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미세 다공성 구조물을 갖는 가스센서 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015145176
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 미세 다공성 구조물을 갖는 가스센서 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판과; 상기 실리콘 기판의 중앙 영역 상부에서 내부로 형성된 미세 다공성 실리콘 산화 구조물과; 상기 미세 다공성 실리콘 산화 구조물을 포함하여 실리콘 기판 전면 상부에 형성된 멤브레인(Membrane)막과; 상기 미세 다공성 실리콘 산화 구조물이 존재하는 영역의 멤브레인막 상부에 형성된 가열 전극 패턴과; 상기 가열 전극 패턴 양측의 멤브레인막 상부에 형성된 감지 전극 패턴과; 상기 감지 전극 패턴을 제외하고 가열 전극 패턴을 감싸며, 상기 멤브레인막 상부에 형성된 절연막과; 상기 가열 전극 패턴을 감싸는 절연막을 내장시키며, 상기 감지 전극 패턴을 감싸는 감지막으로 구성된다. 따라서, 본 발명은 미세 다공성 실리콘 산화 구조물 상에 가스센서를 제조함으로써, 열 손실을 최소화할 수 있고, 외부 진동 및 충격과 가열부의 열에 의해 발생하는 열 응력에 의한 맴브레인의 파손을 최소화 할 수 있어 소자의 내구성을 높일 수 있는 효과가 있다. 다공, 가스센서, 멤브레인, 전기화학, 진공, 열, 손실
Int. CL G01N 27/14 (2006.01)
CPC G01N 27/16(2013.01) G01N 27/16(2013.01) G01N 27/16(2013.01)
출원번호/일자 1020040056783 (2004.07.21)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0625608-0000 (2006.09.12)
공개번호/일자 10-2006-0008496 (2006.01.27) 문서열기
공고번호/일자 (20060920) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.07.21)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박광범 대한민국 경기도 평택시
2 박효덕 대한민국 경기도 평택시
3 박준식 대한민국 경기도 군포시
4 신규식 대한민국 경기도 남양주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
4 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2004-0322960-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2006-0014347-63
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0203808-81
6 의견서
Written Opinion		 2006.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0333475-94
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.05.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0333490-79
8 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2006.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0332270-63
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0526090-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판과; 상기 실리콘 기판의 중앙 영역 상부에서 내부로 형성된 미세 다공성 실리콘 산화 구조물과; 상기 미세 다공성 실리콘 산화 구조물을 포함하여 실리콘 기판 전면 상부에 형성된 멤브레인(Membrane)막과; 상기 미세 다공성 실리콘 산화 구조물이 존재하는 영역의 멤브레인막 상부에 형성된 가열 전극 패턴과; 상기 가열 전극 패턴 양측의 멤브레인막 상부에 형성된 감지 전극 패턴과; 상기 감지 전극 패턴을 제외하고 가열 전극 패턴을 감싸며, 상기 멤브레인막 상부에 형성된 절연막과; 상기 가열 전극 패턴을 감싸는 절연막을 내장시키며, 상기 감지 전극 패턴을 감싸는 감지막으로 구성된 미세 다공성 구조물을 갖는 가스센서
2 2
실리콘 기판과; 상기 실리콘 기판의 중앙 영역 상부에서 내부로 형성된 미세 다공성 실리콘 산화 구조물과; 상기 미세 다공성 실리콘 산화 구조물을 포함하여 실리콘 기판 전면 상부에 형성된 멤브레인(Membrane)막과; 상기 미세 다공성 실리콘 산화 구조물이 존재하는 영역의 멤브레인막 상부에 형성된 가열 전극 패턴과; 상기 가열 전극 패턴을 감싸며, 상기 멤브레인막 상부에 형성된 절연막과; 상기 가열 전극 패턴이 존재하는 영역의 절연막 상부에 형성된 감지 전극 패턴과; 상기 감지 전극 패턴을 감싸며 상기 절연막 상부에 형성된 감지막으로 구성된 미세 다공성 구조물을 갖는 가스센서
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 미세 다공성 실리콘 산화 구조물은, 상기 양극산화 전기화학 식각 방법으로 형성된 미세 다공성 실리콘 구조물을 산소 분위기에서 열산화시켜 만들어 진 것을 특징으로 하는 미세 다공성 구조물을 갖는 가스센서
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 멤브레인막은, 실리콘 산화막 또는 실리콘 산화 질화막인 것을 특징으로 하는 미세 다공성 구조물을 갖는 가스센서
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 다공성 실리콘 산화 구조물은, 직경이 0
6 6
삭제
7 7
실리콘 기판 상부에 중앙 영역을 노출시키는 개구를 갖는 마스크를 형성하고, 실리콘 기판 하부에 금속층을 형성하는 제 1 단계와; 상기 마스크에 의해 노출된 실리콘 기판 면을 과산화수소와 에탄올 등이 첨가된 불산(HF) 용액에 접하게 한 후, 상기 실리콘 기판 하부의 금속층에 양전압과 HF 용액에 음전압을 인가함으로써, HF 용액에 노출된 실리콘 표면이 양극산화 전기화학 식각이 되면서 미세 다공성 실리콘 구조물들을 형성시키는 제 2 단계와; 상기 마스크와 금속층을 제거한 다음, 상기 미세 다공성 실리콘 구조물을 열산화시켜 미세 다공성 실리콘 산화 구조물로 전환시키는 제 3 단계와; 상기 미세 다공성 실리콘 산화 구조물과 상기 실리콘 기판 상부에 멤브레인막을 형성하는 제 4 단계와; 상기 미세 다공성 실리콘 산화 구조물이 존재하는 영역의 멤브레인막 상부에 가열 전극 패턴을 형성하고, 상기 가열 전극 패턴 양측의 멤브레인막 상부에 감지 전극 패턴을 형성하는 제 5 단계와; 상기 감지 전극 패턴을 노출시키고, 상기 가열 전극 패턴을 감싸며 상기 멤브레인막 상부에 절연막을 형성하는 제 6 단계와; 상기 가열 전극 패턴을 감싸는 절연막을 내장시키며, 상기 감지 전극 패턴을 감싸는 감지막을 형성하는 제 7 단계로 구성된 미세 다공성 구조물을 갖는 가스센서의 제조 방법
8 8
실리콘 기판 상부에 중앙 영역을 노출시키는 개구를 갖는 마스크를 형성하고, 실리콘 기판 하부에 금속층을 형성하는 제 1 단계와; 상기 마스크에 의해 노출된 실리콘 기판 면을 과산화수소와 에탄올 등이 첨가된 불산(HF) 용액에 접하게 한 후, 상기 실리콘 기판 하부의 금속층에 양전압과 HF 용액에 음전압을 인가함으로써, HF 용액에 노출된 실리콘 표면이 양극산화 전기화학 식각이 되면서 미세 다공성 실리콘 구조물들을 형성시키는 제 2 단계와; 상기 마스크와 금속층을 제거한 다음, 상기 미세 다공성 실리콘 구조물을 열산화시켜 미세 다공성 실리콘 산화 구조물로 전환시키는 제 3 단계와; 상기 미세 다공성 실리콘 산화 구조물과 상기 실리콘 기판 상부에 멤브레인막을 형성하는 제 4 단계와; 상기 미세 다공성 실리콘 산화 구조물이 존재하는 영역의 멤브레인막 상부에 가열 전극 패턴을 형성하는 제 5 단계와; 상기 가열 전극 패턴을 감싸며, 상기 멤브레인막 상부에 절연막을 형성하는 제 6 단계와; 상기 가열 전극 패턴이 존재하는 영역의 절연막 상부에 감지 전극 패턴을 형성한 후, 상기 감지 전극 패턴을 감싸며 상기 절연막 상부에 감지막을 형성하는 제 7 단계로 구성된 미세 다공성 구조물을 갖는 가스센서의 제조 방법
9 9
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 제 3 단계의 미세 다공성 실리콘 산화 구조물은, 직경이 0
10 10
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 제 4 단계에서 미세 다공성 실리콘 산화 구조물과 상기 실리콘 기판 상부에 멤브레인막을 형성하는 것은, 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma enhanced chemical evaporation deposition, PECVD)법을 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 다공성 구조물을 갖는 가스센서의 제조 방법
11 10
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 제 4 단계에서 미세 다공성 실리콘 산화 구조물과 상기 실리콘 기판 상부에 멤브레인막을 형성하는 것은, 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma enhanced chemical evaporation deposition, PECVD)법을 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 다공성 구조물을 갖는 가스센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.