맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서 및 그제조방법

  • 기술번호 : KST2015145133
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SOI 웨이퍼의 실리콘 활성영역에 나노 사이즈의 신호 전하 전달 채널을 국소적으로 형성함으로써 전하의 구속상태를 국소적으로 달리하여 차원 변조(Dimension Modulation)를 시킴으로써 전하의 비선형적인 상태밀도분포를 인위적으로 만들어 광여기된 전하들에 의해 선형적으로 광신호가 발생, 전달될 수 있는 고감도의 이미지 센서 단위화소 구조에 관한 것이다. 본 발명의 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서 및 그 제조방법은 Si 기판 상부에 형성된 매몰산화층을 포함하는 SOI 기판; 상기 SOI 기판 상부에 형성되는 단결정 실리콘층; 상기 단결정 실리콘층에 형성되는 소오스와 드레인; 상기 소오스와 드레인 사이의 활성영역; 상기 활성영역에 형성되는 나노 사이즈의 채널; 및 상기 나노 사이즈의 채널 상부에 절연막을 게재하여 형성되는 게이트를 포함하여 이루어진 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서로서, Si 기판상에 매몰산화층을 형성하는 제 1단계; 상기 매몰산화층 상부에 단결정 실리콘층을 형성하는 제 2단계; 상기 단결정 실리콘층 상부에 SiO2 산화막층을 형성하는 제 3단계; 상기 SiO2 산화막층 상부에 질화막을 형성하는 제 4단계; 상기 질화막 위에 병목 형태의 패턴이 된 마스크를 정렬하여 단결정 실리콘층까지 리소그라피하는 제 5단계; 습식산화에 의해 나노 사이즈의 채널을 형성하는 제 6단계; 상기 질화막과 SiO2 산화막층 및 상기 6단계의 습식산화에 의해 생성된 산화물을 제거하여 나노 사이즈의 채널이 형성된 단결정 실리콘층이 최상부에 위치하도록 하는 제 7단계; 상기 단결정 실리콘층 위에 게이트 절연막을 형성하는 제 8단계; 상기 게이트 산화막 상부에 게이트를 형성시키는 제 9단계; 및 상기 게이트와 단결정 실리콘층을 이온주입 공정을 통해 도핑하는 제 10단계를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다. 따라서, 본 발명의 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서 및 그 제조방법은 SOI 웨이퍼에 나노 채널을 형성하여 광여기된 전자의 구속상태가 2차원-1차원-2차원…이 되도록 차원 변조 함으로써 전하 상태 밀도 함수의 비선형성을 광여기된 전하들로 하여금 광전변환하므로 기존의 PN 접합에 의한 포토 다이오드를 대체할 수 있어 PN 접합부가 차지하던 수광부 면적을 현저하게 줄일 수 있다. 또한 상기 신호전달 채널을 적어도 두 개 이상의 복수개로 형성했을 때에는 특정한 외부 바이어스나 빛의 조사 없이는 전류가 흐르기 어렵기 때문에 암전류나 노이즈로 인한 전류를 방지할 수 있고, 열과 같은 외부영향에 의한 전하의 전달을 막을 수 있다는 장점이 있다. 이미지 센서, 나노 채널, 포토 트랜지스터
Int. CL H01L 27/14 (2011.01) H01L 31/10 (2011.01)
CPC H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01)
출원번호/일자 1020030087341 (2003.12.03)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0586164-0000 (2006.05.26)
공개번호/일자 10-2005-0054056 (2005.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20060607) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.03)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김훈 대한민국 경기도용인시수지읍

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2003-0462611-96
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0036072-83
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0415217-34
6 의견서
Written Opinion		 2005.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0621001-65
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0621005-47
8 등록결정서
Decision to grant		 2006.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0073786-03
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이미지 센서에 있어서,Si 기판 상부에 형성된 매몰산화층을 포함하는 SOI 기판;상기 SOI 기판 상부에 형성되는 단결정 실리콘층;상기 단결정 실리콘층에 형성되는 소오스와 드레인;상기 소오스와 드레인 사이의 활성영역;상기 활성영역에 형성되는 10㎚ 내지 50㎚ 폭을 갖는 적어도 하나 이상의 나노 사이즈의 채널; 및상기 나노 사이즈의 채널 상부에 절연막을 게재하여 형성되는 게이트를 포함하는 단위화소로 이루어짐을 특징으로 하는 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 게이트는 폴리 실리콘을 포함하는 재질로 이루어짐을 특징으로 하는 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서
4 4
이미지 센서의 단위화소 제조방법에 있어서,Si 기판상에 매몰산화층을 형성하는 제 1단계;상기 매몰산화층 상부에 단결정 실리콘층을 형성하는 제 2단계;상기 단결정 실리콘층 상부에 SiO2 산화막층을 형성하는 제 3단계;상기 SiO2 산화막층 상부에 질화막을 형성하는 제 4단계;상기 질화막 위에 적어도 하나 이상의 병목 형태의 패턴이 된 마스크를 정렬하여 단결정 실리콘층까지 리소그라피하는 제 5단계;습식산화에 의해 10㎚ 내지 50㎚ 폭을 갖는 나노 사이즈의 채널을 형성하는 제 6단계;상기 질화막과 SiO2 산화막층 및 상기 6단계의 습식산화에 의해 생성된 산화물을 제거하여 나노 사이즈의 채널이 형성된 단결정 실리콘층이 최상부에 위치하도록 하는 제 7단계;상기 단결정 실리콘층 위에 게이트 절연막을 형성하는 제 8단계;상기 게이트 산화막 상부에 게이트를 형성시키는 제 9단계; 및상기 게이트와 단결정 실리콘층을 이온주입 공정을 통해 도핑하는 제 10단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 제 4단계에서 형성되는 질화막은 Si3N4를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서의 제조방법
6 6
제 4항에 있어서, 상기 제 10단계에서는 게이트가 N+ 또는 P+로 도핑됨을 특징으로 하는 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서의 제조방법
7 7
제 4항에 있어서, 상기 제 10단계는 단결정 실리콘층이 N+ 또는 P+ 도핑되어 소오스와 드레인이 형성됨을 특징으로 하는 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서의 제조방법
8 7
제 4항에 있어서, 상기 제 10단계는 단결정 실리콘층이 N+ 또는 P+ 도핑되어 소오스와 드레인이 형성됨을 특징으로 하는 신호전달 채널의 차원변조를 이용한 이미지 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.