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SOI 기판 상에 마스크를 이용하여 소정 영역의 실리콘 및 절연막을 식각하여 P 형의 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계; 상기 노출된 P 형 기판에 N 형의 이온을 주입하여 N 형 영역을 형성하는 단계; 상기 기판상의 N 형 영역과 이격된 영역의 활성 실리콘 중앙 상부에 게이트 산화막 및 게이트를 형성하는 단계; 상기 활성 실리콘 및 게이트에 N 형의 이온을 주입하여 N 형 게이트, N 형 소오스 및 N 형 드레인을 형성하는 단계; 및 상기 기판상의 N 형 영역과 게이트를 연결하는 연결부를 형성하는 단계 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 연결부를 형성하는 단계 이후, 차광막을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 차광막의 재질은 알루미늄임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 게이트 산화막 및 게이트는 게이트 산화막 및 실리콘을 순차적으로 증착하고 패턴 및 식각을 통해 게이트 산화막 및 실리콘을 형성하는 것을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 N 형의 이온 주입하는 단계에서 소오스 및 드레인이 형성하는 됨으로써, 게이트의 하부 영역인 소오스 및 드레인의 사이 영역이 채널 영역으로 정의됨을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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P 형의 하부 기판의 표면부에 N형 영역이 형성되어 하부 기판과 PN 접합을 이루고 있는 포토 다이오드 영역; 상기 포토 다이오드 영역과 이격되어 SOI 기판 상에 존재하는 단결정 실리콘을 식각하여 소오스, 채널 및 드레인이 형성된 실리콘 영역; 상기 실리콘 영역 상부에 형성된 게이트 산화막 및 게이트; 및 상기 포토 다이오드의 N 형 영역과 게이트를 연결하는 연결부 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 6항에 있어서, 상기 게이트의 상부에 소오스, 채널 및 드레인 영역에 빛을 막기 위한 차광막을 더 포함함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 7항에 있어서, 상기 차광막의 재질은 알루미늄임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 연결부는 빛에 의해 포토 다이오드에서 발생한 전자를 게이트로 이동시키는 통로 역할을 하는 것을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 포토 다이오드는 매립형 포토 다이오드임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 게이트 하부의 하부 기판에 전자가 축적됨으로써, NPN의 LBT가 발생함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 채널은 외부에서 인가된 전압에 의해 완전 공핍층을 형성하는 소정의 두께임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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SOI 기판 상에 마스크를 이용하여 소정의 제1영역의 활성 실리콘 및 매몰 산화막을 식각하여 P 형의 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계; 상기 노출된 하부 실리콘을 성장시키는 단계; 상기 제1영역과 이격된 소정의 제2영역의 활성 실리콘 및 매몰 산화막을 식각하여 P 형의 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계; 상기 노출된 제2영역의 P 형 기판에 N 형의 이온을 주입하여 N 형 영역을 형성하는 단계; 상기 실리콘 성장에 의해 형성된 활성 실리콘 상부에 게이트 산화막 및 게이트를 형성하는 단계; 상기 제2영역을 제외하고 제1영역을 포함하는 소정의 영역에 N 형 이온 주입으로 소오스 및 드레인 영역을 정의하는 단계; 및 상기 소오스, 드레인 및 게이트가 형성된 트랜지스터의 양측 기판상의 N 형 영역을 게이트와 연결하는 단계 를 포함함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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제 13항에 있어서, 상기 기판상의 N 형 영역과 게이트를 연결하는 단계 이후에 차광막을 형성하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 차광막의 재질은 알루미늄임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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소정 영역의 활성 실리콘 및 매몰 산화막을 식각하여 노출시킨 하부 기판의 표면부에 N 형 영역이 형성되어 하부 기판의 P 형 영역과 PN 접합을 이루고 있는 포토 다이오드 영역; 상기 포토 다이오드 영역과 이격되어 형성된 하부 기판과 부유 바디의 채널 영역과 연결하는 연결 통로; 상기 부유 바디의 채널 영역의 상부에 형성된 게이트 산화막 및 게이트; 및 상기 부유 바디의 양측에 형성된 두 포토 다이오드와 게이트를 연결하는 연결부 를 포함함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 16항에 있어서, 상기 부유 바디 및 게이트 상부에 형성된 차광막을 더 포함함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 17항에 있어서, 상기 차광막의 재질은 알루미늄임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 16항 또는 제 17항에 있어서, 상기 부유 바디에는 채널 영역에 정공이 축적되어짐으로써 LBT를 형성함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 16항 또는 제 17항에 있어서, 상기 연결부는 포토 다이오드 영역에서 광여기된 전자를 게이트로 이동시키는 것을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 16항 또는 제 17항에 있어서, 상기 포토 다이오드는 매립형 포토 다이오드임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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SOI 기판 상에 마스크를 이용하여 소정의 제1영역의 활성 실리콘 및 매몰 산화막을 식각하여 P 형의 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계; 상기 노출된 하부 실리콘을 성장시키는 단계; 상기 제1영역과 이격된 소정의 제2영역의 활성 실리콘 및 매몰 산화막을 식각하여 P 형의 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계; 상기 노출된 제2영역의 P 형 기판에 N 형의 이온을 주입하여 N 형 영역을 형성하는 단계; 상기 활성 실리콘 성장에 의해 형성된 활성 실리콘 상부에 게이트 산화막 및 게이트를 형성하는 단계; 상기 제2영역을 제외하고 제1영역을 포함하는 소정의 영역에 N 형 이온 주입으로 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 및 상기 소오스, 드레인 및 게이트가 형성된 트랜지스터의 양측 기판상의 N 형 영역을 교류전압과 연결하는 단계 를 포함함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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제 22항에 있어서, 상기 기판상의 N 형 영역을 교류전압과 연결하는 단계 이후에 차광막을 형성하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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제 23항에 있어서, 상기 차광막의 재질은 알루미늄임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서의 제조방법
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소정 영역의 활성 실리콘 및 매몰 산화막을 식각하여 노출시킨 하부 기판의 표면부에 N 형 영역이 형성되어 하부 기판의 P 형 영역과 PN 접합을 이루고 있는 포토 다이오드영역; 상기 포토 다이오드 영역과 이격되어 형성된 하부 기판과 부유 바디의 채널 영역과 연결하는 연결 통로; 상기 부유 바디의 채널 영역의 상부에 형성된 게이트 산화막 및 게이트; 및 상기 부유 바디의 양측에 형성된 두 포토 다이오드에 교류전압을 인가할 수 있도록 형성되는 연결부 를 포함함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 25항에 있어서, 상기 부유 바디 및 게이트 상부에 형성된 차광막을 더 포함함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 26항에 있어서, 상기 차광막의 재질은 알루미늄임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 25항 또는 제 26항에 있어서, 상기 교류전압은 포토 다이오드 영역에서 광여기된 정공이 연결 통로를 통해 부유 바디에 축적되게 함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 25항 또는 제 26항에 있어서, 상기 부유 바디에는 채널 영역에 정공이 축적되어짐으로써 LBT를 형성함을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 25항 또는 제 26항에 있어서, 상기 포토 다이오드는 매립형 포토 다이오드임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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제 25항 또는 제 26항에 있어서, 상기 포토 다이오드는 매립형 포토 다이오드임을 특징으로 하는 고감도 이미지센서
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