맞춤기술찾기

이전대상기술

압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서 및 그 제작방법

  • 기술번호 : KST2015145192
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서 및 그 제작 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 멤스 공정 기술을 이용한 초소형 화학 센서 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서 제조 방법은 실리콘 기판 상부에 형성된 실리콘 질화막 칸티레버; 상기 실리콘 질화막 칸티레버 상부에 형성된 실리콘 산화막; 상기 실리콘 산화막 상부에 소정의 크기로 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극 상부에 압전 구동을 위해 형성된 압전 구동층; 상기 하부 전극 상부 및 상기 압전 구동층 일부 영역 상부에 상하부 전극간 절연을 위해 형성된 절연층; 상기 절연층의 상부 및 상기 압전 구동층의 상부에 형성된 상부 전극 및 상기 상부 전극과 하부 전극에 소자의 구동을 위해 전계를 인가하기 위해 형성된 전극 라인으로 구성됨에 기술적 특징이 있다. 따라서, 본 발명의 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서 및 그 제작 방법은 외부로부터 극소량의 ppb 또는 ppt 수준의 산업 환경유해 물질의 농도에 신속하게 반응하여 공진주파수의 변화를 통해 즉시 감지가 가능하여 빠른 응답 속도와 높은 감도 낮은 전력 손실이 가능한 장점이 있고, 시스템의 소형화로 인한 휴대형화, 실리콘 반도체 가공기술로 대량생산에 따른 제조원가 절감 및 집적의 용이함, 다양한 감지 대상 물질을 감지할 수 있도록 어레이 형태로 제작이 가능하며, 생명공학, 의학 및 환경관련 분야에 활용이 가능한 효과가 있다. 멤스, 마이크로 칸티레버
Int. CL G01N 27/00 (2006.01)
CPC G01N 27/87(2013.01) G01N 27/87(2013.01) G01N 27/87(2013.01) G01N 27/87(2013.01) G01N 27/87(2013.01)
출원번호/일자 1020040021693 (2004.03.30)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0620255-0000 (2006.08.29)
공개번호/일자 10-2005-0096469 (2005.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20060913) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.03.31)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신상훈 대한민국 충청북도진천군
2 이재찬 대한민국 서울특별시강남구
3 박준식 대한민국 경기도군포시
4 박효덕 대한민국 경기도성남시분당구
5 박광범 대한민국 경기도평택시
6 신규식 대한민국 경기도남양주시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0132062-68
2 출원심사청구서
Request for Examination
2004.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2004-0132787-40
3 공지예외적용대상 증명서류 제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known
2004.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-0165587-88
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0641151-10
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0109385-39
7 의견서
Written Opinion
2006.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0109386-85
8 등록결정서
Decision to grant
2006.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0271862-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서에 있어서,실리콘 기판 상부에 형성된 실리콘 질화막 칸티레버;상기 실리콘 질화막 칸티레버 상부에 형성된 실리콘 산화막;상기 실리콘 산화막 상부에 소정의 크기로 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상부에 압전 구동을 위해 형성된 압전 구동층;상기 하부 전극 상부 및 상기 압전 구동층 일부 영역 상부에 상하부 전극간 절연을 위해 형성된 절연층;상기 절연층의 상부 및 상기 압전 구동층의 상부에 형성된 상부 전극; 상기 상부 전극 상부에 형성되며 감지 대상물질을 감지하는 감지층; 상기 상부 전극과 하부 전극에 소자의 구동을 위한 전계를 인가하기 위해 형성된 전극 라인; 상기 감지층의 공진주파수 대역의 구동을 위한 오실레이터;상기 오실레이터의 공진주파수를 측정하는 주파수 카운터; 및상기 감지층으로부터 감지된 신호를 모니터링하기 위한 디스플레이 장치를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판 하부에 형성된 하부 실리콘 질화막을 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서
5 5
제 1항에 있어서, 상기 하부 전극과 상기 실리콘 산화막 사이에 형성된 실리콘 기판과의 접합력을 향상하기 위한 접합층을 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서
6 6
제 5항에 있어서, 상기 접합층은 탄탈륨 또는 티타늄임을 특징으로 하는 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서
7 7
제 1항에 있어서, 상기 절연층은 폴리이미드임을 특징으로 하는 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서
8 8
제 1항에 있어서, 상기 감지층은 벤젠류 물질을 감지하는 폴리디메틸실록산 또는 알콜류 물질을 감지하는 폴리메틸메타크릴레이트임을 특징으로 하는 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서
9 9
압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서 제작 방법에 있어서, (a) 실리콘 기판 상부 및 하부에 상부 및 하부 실리콘 질화막을 증착하는 단계; (b) 상기 실리콘 질화막 상부에 실리콘 산화막을 증착하는 단계; (c) 상기 실리콘 산화막 상부에 소정 크기의 하부 전극을 형성하는 단계; (d) 상기 하부 전극 상부에 상기 하부 전극보다 작은 크기의 압전 구동층을 형성하는 단계; (e) 상기 형성된 하부 전극 상부 및 상기 압전 구동층 일부 영역 상부에 상하부 전극간 절연을 위한 절연층을 형성하는 단계; (f) 상기 절연층의 상부 및 상기 압전 구동층의 상부에 상부 전극을 형성하는 단계; (g) 상기 하부 실리콘 질화막의 일부를 제거하는 단계; 및 (h) 상기 (g) 단계로 노출된 실리콘 기판을 식각하는 단계 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서 제작 방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 (h) 단계 후, 감지 대상물질을 감지하기 위한 감지층을 형성하는 (i) 단계를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서 제작 방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 (i) 단계는 고분자 물질을 포함한 용액을 이용해 소자 위에 스핀 코팅 또는 딥 코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서 제작 방법
12 12
제 10항에 있어서, 상기 감지층은 벤젠류 물질을 감지하는 폴리디메틸실록산 또는 알콜류 물질을 감지하는 폴리메틸메타크릴레이트임을 특징으로 하는 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서
13 13
제 9항에 있어서, 상기 (c) 단계의 하부 전극을 형성하기 전에 접합력을 향상하기 위한 접합층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서 제작 방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 접합층은 탄탈륨 또는 티타늄임을 특징으로 하는 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서 제작 방법
15 15
제 9항에 있어서, 상기 (d) 단계는 졸-겔법을 이용하여 압전 구동 물질을 증착한 후 패터닝하는 것을 특징으로 하는 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서 제작 방법
16 16
제 9항에 있어서, 상기 절연층은 폴리이미드임을 특징으로 하는 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서
17 16
제 9항에 있어서, 상기 절연층은 폴리이미드임을 특징으로 하는 압전 마이크로 칸티레버를 이용한 화학 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.