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음향 감지 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015145078
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 음향 감지 소자의 제조방법에 관한 것으로, 다층 기판에 음향 감지 소자의 하부전극을 형성하고; 전면을 감싸며 제 1 포토레지스트층을 형성하고 식각하여 상기 하부전극과 이격된 부분에 복수개의 요홈들을 형성하고; 상기 제 1 포토레지스트층과 복수개의 요홈들을 감싸며 금속으로 이루어진 종자층(Seed layer)을 형성하고, 상기 종자층 상부에 제 2 포토레지스트층을 형성하고; 상기 제 2 포토레지스트층의 일부를 제거하여 음향 감지 소자의 지지부를 형성하기 위한 상기 복수개의 요홈 영역을 형성하고, 상기 복수개의 요홈들과 이격된 상기 하부전극 상측에 음향 감지 소자의 공기유입구들을 형성하기 위한 복수개의 작은 요홈들을 형성하고; 상기 복수개의 요홈과 복수개의 작은 요홈들에 금속층을 증착하고; 상기 다층 기판의 하부를 제거하여 상기 하부전극의 하측에 멤브레인(Membrane)을 형성하고; 상기 제 1과 2 포토레지스트층과 종자층 일부를 제거하여 복수개의 공기유입구를 갖으며, 복수개의 지지부에 지지되어 부상되는 상부전극을 형성하여 제조함으로써, 금속층으로 두께가 얇은 상부전극을 형성할 수 있어 제조 비용을 줄일 수 있으며, MEMS(Micro Electro Mechanical System)공정기술로 제조하여 초소형 소자를 구현할 수 있다. 음향, 감지, 콘덴서, 마이크로폰, 정전형
Int. CL H04R 19/04 (2006.01)
CPC H04R 31/00(2013.01)
출원번호/일자 1020020074492 (2002.11.27)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0513424-0000 (2005.09.01)
공개번호/일자 10-2004-0046544 (2004.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20050909) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.27)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경일 대한민국 서울특별시서초구
2 이대성 대한민국 경기도평택시
3 황학인 대한민국 경기도수원시팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창남 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, *층 (서초동, 명지빌딩)(나이스국제특허법률사무소)
2 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
3 장재용 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **-*, *층(역삼동, 대명빌딩)(휴피아국제특허법률사무소)
4 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
5 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
6 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2002-0393303-07
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.06.21 수리 (Accepted) 9-1-2004-0037843-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0051377-93
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2005-0152413-94
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
7 의견서
Written Opinion
2005.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0225228-33
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0225229-89
9 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
2005.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0225217-31
10 등록결정서
Decision to grant
2005.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0424007-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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실리콘 기판의 상, 하부 각각에 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 순차적으로 형성하는 제 1 단계와; 상기 실리콘 기판 상부에 있는 실리콘 질화막 상부의 일부 영역에 음향 감지 소자의 하부전극을 형성하는 제 2 단계와; 상기 실리콘 질화막과 하부전극을 감싸며 제 1 포토레지스트층을 형성하고, 상기 제 1 포토레지스트층을 식각하여 상기 하부전극과 이격된 부분에 복수개의 요홈들을 형성하는 제 3 단계와; 상기 제 1 포토레지스트층과 복수개의 요홈들을 감싸며 금속으로 이루어진 종자층(Seed layer)을 형성하는 제 4 단계와; 상기 종자층 상부에 제 2 포토레지스트층을 형성하고 그 일부를 제거하여 음향 감지 소자의 지지부 및 전극패드를 형성하기 위한 상기 복수개의 요홈 영역을 형성하고, 상기 복수개의 요홈들과 이격된 상기 하부전극 상측에 음향 감지 소자의 공기유입구들을 형성하기 위한 복수개의 작은 요홈들을 형성하는 제 5 단계와; 상기 복수개의 요홈과 복수개의 작은 요홈들에 금속층을 도금하는 제 6 단계와; 상기 실리콘 기판의 하부에 있는 실리콘 질화막, 실리콘 산화막과 실리콘 기판을 순차적으로 식각하여 그 일부를 제거하여 상기 하부전극의 하측에 있는 상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막이 부상된 멤브레인(Membrane)을 형성하는 제 7 단계와; 상기 제 1과 2 포토레지스트층과 종자층 일부를 제거하여 복수개의 공기유입구를 갖으며, 복수개의 지지부에 지지되어 부상되는 상부전극을 형성하는 제 8 단계로 구성된 음향 감지 소자의 제조방법
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