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기판과; 상기 기판 상부에 형성되고, 상부에 돌출된 영역이 형성되어 있는 하부 클래드층과; 상기 하부 클래드층의 돌출된 영역 상부에 형성된 코어층과; 상기 코어층을 감싸고 상기 하부 클래드층 상부에 형성된 제 1 상부 클래드층과; 상기 제 1 상부 클래드층 상부에 형성되는 제 2 상부 클래드층으로 구성된 온도 무의존성 어레이 도파로 회절격자
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기판과; 상기 기판 상부에 형성되고, 상부에 돌출된 영역이 형성되어 있는 하부 클래드층과; 상기 하부 클래드층의 돌출된 영역 상부에 형성된 코어층과; 상기 코어층을 감싸고 상기 하부 클래드층 상부에 형성된 제 1 상부 클래드층과; 상기 제 1 상부 클래드층 상부에 형성되는 제 2 상부 클래드층으로 구성되고, 상기 코어층은 광이 입력되는 입력 도파로와; 상기 입력 도파로에 제 1 슬랩 도파로를 통하여 연결된 어레이 도파로와; 상기 어레이 도파로에 제 2 슬랩 도파로를 통하여 연결된 출력 도파로로 구성되며, 상기 어레이 도파로의 일부 영역의 상부에 있는 제 2 상부 클래드층을 제거하여 형성된 홈에 실리콘 레진이 채워져 있는 온도 무의존성 어레이 도파로 회절격자
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 코어층은 온도 증가에 대해 양의 굴절률 변화를 가지고 있는 물질로 형성하고, 상기 제 2 상부 클래드층은 온도 증가에 대해 음의 굴절률 변화값을 가지고 있는 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 온도 무의존성 어레이 도파로 회절격자의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 하부 클래드층과 제 1 상부 클래드층은 동일한 물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 온도 무의존성 어레이 도파로 회절격자
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기판 상부에 하부 클래드층, 코어층, 금속층과 포토레지스트층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트층의 일부를 제외하고 식각하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴으로 마스킹하여 상기 금속층을 식각하여 금속 패턴을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고, 상기 금속 패턴으로 상기 코어층과 상기 하부 클래드층의 일부를 식각하고, 상기 금속 패턴을 제거하는 단계와; 상기 남아있는 코어층을 감싸고 하부 클래드층 상부에 제 1 상부 클래드층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 상부 클래드층 상부에 제 2 상부 클래드층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 온도 무의존성 어레이 도파로 회절격자의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 코어층은 온도 증가에 대해 양의 굴절률 변화를 가지고 있는 물질로 형성하고, 상기 제 2 상부 클래드층은 온도 증가에 대해 음의 굴절률 변화값을 가지고 있는 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 온도 무의존성 어레이 도파로 회절격자의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 상기 하부 클래드층, 코어층과 제 1 상부 클래드층은 실리카로 형성하고, 상기 제 2 상부 클래드층은 폴리머로 형성하는 것을 특징으로 하는 온도 무의존성 어레이 도파로 회절격자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제 2 상부 클래드층의 일부를 제거하여 형성된 홈에 실리콘 레진을 채우는 공정이 더 구비된 것을 특징으로 하는 온도 무의존성 어레이 도파로 회절격자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제 2 상부 클래드층의 일부를 제거하여 형성된 홈에 실리콘 레진을 채우는 공정이 더 구비된 것을 특징으로 하는 온도 무의존성 어레이 도파로 회절격자의 제조 방법
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