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관통홀이 형성되어 있는 제 1 절연막과; 상기 제 1 절연막 상부에 형성되어 있고, 상기 제 1 절연막의 관통홀을 노출시키는 관통홀이 형성되어 있는 기판과; 상기 기판 상부에 형성된 제 2 절연막과; 상기 기판의 관통홀에 노출되고, 상기 제 1 절연막의 관통홀 내부에 위치되는 감지 전극 패턴과; 상기 기판의 관통홀 내부에 위치되고, 상기 제 1 절연막 하부에 형성된 발열 전극 패턴과; 상기 감지 및 발열 전극 패턴과 각각 연결되어 있고, 상기 제 1 절연막 하부에 형성되어 있는 전극 패드들과; 상기 감지 전극 패턴의 하부 및 측면, 제 1 절연막의 하부 및 측면과, 발열 전극 패턴을 감싸며 형성되어 있고, 상기 전극 패드들 하부를 노출시키는 제 3 절연막을 포함하여 구성된 마이크로 가스 센서
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 절연막은 실리콘 산화막이고,상기 제 2 절연막은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
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3
제 2 항에 있어서,상기 실리콘 산화막과 발열 전극 패턴 사이에,Ti 또는 TiO2로 이루어진 버퍼층이 더 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
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4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 절연막은 실리콘 질화막이고, 상기 제 2 절연막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
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5
제 4 항에 있어서,상기 실리콘 질화막과 발열 전극 패턴 사이에,Ta 또는 Ta2O5로 이루어진 버퍼층이 더 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
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6
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 3 절연막은,두 개의 절연막이 적층된 이중 절연막인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
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7
제 6 항에 있어서,상기 두 개의 절연막은,실리콘 산화막과 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
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8
제 7 항에 있어서,상기 실리콘 질화막의 두께가 실리콘 산화막의 두께보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
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9
제 1 항에 있어서,상기 감지 전극 패턴은,인터디지탈변환기(IDT; Inter Digital Transducer) 패턴으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
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10
제 1 항에 있어서,상기 감지 전극 패턴은,상호 이격된 한 쌍의 대칭적인 전극으로 이루어져 있고, 상기 발열 전극 패턴은,상기 한 쌍의 대칭적인 전극 선단을 감싸는 지그재그 형상의 패턴으로 형성되어 있고,상기 제 3 절연막은,상기 지그재그 형상으로 형성된 발열 전극 패턴 상부를 감싸며, 지그재그 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
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11
기판 상부에 제 1 절연막을 형성하고, 기판 하부에 제 2 절연막을 형성하는 단계와;상기 기판의 일부 영역이 노출되도록, 상기 제 1 절연막을 제거하는 단계와;상기 기판의 노출된 영역 상부에 감지 전극 패턴을 형성하고, 상기 기판의 노출된 영역 주위의 제 1 절연막 상부에 발열 전극 패턴을 형성하고, 상기 감지 전극 패턴과 발열 전극 패턴 각각과 연장되는 패드들을 상기 제 1 절연막 상부에 형성하는 단계와;상기 제 1 절연막과 상기 노출된 영역 상부에 제 3 절연막을 형성하는 단계와;상기 패드들 각각의 상부를 노출시키도록, 상기 제 3 절연막의 일부를 제거하는 단계와;상기 감지 전극 패턴이 존재하는 영역보다 넓은 영역으로 상기 제 2 절연막과 기판을 제거하여, 상기 제 1 절연막 일부 하부와 상기 감지 전극 패턴 하부를 노출시키는 단계와;상기 기판을 뒤집어서, 상기 노출된 제 1 절연막과 감지 전극 패턴 상부에 감지물질을 도포하고 소결하는 단계를 포함하여 구성된 마이크로 가스 센서의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 감지물질은,SnO2, ZnO, WO3 중 어느 하나가 카본 나노 튜브(Carbon nano tube)와 혼합되어 형성된 감지물질인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 감지물질에,Pt 나노분말 또는 Pd 나노분말이 더 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 제 3 절연막은,두 개의 절연막이 적층된 이중 절연막인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 두 개의 절연막은,실리콘 산화막과 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 실리콘 질화막의 두께가 실리콘 산화막의 두께보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서의 제조 방법
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관통홀이 형성되어 있고, 일면에 전극 패드들이 형성되어 있고, 일면에 고정되어 상기 전극 패드들과 각각 전기적으로 연결되어 있는 리드들이 고정되어 있는 인쇄회로기판과; 관통홀이 형성되어 있는 제 1 절연막과; 상기 제 1 절연막 상부에 형성되어 있고, 상기 제 1 절연막의 관통홀을 노출시키는 관통홀이 형성되어 있는 기판과; 상기 기판 상부에 형성된 제 2 절연막과; 상기 기판의 관통홀에 노출되고, 상기 제 1 절연막의 관통홀 내부에 위치되는 감지 전극 패턴과; 상기 기판의 관통홀 내부에 위치되고, 상기 제 1 절연막 하부에 형성된 발열 전극 패턴과; 상기 감지 및 발열 전극 패턴과 각각 연결되어 있고, 상기 제 1 절연막 하부에 형성되어 있는 전극 패드들과; 상기 감지 전극 패턴의 하부 및 측면, 제 1 절연막의 하부 및 측면과, 발열 전극 패턴을 감싸며 형성되어 있고, 상기 전극 패드들 하부를 노출시키는 제 3 절연막과; 상기 기판의 관통홀에 노출된 상기 제 1 절연막과 감지 전극 패턴 상부에 형성된 감지물질막을 포함하여 구성되며, 상기 제 2 절연막 하부에 있는 기판의 관통홀이 상기 인쇄회로기판의 관통홀과 연통되도록, 상기 인쇄회로기판의 일면에 접착되어 있는 마이크로 가스 센서와, 상기 마이크로 가스 센서의 전극패드들과 상기 인쇄회로기판의 전극패드들을 전기적으로 본딩시키는 와이어를 포함하여 구성된 마이크로 가스 센서 패키지
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제 17 항에 있어서,상기 제 3 절연막은,두 개의 절연막이 적층된 이중 절연막이고,상기 두 개의 절연막은,실리콘 산화막과 실리콘 질화막이며,상기 실리콘 질화막의 두께가 실리콘 산화막의 두께보다 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서 패키지
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관통홀이 형성되어 있고, 일면에 전극 패드들이 형성되어 있고, 일면에 고정되어 상기 전극 패드들과 각각 전기적으로 연결되어 있는 리드들이 고정되어 있는 인쇄회로기판을 준비하는 단계와;관통홀이 형성되어 있는 제 1 절연막과; 상기 제 1 절연막 상부에 형성되어 있고, 상기 제 1 절연막의 관통홀을 노출시키는 관통홀이 형성되어 있는 기판과; 상기 기판 상부에 형성된 제 2 절연막과; 상기 기판의 관통홀에 노출되고, 상기 제 1 절연막의 관통홀 내부에 위치되는 감지 전극 패턴과; 상기 기판의 관통홀 내부에 위치되고, 상기 제 1 절연막 하부에 형성된 발열 전극 패턴과; 상기 감지 및 발열 전극 패턴과 각각 연결되어 있고, 상기 제 1 절연막 하부에 형성되어 있는 전극 패드들과; 상기 감지 전극 패턴의 하부 및 측면, 제 1 절연막의 하부 및 측면과, 발열 전극 패턴을 감싸며 형성되어 있고, 상기 전극 패드들 하부를 노출시키는 제 3 절연막과; 상기 기판의 관통홀에 노출된 상기 제 1 절연막과 감지 전극 패턴 상부에 형성된 감지물질막을 포함하여 구성된 마이크로 가스 센서를 준비하는 단계와;상기 인쇄회로기판의 관통홀이 마이크로 가스 센서의 상기 인쇄회로기판의 관통홀과 연통되도록, 상기 마이크로 가스 센서를 상기 인쇄회로기판의 일면에 접착하는 단계와;상기 마이크로 가스 센서의 전극패드들과 상기 인쇄회로기판의 전극패드들을 와이어 본딩하는 단계를 포함하여 구성된 마이크로 가스 센서 패키지 제조 방법
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제 19 항에 있어서,상기 감지물질은,SnO2, ZnO, WO3 중 어느 하나가 카본 나노 튜브(Carbon nano tube)와 혼합되어 형성된 감지물질인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서 패키지 제조 방법
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