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에스오아이 이미지 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015145271
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에스오아이 기판을 이용한 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 에스오아이 이미지 센서는 에스오아이 기판상에 형성되어 빛을 전기신호로 변환하기 위한 게이트 바디 연결형 MOSFET 구조의 수광소자로 이루어진 수광 픽셀부 및 상기 수광 픽셀부와 인접하고, 상기 에스오아이 기판의 매몰 산화층을 제거한 영역에 형성되어 상기 수광 픽셀부로부터 받은 전기신호를 디지털 신호로 변화하여 처리하는 신호처리부; 및 상기 수광 픽셀부와 상기 신호처리부에 형성된 소자분리막을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 에스오아이 이미지 센서의 제조 방법은 신호처리부가 형성될 영역에 에스오아이 기판의 실리콘 기판 및 매몰 산화층을 선택적으로 식각하여 하부 실리콘을 노출하는 단계; 상부 실리콘 및 하부 실리콘에 소자분리막을 형성하는 단계; 상기 상부 실리콘 및 하부 실리콘 상에 게이트 산화막 및 게이트 전극을 증착하는 단계; 상기 증착된 게이트 산화막 및 게이트 전극을 패턴닝 하는 단계; 및 소스/드레인 영역을 형성하는 단계 를 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따라 제조된 이미지 센서는 에스오아이 수광소자의 고반응성, 고속, 저전력 특성을 살려 빛을 전기적 신호로 바꿀수 있고 나머지 부분은 실리콘 소자의 우수한 신뢰성을 바탕으로 동작특성 및 신뢰성이 우수한 이미지 센서를 제조할 수 있다는 효과가 있다. 에스오아이, 이미지 센서
Int. CL H01L 27/146 (2006.01)
CPC H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01)
출원번호/일자 1020050129813 (2005.12.26)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0896432-0000 (2009.04.29)
공개번호/일자 10-2007-0068080 (2007.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20090512) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.26)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최홍구 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 박재현 대한민국 경기 수원시 영통구
3 김 훈 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0763162-93
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0634942-88
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0979794-16
4 의견서
Written Opinion
2006.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0979797-53
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2007.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0213931-13
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.05.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0374360-82
7 의견서
Written Opinion
2007.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0374406-94
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2007.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0563304-60
9 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2007.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0563303-14
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2007.12.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0051254-04
11 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2008.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0020630-38
12 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2008.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0020631-84
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0377550-56
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.09.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0655112-79
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0655095-80
16 등록결정서
Decision to grant
2009.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0041527-15
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
에스오아이 기판의 상부 실리콘 상에 형성되어 빛을 전기신호로 변환하기 위한 게이트 바디 연결형 MOSFET 구조의 수광소자를 포함하는 수광 픽셀부 및 상기 수광 픽셀부로부터 이격된 영역에 상기 에스오아이 기판의 상부 실리콘과 매몰 산화층을 제거하여 노출된 하부 실리콘 상에 영역에 형성되어 상기 수광 픽셀부로부터 받은 전기신호를 디지털 신호로 변화하여 처리하기 위한 트랜지스터를 포함하는 신호처리부; 및 상기 수광 픽셀부와 상기 신호처리부에 형성된 소자분리막 을 포함하는 에스오아이 이미지 센서
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 수광 픽셀부는, 외부로부터 인가되는 리셋신호에 의해 제어되는 상기 이미지 센서를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터; 상기 수광 픽셀부로부터 출력된 광전 변환신호를 증폭시키기 위한 증폭 트랜지스터; 및 상기 증폭트랜지스터로부터 출력된 증폭신호를 스위칭하는 어드레스 셀렉트 트랜지스터 를 포함하는 에스오아이 이미지 센서
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
에스오아이 기판상에 수광 픽셀부와 신호처리부를 형성하는데 있어서, 신호처리부가 형성될 영역에 에스오아이 기판의 상부 실리콘 및 매몰 산화층을 선택적으로 식각하여 하부 실리콘을 노출하는 단계; 상기 상부 실리콘 및 하부 실리콘에 소자분리막을 형성하는 단계; 및 상기 소자분리막이 형성된 상기 상부 실리콘 및 하부 실리콘 상에 각각 게이트 바디 연결형 MOSFET 트랜지스터 형태의 수광소자를 포함하는 수광 픽셀부와 트랜지스터를 포함하는 신호처리부를 형성하는 단계 를 포함하는 에스오아이 이미지 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.