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PMN-PT 기판을 세척후, 상기 기판(21)상에 메탈 막(22)을 증착하는 단계; 상기 메탈 막(22)상에 감광제 막(23)을 도포한 후 오븐에서 굳혀주는 단계; 상기 감광제 막(23)을 노광 및 현상하여 상기 메탈 막의 일부표면이 노출되는 감광제 패턴(23a)을 형성하는 단계; 상기 감광제 패턴(23a)을 식각마스크로 하여 메탈 막을 식각하여 도파로 패턴(22a)을 형성하는 단계; 상기 식각마스크로 이용된 감광제 패턴(23a)을 아세톤 또는 감광제 스트립퍼를 이용하여 제거하는 단계; 및 제작된 PMN-PT 기판 상의 도파로 메탈 패턴(22a)을 열처리 노에 넣은 후 확산시켜 광도파로(10)를 제작하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법
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PMN-PT 기판을 세척후, 상기 기판(21)상에 플라즈마 에셔(Plasma acher)를 이용하여 기판상의 잔여 이물질을 완전히 제거하는 단계; 상기 PMN-PT 기판(31)상에 감광제 막(33)을 도포한 후 오븐에서 굳혀주는 단계; 상기 감광제 막을 도파로 마스크를 이용하여 노광 및 현상하여 감광제 막(33)에 도파로 패턴(34)을 형성하는 단계; 상기 감광제 막에 형성된 상기 도파로 패턴 안에 메탈 막(32b)을 증착하는 단계; 상기 기판 상에 남아 있는 감광제 막을 아세톤 또는 감광제 스트립퍼를 이용하여 완전히 제거하는 단계; 및 제작된 PMN-PT 기판 상의 도파로 메탈 패턴(32b)을 열처리 노에 넣은 후 확산시켜 광도파로(10)를 제작하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 기판의 조성은 PT = 10, 20, 30, 35 mol%인 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 메탈 막의 두께는 400 ~ 1000Å인 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 감광제 막은 1 ~ 1
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 오븐에서 굳혀줄 때 그 온도와 시간은 80℃ ~ 100℃의 온도 영역에서 30분간 굳혀주는 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 열처리 노에서의 온도가 300℃ ~ 900℃인 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법
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8
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 열처리 노는 박스 타입 또는 튜브 타입의 노를 사용하는 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법
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9
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 메탈 막은 스퍼터 또는 기상증착으로 증착하는 것을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 메탈 막은 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 크롬(Cr)임을 특징으로 하는 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로 제조방법
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제 1항의 방법으로 제조된 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로
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제 2항의 방법으로 제조된 열확산법을 이용한 리드마그네슘니오베이트-리드티타네이트 광도파로
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