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가스센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015145457
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 소자의 소형화 및 공정의 간소화를 위하여 센서부 주위에 식각용 제 1홀을 형성하고 홀 내부로 식각가스를 주입하여 기판 전면으로부터 등방성 식각을 함으로써 센서부의 하부에 제 2홀을 형성하는 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 가스센서 및 그 제조방법은 복수의 홈이 형성된 기판; 상기 기판 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 형성된 센서부와 전극 패드; 상기 센서부 주위의 상기 절연층이 제거되어 형성된 식각용 제 1홀; 및 상기 센서부 하부에 열적 고립을 위해 식각용 제 1홀에 의해 형성된 제 2홀을 포함함에 기술적 특징이 있다. 가스센서, 전면식각, 식각 홀, XeF2
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/14 (2006.01)
CPC G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01)
출원번호/일자 1020080033491 (2008.04.11)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0108194 (2009.10.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.11)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍성민 대한민국 경기 용인시 수지구
2 황학인 대한민국 서울 성북구
3 이대성 대한민국 경기 용인시 기흥구
4 이경일 대한민국 경기 과천시
5 정석원 대한민국 경기 오산시
6 이국녕 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)
3 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0258335-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.01.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2009-0009337-03
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0247197-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0092162-41
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0194108-55
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 홈이 형성된 기판; 상기 기판 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 형성된 센서부와 전극 패드; 상기 센서부 주위의 상기 절연층이 제거되어 형성된 식각용 제 1홀; 및 상기 센서부 하부에 열적 고립을 위해 식각용 제 1홀에 의해 형성된 제 2홀 을 포함하는 가스센서
2 2
제 1항에 있어서, 상기 절연층은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막 중 어느 하나 이상으로 이루어진 가스센서
3 3
제 1항에 있어서, 상기 홈은 1㎛ 내지 3㎛의 깊이인 가스센서
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제 2홀은 50㎛ 내지 100㎛의 깊이인 가스센서
5 5
기판 상부에 홈을 형성하는 단계; 상기 기판 전면에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 센서부와 전극 패드를 형성하는 단계; 상기 센서부와 절연층의 표면에 감광막을 코팅하고 패터닝한 후, 상기 센서부 주위에 복수의 식각용 제 1홀을 형성하는 단계; 및 상기 식각용 제 1홀을 통해 가스를 주입하여 상기 센서부 하부에 기판을 식각하여 제 2홀을 형성하는 단계 를 포함하는 가스센서의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 홈은 1㎛ 내지 3㎛의 깊이인 가스센서의 제조방법
7 7
제 5항에 있어서, 상기 제 2홀은 50㎛ 내지 100㎛의 깊이인 가스센서의 제조방법
8 8
제 5항에 있어서, 상기 가스는 XeF2인 가스센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 전자부품연구원 정보통신선도기반기술개발사업 초소형 광학식 환경센서 모듈 요소기술 개발