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제1형불순물 반도체 기판상에 형성되어, 빛을 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 NMOS; 및제2형불순물로 도핑된 웰(well)을 포함하고, 상기 NMOS로부터 받은 신호를 출력하기 위한 PMOS를 포함하는 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀
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제 1 항에 있어서,상기 NMOS는 게이트와 바디를 플로팅시킨 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀
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제 2 항에 있어서,상기 NMOS는 그라운드와 연결하기 위하여 바디와 동일한 불순물형으로 형성된 그라운드 연결부를 더 포함하는 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀
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제 3 항에 있어서,상기 그라운드 연결부의 불순물 농도는 바디의 불순물 농도보다 고농도인 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀
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5
제 1 항에 있어서,상기 PMOS의 게이트는 외부로부터 선택신호를 인가받는 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀
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제 5 항에 있어서,상기 PMOS는 전원전압과 연결하기 위하여 웰과 동일한 불순물형으로 형성된 전원전압 연결부를 더 포함하는 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀
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7
제 6 항에 있어서,상기 전원전압 연결부의 불순물 농도는 웰의 불순물 농도보다 고농도인 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀
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8
제 1 항에 있어서,상기 제1형불순물은 P형인 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀
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제 1 항에 있어서,상기 제2형불순물은 N형인 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀
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제1 불순물형 반도체 기판상에 형성되어, 빛을 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 NMOS; 및제2형불순물로 도핑된 웰(well)을 포함하고, 상기 NMOS로부터 받은 신호를 출력하기 위한 PMOS를 포함하며,상기 NMOS는 컬러 이미지를 구현하기 위하여 상부에 컬러 필터가 형성된 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀
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제 10 항에 있어서, 상기 컬러 필터는, 청색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 적색 컬러 필터 중 적어도 어느 하나인 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀
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12
제1 불순물형 반도체 기판상에 형성되어, 녹색, 청색 및 적색의 빛을 각각 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 복수의 NMOS; 및제2형불순물로 도핑된 웰(well)을 포함하고, 상기 각각의 NMOS로부터 받은 신호를 각각 출력하기 위한 복수의 PMOS를 포함하며,상기 각각의 NMOS는 게이트 전극의 두께가 다른 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀
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제 12항에 있어서,상기 게이트 전극의 두께는 녹색 빛을 수광하기 위한 NMOS의 게이트 전극의 두께를 청색 빛을 수광하기 위한 NMOS의 게이트 전극의 두께보다는 두껍게 적색 빛을 수광하기 위한 NMOS의 게이트 전극의 두께보다는 얇게 형성하는 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀
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제 13 항에 있어서,상기 녹색 빛을 수광하기 위한 NMOS의 게이트 전극의 두께는 0
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제 13 항에 있어서,상기 청색 빛을 수광하기 위한 NMOS의 게이트 전극의 두께는 0
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제 13 항에 있어서,상기 적색 빛을 수광하기 위한 NMOS의 게이트 전극의 두께는 4
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