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상전이 박막을 이용하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체에 있어서,실리콘 기판;상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극;상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막; 및상기 상전이 박막 상에 위치하여 비정질 상태로 있다가 일정 온도 이상이 되면 순간적으로 결정질 상태로 되었다가 인가전압이 없어지면 비정질 상태가 되는 금속-절연체 상전이 박막을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체
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제 1항에 있어서,상기 하부전극은 Pt, Au 및 비정질 탄소 박막 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체
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제 2항에 있어서,상기 비정질 탄소 박막은 W의 함유량이 5 ~ 15at
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제 1항에 있어서,상기 상전이 박막은 Ge-Sb-Te 계열 및 Ag-In-Sb-Te 계열의 박막 중 어느하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체
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제 1항에 있어서,상기 상전이 박막은 10 ~ 20nm의 두께인 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체
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제 1항에 있어서,상기 일정 온도는 60℃인 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체
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제 1항에 있어서,상기 금속-절연체 상전이 박막은 VO2인 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체
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실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막 및 상기 상전이 박막 상에 위치하여 비정질 상태로 있다가 일정 온도 이상이 되면 순간적으로 결정질 상태로 되었다가 인가전압이 없어지면 비정질 상태가 되는 금속-절연체 상전이 박막을 포함하는 기록매체와 상기 기록매체에 데이터를 기록하고 재생하는데 사용되는 탐침을 구비하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 방법에 있어서,(a) 인가 펄스전압이 인가된 상태에서 상기 탐침을 금속-절연체 상전이 박막의 표면에 접촉시키는 단계;(b) 상기 금속-절연체 상전이 박막을 결정질 상태로 변환하는 단계; 및(c) 상기 결정질 상태로 변환한 금속-절연체 상전이 박막을 통과한 전류가 상전이 박막을 비정질화하여 기록하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 방법
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제 8항에 있어서,상기 (a) 단계는 부하전력을 1 ~ 10nN, 인가 펄스전압을 6 ~ 8V, 전압 인가시간은 100nsec 이하로 하는 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 방법
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실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막 및 상기 상전이 박막 상에 위치하여 비정질 상태로 있다가 일정 온도 이상이 되면 순간적으로 결정질 상태로 되었다가 인가전압이 없어지면 비정질 상태가 되는 금속-절연체 상전이 박막을 포함하는 기록매체와 상기 기록매체에 데이터를 기록하고 재생하는데 사용되는 탐침을 구비하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 재생 방법에 있어서,(a) 인가 펄스전압이 인가된 상태에서 상기 탐침을 금속-절연체 상전이 박막의 표면에 접촉시키는 단계; 및(b) 상기 금속-절연체 상전이 박막이 결정질화하여 정보를 재생하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 재생 방법
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제 10항에 있어서,상기 (a) 단계는 부하전력을 1 ~ 10nN, 인가 펄스전압을 1 ~ 2V로 하는 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 재생 방법
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실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극 상에 위치하고 결정질 상태인 상전이 박막 및 상기 상전이 박막 상에 위치하여 비정질 상태로 있다가 일정 온도 이상이 되면 순간적으로 결정질 상태로 되었다가 인가전압이 없어지면 비정질 상태가 되는 금속-절연체 상전이 박막을 포함하는 기록매체와 상기 기록매체에 데이터를 기록하고 재생하는데 사용되는 탐침을 구비하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 소거 방법에 있어서,(a) 기록매체에 기록된 데이터 비트 부위에 인가 펄스전압을 인가하는 단계; 및(b) 상기 탐침을 금속-절연체 상전이 박막의 표면에 접촉시켜 정보를 제거하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 소거 방법
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제 12항에 있어서,상기 부하전력을 1 ~ 10nN, 인가 펄스전압을 5 ~ 6V, 전압 인가시간은 200 ~ 500nsec 이하로 하는 것을 특징으로 하는 탐침형 정보저장장치의 기록매체 기록 소거 방법
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