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고분자 수지 기반 입자를 준비하는 단계와,상기 고분자 수지 기반 입자 표면에 나노 분말의 층을 형성하는 단계와,상기 형성된 나노 분말층 위에 무전해 도금을 수행하는 단계를 포함하고,상기 고분자 수지 기반 입자 표면에 나노 분말의 층을 형성하는 단계는 건식 물리적 부착법을 이용하여 나노 분말의 층을 형성하는 것인 도전성 입자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 수지 기반 입자는 아크릴계, 우레탄계, 에티렌계 수지를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 물질인 것인 도전성 입자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 수지 기반 입자는 1 ~ 30 ㎛의 크기를 가지는 구형 입자 수지인 것인 도전성 입자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 나노 분말은 Ni, Ag, Cu, Al, Cr 또는 이들의 혼합물이나 화합물을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 물질인 것인 도전성 입자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 나노 분말은 Pt, Pd, Sn-PD 또는 Sn-Pt를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 물질인 것인 도전성 입자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 나노 분말층은 1 ~ 500 nm의 두께를 가지는 것인 도전성 입자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 무전해 도금은 도전성이 높은 Au를 도금하는 것인 도전성 입자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 수지 기반 입자 표면에 나노 분말의 층을 건식 물리적 부착법을 이용하여 형성하는 단계 이후에,상기 나노 분말층 표면을 수세하는 단계를 더 포함하는 것인 도전성 입자의 제조 방법
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