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식각 정지층, DBR층, P형 반도체층, 활성층, N형 반도체층을 포함하는 발광 다이오드;
상기 발광 다이오드 하부에 형성되고, 일부가 식각된 기판;
상기 기판의 식각된 부분에 형성되고, 상기 발광 다이오드에서 생성되는 열을 방출하기 위한 열 방출 금속부;
상기 열 방출 금속부를 포함하는 상기 기판 하부에 형성된 제1 전극층과 상기 발광 다이오드 상부에 형성된 제2 전극층; 및
상기 제1 전극층 하부에 형성되고, 상부에 금속 접촉층이 형성된 서브마운트
를 포함하는 고효율 열방출 공진 발광 다이오드 패키지
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제 1항에 있어서,
상기 식각 정지층은 실리콘 산화물, 비정질 실리콘, 폴리 실리콘 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나로 이루어지는 고효율 열방출 공진 발광 다이오드 패키지
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제 1항에 있어서,
상기 열 방출 금속부는 Au, Ag, Al, Pt, Cu, Ti, Ni, Mo, W, Pd 또는 이들의 합금으로 이루어진 고효율 열방출 공진 발광 다이오드 패키지
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기판 상부에 식각 정지층, DBR층, P형 반도체층, 활성층, N형 반도체층을 포함하는 발광 다이오드를 형성하는 단계;
상기 기판의 일부를 식각하는 단계;
상기 기판의 식각된 부분에 상기 발광 다이오드에서 생성되는 열을 방출하기 위한 열 방출 금속부를 플레이팅 방법으로 형성하는 단계;
상기 열 방출 금속부를 포함하는 상기 기판의 하부에 제1 전극층을 형성하는 단계;
상기 발광 다이오드 상부에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 발광 다이오드, 열 방출 금속부를 포함한 기판, 제1 전극층, 제2 전극층으로 이루어진 구조물을 금속 접촉층이 형성된 서브마운트에 본딩시키는 단계
를 포함하는 고효율 열방출 공진 발광 다이오드 패키지의 제조방법
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기판 상부에 식각 정지층, DBR층, P형 반도체층, 활성층, N형 반도체층을 포함하는 발광 다이오드를 형성하는 단계;
상기 발광 다이오드에 의한 열적 저항이 많이 걸리는 상기 기판의 전부를 식각하는 단계;;
상기 발광 다이오드의 하부에 제1 전극층을 형성하는 단계;
상기 발광 다이오드의 상부에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 발광 다이오드, 제1 전극층, 제2 전극층으로 이루어진 구조물을 금속 접촉층이 형성된 서브마운트에 본딩시키는 단계
를 포함하는 고효율 열방출 공진 발광 다이오드 패키지의 제조방법
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제 4항 또는 제 5항에 있어서,
상기 발광 다이오드를 형성하는 단계는,
상기 식각 정지층을 실리콘 산화물, 비정질 실리콘, 폴리 실리콘 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나로 형성하는 단계를 포함하는 고효율 열방출 공진 발광 다이오드 패키지의 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 열 방출 금속부를 형성하는 단계는,
열 방출 금속부를 Au, Ag, Al, Pt, Cu, Ti, Ni, Mo, W, Pd 또는 이들의 합금으로 형성하는 것인 고효율 열방출 공진 발광 다이오드 패키지의 제조방법
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