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포토 트랜지스터를 포함하는 단위 화소로 이루어진 이미지 센서에 있어서, Si 기판; 상기 Si 기판에 이온주입 공정으로 P형 도핑된 제 1 도전 영역; 상기 제 1 도전 영역의 표면층 양측에 소정의 간격으로 이격되어 고농도 n형 도핑된 소오스와 드레인 영역; 상기 소오스와 드레인 영역 사이의 채널영역; 상기 채널영역의 타측 양측면 표면층에 소정의 간격으로 이격되고 고농도 n형 도핑되어 형성된 제 2 도전 영역; 상기 채널영역에 형성된 제 2 도전 영역과 채널영역의 중심부 사이에 소정의 간격으로 이격되어 형성되는 적어도 두 개 이상의 나노 전자채널; 및 상기 채널영역 상부에 게이트 절연막을 개재하여 형성되는 고농도 n형 도핑된 게이트 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 나노 사이즈의 전자채널을 이용한 고감도 이미지 센서
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제 1항에 있어서, 상기 채널영역에 형성된 적어도 두 개 이상의 나노 전자채널 사이에는 빛에 의해 생성된 정공이 축적될 수 있는 홀포켓이 형성됨을 특징으로 하는 나노 사이즈의 전자채널을 이용한 고감도 이미지 센서
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 채널영역과 제 2 도전 영역은 빛에 의해 생성된 정공이 채널영역에 적어도 두 개 이상 형성된 나노 전자채널 사이의 홀포켓에 축적되어 npn형 측면 바이폴라 트랜지스터 효과를 나타냄을 특징으로 하는 나노 사이즈의 전자채널을 이용한 고감도 이미지 센서
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Si 기판에 포토마스크를 이용하여 나노 전자채널을 형성하는 제 1단계; 상기의 포토마스크를 제거하고 이온주입 공정으로 나노 전자채널을 포함하는 영역에 p형 도핑된 제 1 도전 영역을 형성하는 제 2단계; 상기 제 1 도전 영역 표면층에 소정 간격 이격되도록 고농도 n형의 제 2 도전 영역을 형성하는 제 3단계; 상기 나노 전자채널과 제 2 도전 영역을 모두 포함하도록 게이트 절연막 및 게이트를 형성하는 제 4단계; 이온 주입 공정으로 상기 게이트를 고농도 n형 영역으로 도핑하는 제 5단계; 상기 게이트 양측의 제 1 도전 영역 표면층에 고농도 n형의 소오스와 드레인 영역을 형성하는 제 5단계; 및 상기 소오스, 드레인과 게이트의 콘택을 형성하는 제 6단계 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 나노 사이즈의 전자채널을 이용한 고감도 이미지 센서의 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 제 1단계에서 형성되는 나노 전자채널은 V자형 홈으로 형성됨을 특징으로 하는 나노 전자채널을 이용한 고감도 이미지 센서의 제조방법
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제 4항 또는 제 5항에 있어서, 상기 나노 전자채널은 미세 리소그라피 공정 또는 식각공정으로 형성됨을 특징으로 하는 나노 사이즈의 전자채널을 이용한 고감도 이미지 센서의 제조방법
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제 4항 또는 제 5항에 있어서, 상기 나노 전자채널은 미세 리소그라피 공정 또는 식각공정으로 형성됨을 특징으로 하는 나노 사이즈의 전자채널을 이용한 고감도 이미지 센서의 제조방법
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