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PDLC를 이용한 박막 트랜지스터 어레이 센서

  • 기술번호 : KST2015145569
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자 분산형 액정층(Polymer Dispersed Liquid Crystal, PDLC)을 이용한 박막 트랜지스터 어레이 센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유리기판의 상부면보다 일정 폭만큼 돌출되어 상기 유리기판의 가장자리부에 형성된 스페이서를 통하여 균일한 두께를 가지는 고분자 분산형 액정층을 가져 기존 센서 구조에 비해서 간단하고, 제조비용이 저렴한 박막 트랜지스터 어레이 센서에 관한 것이다. 박막 트랜지스터, 고분자 분산형 액정층
Int. CL H04N 5/335 (2011.01) G02F 1/133 (2006.01)
CPC G02F 1/1334(2013.01) G02F 1/1334(2013.01) G02F 1/1334(2013.01) G02F 1/1334(2013.01) G02F 1/1334(2013.01)
출원번호/일자 1020090102623 (2009.10.28)
출원인 전자부품연구원, 주식회사 영우디에스피
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0045882 (2011.05.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 주식회사 영우디에스피 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽민기 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이찬재 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0660052-80
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0730465-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0045919-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0117266-56
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0318881-83
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0318889-47
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0673977-96
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2011.12.15 수리 (Accepted) 7-1-2011-0048954-02
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125577-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유리기판; 상기 유리기판의 4개의 측면에는 전극이 형성되고, 상기 측면에 형성된 전극으로부터 연장되고, 유리기판의 상부면보다 일정 폭만큼 돌출되어 상기 유리기판의 가장자리부에 형성된 스페이서; 상기 유리기판 상에 형성된 투명전극층; 상기 투명전극층 상에 형성된 폴리머 분산형 액정층; 및 상기 폴리머 분산형 액정층 상에 형성되는 코팅층을 포함하며, 상기 폴리머 분산형 액정층은 상기 스페이서에 의해 균일한 층으로 형성될 수 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 센서
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 폴리머 분산형 액정층과 코팅층 사이에 형성되는 Ag층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 센서
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 전극 및 스페이서는 고온소성용 Ag 페이스트로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 센서
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 스페이서의 두께는 5~30㎛ 인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 센서
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 코팅층은 PET 필름으로 형성되고, 그 두께는 2~25㎛ 인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 센서
6 6
제 1항에 있어서, 상기 폴리머 분산형 액정층은 MLC-2132 액정과 Norland optical adhesive polymer를 50:50으로 혼합하여 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 부품소재 기술 지원 사업 LCD용 TFT Array 기판의 불량검출을 위한 EO 센서 제작 기술 지원