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가스 센서 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015145329
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 기판과; 상기 기판 상부에 형성된 절연막과; 상기 절연막 상부에 형성된 감지 전극 및 히터 전극과; 상기 감지 전극 및 히터 전극을 감싸며, 상기 절연막 상부에 형성된 감지막과; 상기 감지막에 대응하는 상기 기판 영역에 형성되며, 상기 절연막 하부를 노출시키는 관통홀과; 상기 절연막에 접합되어 있고, 일측에서 타측으로 연결되어 있는 가스 유통 채널이 하부면에 형성되어 있고, 상기 가스 유통 채널에 연결되어 있는 제 1과 2 홈이 하부면에 형성되어 있고, 상기 제 1 홈 내부에 감지막이 위치되어 있는 커버용 기판과; 상기 제 2 홈에 대응되는 커버용 기판 상부면에 형성되어 있는 마이크로 펌프로 구성된다.따라서, 본 발명은 멤브레인(Membrane)을 형성하는 관통홀을 수직하게 형성함으로써 집적도를 향상시킬 수 있고, 마이크로 펌프를 구비하여 가스의 공급을 원활하게 하여 가스 감지 속도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.가스센서, 펌프, 수직, 관통홀, 멤브레인
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/00 (2006.01)
CPC G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01)
출원번호/일자 1020060060952 (2006.06.30)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0792165-0000 (2007.12.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박광범 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 박효덕 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 박준식 대한민국 경기도 군포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0472933-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0033497-27
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0359637-73
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0595072-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0595078-83
7 등록결정서
Decision to grant
2007.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0702467-65
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판과; 상기 기판 상부에 형성된 절연막과; 상기 절연막 상부에 형성된 감지 전극 및 히터 전극과; 상기 감지 전극 및 히터 전극을 감싸며, 상기 절연막 상부에 형성된 감지막과; 상기 감지막에 대응하는 상기 기판 영역에 형성되며, 상기 절연막 하부를 노출시키는 관통홀과; 상기 절연막에 접합되어 있고, 일측에서 타측으로 연결되어 있는 가스 유통 채널이 하부면에 형성되어 있고, 상기 가스 유통 채널에 연결되어 있는 제 1과 2 홈이 하부면에 형성되어 있고, 상기 제 1 홈 내부에 감지막이 위치되어 있는 커버용 기판과; 상기 제 2 홈에 대응되는 커버용 기판 상부면에 형성되어 있는 마이크로 펌프로 구성된 가스 센서
3 3
제 2 항에 있어서,상기 마이크로 펌프는,하부전극, 압전체와 상부전극이 순차적으로 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 가스 센서
4 4
제 2 항에 있어서,상기 관통홀은,상기 절연막에 수직한 측벽을 갖는 것을 특징으로 하는 가스 센서
5 5
제 2 항에 있어서,상기 감지막은,복수개인 것을 특징으로 하는 가스 센서
6 6
제 2 항에 있어서,상기 제 2 홈과 제 1 홈에 연결되어 있는 가스 유통 채널은,상기 제 2 홈 방향에서 상기 제 1 홈 방향으로 채널 폭이 점점 넓어지는 것을 특징으로 하는 가스 센서
7 7
제 2 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판이고, 상기 절연막은 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 적층시킨 구조로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 센서
8 8
기판 상부에 제 1 절연막과 제 2 절연막을 순차적으로 형성하는 단계와;상기 기판 상부에 감지 전극과 히터 전극으로 이루어진 단일 소자용 전극을 복수개 형성하는 단계와;상기 제 2 절연막 상부에 상기 단일 소자용 전극들을 각각 감싸는 복수개의 감지막을 형성하는 단계와;상기 복수개의 감지막 각각에 대응하는 개구가 형성된 마스크층을 상기 기판 하부에 형성하는 단계와;상기 마스크층으로 마스킹하여 상기 기판을 식각하여, 상기 제 1 절연막 하부가 노출되는 복수개의 관통홀을 상기 기판에 형성하는 단계와;상기 마스크층을 제거하는 단계와;접합되어 있고, 일측에서 타측으로 연결되어 있는 가스 유통 채널이 하부면에 형성되어 있고, 상기 가스 유통 채널에 연결되어 있는 제 1과 2 홈이 하부면에 형성되어 있고, 상기 제 2 홈에 대응되는 커버용 기판 상부면에 마이크로 펌프가 형성되어 있는 커버용 기판을 준비하는 단계와; 상기 복수개의 감지막이 상기 커버용 기판의 상기 제 1 홈 내부에 위치되도록, 상기 커버용 기판을 상기 제 2 절연막 상부에 접합시키는 단계로 이루어진 가스 센서의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
제 8 항에 있어서,상기 마이크로 펌프는,하부전극, 압전체와 상부전극이 순차적으로 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
11 11
제 8 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판이고, 상기 제 1 절연막은 실리콘 산화막이고, 상기 제 2 절연막은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 실리콘 기판을 식각하는 것은,반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching, RIE) 기술을 이용하여 상기 실리콘 기판의 배면을 상기 실리콘 산화막이 있는 곳까지 수직으로 식각하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
13 13
제 8 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 제 2 홈과 제 1 홈에 연결되어 있는 가스 유통 채널은,상기 제 2 홈 방향에서 상기 제 1 홈 방향으로 채널 폭이 점점 넓어지는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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