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전극 패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2015145292
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전극 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 기판 상부에 씨드층(Seed Layer)을 형성하는 단계와, 상기 씨드층 상부에 패턴 형성용 필름을 접착한 후, 상기 패턴 형성용 필름의 일부를 제거하여 상기 씨드층을 노출시키는 단계와, 상기 노출된 씨드층 상에 도금층을 형성하는 단계와, 상기 패턴 형성용 필름을 제거한 후, 상기 도금층을 식각 마스크로 하여 상기 씨드층을 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 리소그래피 공정을 이용하지 않고도 전극 패턴을 형성할 수 있으므로, 포토 레지스트의 도포, 노광, 현상 공정 등을 수행하는데 필요한 장비 구입에 따른 지출을 줄일 수 있고, 제조 공정을 단순화 할 수 있다. 그리고, 별도의 패턴 마스크를 제작할 필요가 없으므로, 다양한 전극 패턴을 가지는 전자 부품을 제조하는 경우 그에 따른 제조 비용 및 시간을 줄일 수 있게 된다. 전극, 씨드층, 전해 도금, 필름, 포토 레지스트
Int. CL H05K 3/18 (2006.01)
CPC H05K 3/184(2013.01) H05K 3/184(2013.01) H05K 3/184(2013.01)
출원번호/일자 1020050107346 (2005.11.10)
출원인 전자부품연구원, 주식회사 미코
등록번호/일자 10-0678860-0000 (2007.01.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.11.10)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 주식회사 미코 대한민국 경기도 안성시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성대 대한민국 서울특별시 마포구
2 유명재 대한민국 서울특별시 광진구
3 고상기 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 장병규 대한민국 경기도 남양주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 미코 대한민국 경기도 안성시
2 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2005-0646216-04
2 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
2006.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0262908-18
3 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
2006.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0263307-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0621995-93
5 의견서
Written Opinion
2006.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0955049-79
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0955065-00
7 등록결정서
Decision to grant
2007.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0025462-91
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.26 수리 (Accepted) 4-1-2009-5125733-91
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.30 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106044-89
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.21 수리 (Accepted) 4-1-2013-5156526-90
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5040789-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
기판 상부에 씨드층(Seed Layer)을 형성하는 단계; 상기 씨드층 상부에 패턴 형성용 필름을 접착한 후, 상기 패턴 형성용 필름의 일부를 커팅용 레이저로 제거하여 상기 씨드층을 노출시키는 단계; 상기 노출된 씨드층 상에 도금층을 형성하는 단계; 및 상기 패턴 형성용 필름을 제거한 후, 상기 도금층을 식각 마스크로 하여 상기 씨드층을 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 전극 패턴 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 씨드층은 Cr, Ti, Ti-W 중에서 선택된 어느 하나의 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전극 패턴 형성방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 씨드층은 Cr, Ti, Ti-W 중에서 선택된 어느 하나의 금속으로 이루어지는 제1 금속층과 상기 제1 금속층 상부에 형성되며 Cu, Ni, Au 중에서 선택된 어느 하나의 금속으로 이루어지는 제2 금속층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전극 패턴 형성방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 패턴 형성용 필름은 라미네이팅(Laminating) 공정으로 상기 씨드층 상부에 접착하는 것을 특징으로 하는 전극 패턴 형성방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 도금층은 Ni 또는 Au 를 전해 도금하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전극 패턴 형성방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 도금층은 전해 도금 공정을 수행하여 Ni 와 Pd의 합금 또는 Au 와 Sn의 합금을 형성하는 것을 특징으로 하는 전극 패턴 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.