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기판;
상기 기판 하부에 형성되는 제1DBR층;
상기 기판 상부에 형성되며 요부와 철부를 가지는 제1반도체층;
상기 제1반도체층의 요부에 형성되는 제1전극층;
상기 제1반도체층의 철부 중 제1전극층 사이의 영역에 형성되어 발광영역을 정의하는 제1반사전극층;
상기 제1반도체층의 철부 중 제1전극층과 제1반사전극층이 존재하지 않는 영역에 형성되는 제2DBR층;
상기 제2DBR층 상부에 형성되며 요부와 철부를 갖는 제2반도체층;
상기 제2반도체층의 요부에 형성되는 제2전극층; 및
상기 제2반도체층의 철부에 형성되어 수광영역을 정의하는 제2반사층을 포함하되, 상기 제1반도체층은
기판 상부에 형성되며 제1전극층이 형성되는 요부와 그 밖의 철부를 가지는 제1N형반도체층, 상기 제1N형반도체층의 철부에 형성되는 제1활성층 및 상기 제1활성층 상부에 형성되는 제1P형반도체층을 포함하는 수발광 일체형 소자
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제2항에 있어서,
상기 제2반도체층은 제2DBR층 상부에 형성되며 제2전극층이 형성되는 요부와 그 밖의 철부를 갖는 제2N형반도체층, 상기 제2N형반도체층의 상부 중 철부에 형성되는 제2활성층 및 상기 제2활성층 상부에 형성되는 제2P형반도체층을 포함하는 수발광 일체형 소자
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제2항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1전극층, 제2전극층, 제1반사전극층 및 제2반사전극층과 각각 연결되는 금속콘택층과 금속콘택층 사이를 메우는 절연층을 더 포함하는 수발광 일체형 소자
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제2항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1DBR층은 TiO2, SiO2, Nb2O5, ZrO2, ZnO2 또는 Al2O3를 포함하는 수발광 일체형 소자
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제2항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2DBR층은 GaAs, AlGaAs, InGaAs, InP, GaN, AlGaN 또는 InGaN을 포함하는 수발광 일체형 소자
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제2항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1전극층, 제2전극층, 제1반사전극층 및 제2반사전극층은 Au, Ag, Al, Pt, Cu, Ni, Mo, W, Pd 또는 이들의 합금을 포함하는 수발광 일체형 소자
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제2항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1반도체층 또는 제2반도체층의 상부, 하부 또는 그 내부에 상매칭층을 더 포함하는 수발광 일체형 소자
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