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K2CO3, Na2CO3, Nb2O5의 원료 분말을 이용하여 세라믹 표적을 생성하는 단계;생성한 상기 세라믹 표적을 스퍼터링 챔버에 장착한 후 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 단계;형성된 상기 박막을 설정된 산소 압력하에서 후열처리를 수행하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 압전 세라믹 박막 제조 방법
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제 1항에 있어서, 생성된 상기 세라믹 표적은, (K0
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제 2항에 있어서, 상기 세라믹 표적을 생성하는 단계는,상기 원료 분말들을 혼합하고, 볼 밀링과 건조 공정을 수행하는 단계;건조 공정 후 열처리 공정을 수행하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 압전 세라믹 박막 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 열처리 공정은,650℃의 온도에서 2시간 동안 수행함을 특징으로 하는 압전 세라믹 박막 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 박막을 형성하는 단계는,박막 증착을 위해 Pt, Ti, SiO2, Si 중 적어도 하나로 형성된 기판을 사용하며, 상기 기판의 온도는 600℃임을 특징으로 하는 압전 세라믹 박막 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 후열 처리를 수행하는 단계는,740 Torr 산소 압력 하에서 600 내지 800℃의 온도에서 30 내지 180분 동안 수행함을 특징으로 하는 압전 세라믹 박막 제조 방법
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K2CO3, Na2CO3, Nb2O5의 원료 분말을 이용하여 (K0
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(K0
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