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씨모스 이미지 센서

  • 기술번호 : KST2015145262
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 씨모스 이미지 센서에 관한 것으로, 특히 게이트와 바디가 묶인 PMOSFET을 수광소자로 사용한 능동 픽셀 및 수동 픽셀에 관한 것으로, P형 반도체 기판상에 형성되는 씨모스 이미지 센서에 있어서, N형으로 도핑된 웰(well)을 포함하고, 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 PMOSFET 및 상기 MOSFET으로부터 받은 신호를 출력하기 위한 출력부를 포함하며, 상기 PMOSFET은 게이트와 제2불순물형으로 도핑된 웰이 전기적으로 연결된 씨모스 이미지 센서에 관한 것이다. 따라서, 본 발명은 수광소자에 소량의 빛이 들어와도 소스와 드레인에 흐르는 전류의 양이 커, 저조도에서 이미지 구현이 우수한 특성을 가지며, 종래의 이미지 센서와는 달리 긴 인테그레이션 시간이 불필요하므로 빛의 양이 적은 저 조도상황에서도 고속의 동영상의 구현을 가능하게 하며, 종래의 씨모스 이미지 센서의 제조공정 중 암전류를 억제하기 위하여 수광부 표면의 에피층의 형성하는 공정등을 삭제하여 공정단계를 대폭 축소하며, 이로 인하여 공정의 수율 향상 및 비용을 절감하는 효과가 있다.MOSFET, 능동 픽셀, 수동 픽셀
Int. CL H01L 27/146 (2006.01)
CPC H01L 27/1461(2013.01) H01L 27/1461(2013.01) H01L 27/1461(2013.01) H01L 27/1461(2013.01)
출원번호/일자 1020050124834 (2005.12.16)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0064186 (2007.06.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.16)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재현 대한민국 경기 수원시 영통구
2 김 훈 대한민국 서울 강남구
3 박광수 대한민국 경기 용인시 수지구
4 정민재 대한민국 경기도 용인시 수지구
5 김상진 대한민국 경기 화성시
6 신장규 대한민국 대구 북구
7 서상호 대한민국 대구 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2005-0738647-48
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0634936-14
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0981948-54
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.01.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0092732-26
5 의견서
Written Opinion
2007.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0092744-74
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0295604-98
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0552100-59
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0552098-44
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2007.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0638444-80
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0068270-61
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.01.28 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2008-0068294-56
12 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2008.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0292296-37
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0294789-81
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1불순물형 반도체 기판상에 형성되는 씨모스 이미지 센서에 있어서,제2불순물형으로 도핑된 웰을 포함하고, 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 PMOSFET; 및상기 PMOSFET으로부터 받은 신호를 출력하기 위한 출력부를 포함하며,상기 PMOSFET은 게이트와 제2불순물형으로 도핑된 웰이 전기적으로 연결된 씨모스 이미지 센서
2 2
제1항에 있어서,상기 PMOSFET의 상기 웰내에는, 고농도 제1불순물형으로 도핑된 소스와 드레인 및 고농도 제2불순물형으로 도핑된 연결부를 포함하는 씨모스 이미지 센서
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1불순물형은 P형인 씨모스 이미지 센서
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2불순물형은 N형인 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀
5 5
제1항에 있어서,상기 PMOSFET의 게이트는 플로팅 되는 씨모스 이미지 센서
6 6
제1항에 있어서,상기 출력부는 전압 변환 장치, 셀렉트 트랜지스터 및 소스 팔로워 버퍼를 포함하는 능동 픽셀 씨모스 이미지 센서
7 7
제1항에 있어서,상기 출력부는 선택 스위치인 수동 픽셀 씨모스 이미지 센서
8 8
제6항에 있어서,상기 능동 픽셀은 픽셀 리셋을 수행하고 기준 신호 샘플링 후 일정시간 지연후 같은 수평 라인에서 광 신호 샘플링을 수행하는 단계; 및상기 두 신호의 차를 열 단위로 읽어내는 단계를 포함하여 구동하는 씨모스 이미지 센서
9 9
제7항에 있어서,상기 수동 픽셀은 외부 커패시터를 리셋시키고 픽셀 내의 스위치를 활성화시켜 픽셀을 선택하고, 해당 픽셀의 광 전류가 전압 신호로 변환되는 것을 포함하여 구동하는 씨모스 이미지 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.