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전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극에 있어서,
기판;
상기 기판 상에 형성되는 금속 접착층;
상기 금속 접착층의 상면에 탄소나노튜브 잉크를 도포하여 형성한 탄소나노튜브 잉크층;을 포함하며,
상기 탄소나노튜브 잉크층이 형성된 면이 아래를 향하도록 상기 기판을 뒤집은 상태에서 상기 기판의 탄소나노튜브 잉크층이 형성된 면으로 레이저를 조사하여 상기 탄소나노튜브 잉크층, 상기 금속 접착층 및 상기 기판을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극
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제1항에 있어서, 상기 금속 접착층은
융용점이 450도 이상의 금속을 이용하여 형성함을 특징으로 하는 전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극
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제1항에 있어서, 상기 금속 접착층은
W, Cr, Al, Pd, Ti, Mn, Zr, Mo, 및 Ta 중 선택된 어느 하나를 이용하여 형성함을 특징으로 하는 전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극
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제1항에 있어서, 상기 금속 접착층은
산화물 중 도전성을 가지는 재료를 이용하여 형성함을 특징으로 하는 전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극
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제1항에 있어서, 상기 금속 접착층은
Al-doped ZnO을 이용하여 형성함을 특징으로 하는 전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 잉크는
탄소나노튜브 잉크는 50cps 미만의 점도를 가지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 잉크의 탄소나노튜브는 0
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제1항에 있어서, 상기 레이저는
상기 레이저의 소스로 UV, IR, 이산화탄소(CO2), 및 엑시머(eximer) 레이저 중 선택된 어느 하나를 이용함을 특징으로 하는 전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극
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전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극의 제조 방법에 있어서,
기판을 마련하는 과정과,
상기 기판 상에 형성되는 금속 접착층을 형성하는 과정과,
상기 금속 접착층 상에 미리 마련한 탄소나노튜브 잉크를 도포하여 탄소나노튜브 잉크층을 형성하는 과정과,
탄소나노튜브 잉크층, 상기 금속 접착층 및 상기 기판을 레이저로 패터닝하여 캐소드 전극을 형성하는 과정을 포함하며,
상기 캐소드 전극을 형성하는 과정은,
상기 탄소나노튜브 잉크층이 형성된 면이 아래를 향하도록 상기 기판을 뒤집은 상태에서 상기 기판의 탄소나노튜브 잉크층이 형성된 면으로 레이저를 조사하여 상기 탄소나노튜브 잉크층, 상기 금속 접착층 및 상기 기판을 패터닝하여 캐소드 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 금속 접착층을 형성하는 과정은
융용점이 450도 이상의 금속을 이용하여 형성함을 특징으로 하는 전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 금속 접착층을 형성하는 과정은
W, Cr, Al, Pd, Ti, Mn, Zr, Mo, 및 Ta 중 선택된 어느 하나를 이용하여 형성함을 특징으로 하는 전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 금속 접착층을 형성하는 과정은
산화물 중 도전성을 가지는 재료를 이용하여 형성함을 특징으로 하는 전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 금속 접착층을 형성하는 과정은
Al-doped ZnO을 이용하여 형성함을 특징으로 하는 전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 잉크는
탄소나노튜브 잉크는 50cps 미만의 점도를 가지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 잉크의 탄소나노튜브는 0
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제9항에 있어서, 상기 레이저는
상기 레이저의 소스로 UV, IR, 이산화탄소(CO2), 및 엑시머(eximer) 레이저 중 선택된 어느 하나를 이용함을 특징으로 하는 전계 방출 장치에서 탄소나노튜브를 가지는 캐소드 전극의 제조 방법
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