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초소형 음향 감지 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015145252
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초소형 음향 감지 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 제조 공정이 단순하고 제조경비도 줄이며 음향 감도의 개선과 편차를 감소할 수 있는 초소형 음향 감지 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 발명의 초소형 음향 감지 장치는 중앙 부분에 구멍을 갖는 기판부; 상기 기판부 상에 절연막과 제1 전도성 박막으로 형성되고 상기 기판부의 중앙 부분에 대응하는 곳에 복수의 구멍을 갖는 백플레이트부; 및 테두리부분은 상기 백플레이트부의 상기 절연막과 접촉하되, 중심부는 구멍이 형성된 상기 백플레이트부의 중앙 부분으로부터 소정의 거리로 이격되어 형성된 요철 형태의 제 2 전도성 박막으로 이루어진 진동판부를 포함하는 초소형 음향 감지 장치에 의해 달성된다.로 구성됨에 기술적 특징이 있다.음향 감지, 백플레이트, 진동판, 희생층
Int. CL H04R 19/04 (2006.01)
CPC H04R 19/016(2013.01) H04R 19/016(2013.01) H04R 19/016(2013.01) H04R 19/016(2013.01) H04R 19/016(2013.01)
출원번호/일자 1020050093483 (2005.10.05)
출원인 전자부품연구원, 경기도
등록번호/일자 10-0765149-0000 (2007.10.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.10.05)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 경기도 대한민국 경기도 수원시 팔달구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경일 대한민국 서울 서초구
2 이대성 대한민국 경기도 평택시 어인남로 **,
3 황학인 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 경기도 대한민국 경기도 수원시 팔달구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2005-0563212-42
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2006-0052464-87
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0580093-29
5 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2006.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0803405-55
6 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0808984-29
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0884433-55
8 의견서
Written Opinion
2006.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0884452-12
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2007.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0181987-63
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2007.06.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0022015-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2007-5094310-06
12 등록결정서
Decision to grant
2007.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0380685-47
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.06 수리 (Accepted) 4-1-2008-5176113-43
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
중앙 부분에 구멍을 갖는 기판부;상기 기판부 상에 절연막과 제1 전도성 박막으로 형성되고 상기 기판부의 중앙 부분에 대응하는 곳에 복수의 구멍을 갖는 백플레이트부; 및테두리부분은 상기 백플레이트부의 상기 절연막과 접촉하되, 중심부는 구멍이 형성된 상기 백플레이트부의 중앙 부분으로부터 소정의 거리로 이격되어 형성된 요철 형태의 제 2 전도성 박막으로 이루어진 진동판부를 포함하는 초소형 음향 감지 장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 백플레이트부의 일부가 제거되어 기판부가 노출되고 그 위에 금속 박막을 증착한 제1 패드;상기 진동판부 중 백플레이트부에 고정되어 있고 그 아래쪽은 기판부에 의해 지지되는 부분의 일부에 금속 박막을 증착한 제2 패드; 및상기 백플레이트부의 제1 전도성 박막 중 아래쪽에 기판부가 있는 곳에 위치하고 일부는 위쪽의 절연막이 제거되어 금속 박막을 증착한 제3 패드를 더 포함하는 초소형 음향 감지 장치
3 3
제 1항에 있어서,상기 패드에 증착하는 금속은 금을 포함하는 다층의 금속 구조인 것을 특징으로 하는 초소형 음향 감지 장치
4 4
제 1항에 있어서,상기 절연막은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막 중 어느 하나이거나 적층 구조인 것을 특징으로 하는 초소형 음향 감지 장치
5 5
제 1항에 있어서,상기 전도성 박막은 도핑된 다결정 실리콘 박막 및 금속 박막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 초소형 음향 감지 장치
6 6
기판 상에 제1 실리콘 산화막과 제1 실리콘 질화막을 순차적으로 증착하는 단계;상기 제1 실리콘 질화막 상에 제1 전도성 박막을 증착하고 패터닝하는 단계;상기 제1 전도성 박막 상에 제2 실리콘 질화막을 증착하고 패터닝한 후, 제3 실리콘 질화막을 증착하고 패터닝하는 단계;상기 제1 실리콘 산화막, 제1 실리콘 질화막, 제1 전도성 박막, 제2 실리콘 질화막 및 제3 실리콘 질화막에 복수의 구멍을 형성하는 단계;희생층을 증착하고 패터닝하는 단계;상기 희생층 상에 제2 전도성 박막을 증착하고 패터닝하는 단계;상기 제3 실리콘 질화막의 일부를 제거하고 금속 박막을 증착하고 패터닝하거나 금속 박막을 증착하는 단계; 및상기 기판의 일부를 제거하고 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 초소형 음향 감지 장치의 제조 방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 실리콘 질화막은 저압화학기상증착 공정으로 인장 응력이 300 Mpa 이하인 질화막을 0
8 8
제 6항에 있어서,상기 구멍을 형성하는 단계는 사진식각 공정으로 직경 0
9 9
제 6항에 있어서,상기 희생층은 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.