으로 제거되어 있고, 제거된 질화막의 하부에 있는 하부기판의 일부가 제거되어 형성된 요홈을 더 구비하며, 상기 감지전극패턴과 히터전극패턴이 형성되어 있는 영역이 부상되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서의 제조방법
12 12
제 9 항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 개구에 충진되는 가스 감지물질은 동일한 가스를 감지할 수 있는 감지물질 또는 각각 다른 가스를 감지할 수 있는 감지물질인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서의 제조방법
13 12
제 9 항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 개구에 충진되는 가스 감지물질은 동일한 가스를 감지할 수 있는 감지물질 또는 각각 다른 가스를 감지할 수 있는 감지물질인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.