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압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015145170
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 압전 구동 방식의 액츄에이터에 의한 그리핑 방식을 제안하여 저전압 구동과 그리핑의 힘을 크게 낼 수 있고, 그리핑 범위를 조절할 수 있는 그리퍼에 관한 것이다. 본 발명의 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법은 실리콘 웨이퍼를 이용하는 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법에 있어서, 실리콘 하부면을 에칭하고 실리콘 산화막과 폴리 실리콘을 차례로 증착하는 단계; 상기 증착된 폴리 실리콘 상에 질화 실리콘을 증착 및 패터닝하고 그리핑 구동 변위 센싱 및 제어를 위한 변위센서를 만드는 단계; 상기 폴리 실리콘 상부에 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상부에 압전 물질을 증착 및 패터닝하여 압전 액츄에이터를 형성하는 단계; 상기 압전 액츄에이터 상부에 상부전극을 형성하는 단계 및 상기 폴리 실리콘과 실리콘 산화막의 일부를 제거하는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다. 따라서, 본 발명의 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법은 압전 박막에 전압을 인가하여 길이 방향으로 수축시켜 압전 박막이 입힌 쪽으로 휘게 함으로써 물체를 잡거나 놓을 수 있고, 외팔 집게형과 양팔 집게형의 두 가지 형태로 제작이 가능한 장점이 있고, 그리핑 범위를 자유로이 조절할 수 있으며, 에너지 소비를 줄일 수 있는 효과가 있다. 그리퍼, 압전, 변위센서
Int. CL B25J 7/00 (2006.01) H01L 41/08 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01)
CPC H01L 41/314(2013.01) H01L 41/314(2013.01) H01L 41/314(2013.01) H01L 41/314(2013.01)
출원번호/일자 1020040037196 (2004.05.25)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0563478-0000 (2006.03.16)
공개번호/일자 10-2005-0112260 (2005.11.30) 문서열기
공고번호/일자 (20060327) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.05.25)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김원효 대한민국 경기도평택시
2 성우경 대한민국 경기도성남시분당구
3 박준식 대한민국 경기도군포시
4 김건년 대한민국 경기도오산시
5 박광범 대한민국 경기도평택시
6 신규식 대한민국 경기도남양주시
7 문찬우 대한민국 서울특별시서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2004-0220747-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
3 등록결정서
Decision to grant		 2005.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0642616-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
실리콘 웨이퍼를 이용하는 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법에 있어서, (a) 실리콘 하부면을 에칭하고 실리콘 산화막과 폴리 실리콘을 차례로 증착하는 단계; (b) 상기 증착된 폴리 실리콘 상에 질화 실리콘을 증착 및 패터닝하고 그리핑 구동 변위 센싱 및 제어를 위한 변위센서를 만드는 단계; (c) 상기 폴리 실리콘 상부에 하부전극을 형성하는 단계; (d) 상기 하부전극 상부에 압전 물질을 증착 및 패터닝하여 압전 액츄에이터를 형성하는 단계; (e) 상기 압전 액츄에이터 상부에 상부전극을 형성하는 단계; 및 (f) 상기 폴리 실리콘과 실리콘 산화막의 일부를 제거하는 단계 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계는 상기 실리콘 하부면의 전부 또는 일부를 에칭하는 것을 특징으로 하는 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법
3 3
SOI 웨이퍼를 이용하는 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법에 있어서, (a) 제 1 실리콘, 실리콘 산화막 및 제 2 실리콘이 순차적으로 적층된 SOI 웨이퍼의 제 1 실리콘 하부면을 에칭하는 단계; (b) 상기 제 2 실리콘 상에 그리핑 구동 변위 센싱 및 제어를 위한 변위센서를 만드는 단계; (c) 상기 제 2 실리콘 상부에 하부전극을 형성하는 단계; (d) 상기 하부전극 상부에 압전 물질을 증착 및 패터닝하여 압전 액츄에이터를 형성하는 단계; (e) 상기 압전 액츄에이터 상부에 상부전극을 형성하는 단계; 및 (f) 상기 실리콘 산화막의 일부를 제거하는 단계 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법
4 4
제 1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 (a) 내지 (f) 단계에서 가공된 그리퍼를 복수로 취하여, 스페이서를 중심으로 대칭되도록 본딩하는 단계를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 (a) 단계는 상기 제 1 실리콘 하부면의 전부 또는 일부를 에칭하는 것을 특징으로 하는 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법
6 6
제 1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 변위센서를 만드는 단계는 상기 질화 실리콘상에 전도성 물질을 패터닝하는 단계; 상기 전도성 물질 상부에 압전 박막을 증착 및 패터닝하는 단계; 및 상기 압전 박막상에 전도성 물질을 패터닝하는 단계 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 압전 구동 마이크로 그리퍼의 제조방법
7 7
실리콘 웨이퍼를 이용하는 압전 구동 마이크로 그리퍼에 있어서, 실리콘으로 형성되며, 지지부와 그리핑부를 포함하는 하부 그리핑 조; 상기 지지부의 상부면에 형성되며, 실리콘 산화막과 폴리 실리콘으로 구성된 앵커; 질화 실리콘으로 형성되며, 상기 앵커 상부면에 형성되는 그리핑 캔틸레버; 상기 그리핑 캔틸레버 상에 형성되는 변위센서; 상기 그리핑 캔틸레버 상에 형성되는 하부전극; 상기 하부전극 상부면에 형성되어 대상물체를 움직이게 하는 압전 액츄에이터; 및 상기 압전 액츄에이터 상부면에 형성되는 상부전극 을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼를 이용하는 압전 구동 마이크로 그리퍼
8 8
SOI 웨이퍼를 이용하는 압전 구동 마이크로 그리퍼에 있어서, SOI 웨이퍼의 제 1 실리콘으로 형성되며, 지지부와 그리핑부를 포함하는 하부 그리핑 조; 상기 지지부의 상부면에 형성되며, 실리콘 산화막으로 구성된 앵커; 제 2 실리콘으로 형성되며, 상기 앵커 상부면에 형성되는 그리핑 캔틸레버; 상기 그리핑 캔틸레버 상에 형성되는 변위센서; 상기 그리핑 캔틸레버 상에 형성되는 하부전극; 상기 하부전극 상부면에 형성되어 대상물체를 움직이게 하는 압전 액츄에이터; 및 상기 압전 액츄에이터 상부면에 형성되는 상부전극 을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼를 이용하는 압전 구동 마이크로 그리퍼
9 9
제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 그리퍼를 복수로 취하여 대칭되도록 웨이퍼 레벨로 본딩하는 스페이서를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 압전 구동 마이크로 그리퍼
10 10
제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 변위센서는 붕소 이온을 도핑하여 만드는 것을 특징으로 하는 압전 구동 마이크로 그리퍼
11 11
제 10항에 있어서, 상기 상부 전극과 하부 전극에 연결된 휘스톤 브릿지 형태의 전극 패드를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 압전 구동 마이크로 그리퍼
12 11
제 10항에 있어서, 상기 상부 전극과 하부 전극에 연결된 휘스톤 브릿지 형태의 전극 패드를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 압전 구동 마이크로 그리퍼
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.