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1
낮은 일함수의 금속인 Sr로 형성된 8
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2
낮은 일함수의 금속인 Ca로 형성된 8nm 내지 12nm 두께의 투과층과, 상기 투과층 바로 위에 연접하며 Ag로 형성된 8nm 내지 12nm 두께의 보강층으로 구성되어 전 동작파장 대역에서 70% 이상의 투과도를 유지하는 음극층
을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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3
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 투과층과 상기 보강층의 접면에 형성되는 상기 투과층 또는 상기 보강층의 산화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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4
제3항에 있어서, 상기 보강층 위에 SiO2, Ta2O5, SiON, Si3N4, Al2O3, Polyimide, Parylene 중 하나로 이루어지는 코팅막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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5
제3항에 있어서, 상기 보강층 위에 LiF, MgF2, CsCl, 실리콘 수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지 중 하나로 이루어지는 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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6
기판, 상기 기판상에 형성되는 양극층, 상기 양극층 위에 형성되는 발광 유기층 및 상기 발광 유기층 위에 형성되는 음극층을 포함하는 유기 발광 다이오드로서,
상기 양극층은 Ca, Mg, Ba, Sr, Y를 포함하는 그룹에서 선택된 물질로 상기 기판상에 형성되는 제1 투과층과, Ag 및Al 중 하나로 상기 제1 투과층에 연접하여 바로 위에 형성되는 제1 보강층으로 이루어지고,
상기 음극층은 Sr로 형성된 8
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7
제6항에 있어서, 상기 제1 투과층 및 제1 보강층의 접면에 상기 제1 투과층의 표면이 산화되어 형성된 산화막 또는 상기 제1 보강층의 표면이 산화되어 형성된 산화막을 더 포함하는 유기 발광 다이오드
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8
제6항에 있어서, 제2 투과층 및 제2 보강층의 접면에 상기 제2 투과층의 표면이 산화되어 형성된 산화막 또는 상기 제2 보강층의 표면이 산화되어 형성된 산화막을 더 포함하는 유기 발광 다이오드
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9
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 보강층 위에 LiF, MgF2, CsCl, 실리콘 수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지 중 하나로 이루어지는 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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10
유기 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서,
기판을 준비하는 단계와,
상기 기판상에 양극층을 형성하는 단계와,
상기 양극층상에 발광 유기물층을 형성하는 단계와,
8
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11
제10항에 있어서,
SiO2, Ta2O5, SiON, Si3N4, Al2O3, Polyimide, Parylene 중 하나로 이루어지는 투명 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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