맞춤기술찾기

이전대상기술

압전 세라믹 박막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015145590
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로 액추에이터용 무연계 압전 세라믹 박막 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 높은 전기 기계결합계수와 높은 압전상수 및 소결온도를 갖는 마이크로 액추에이터용 무연계 압전 세라믹 박막 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명의 압전 세라믹 박막 제조 방법은 K2CO3, Na2CO3, Nb2O5의 원료 분말을 이용하여 세라믹 표적을 생성하는 단계, 생성한 상기 세라믹 표적을 스퍼터링 챔버에 장착한 후 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 단계, 형성된 상기 박막을 설정된 산소 압력하에서 후열처리를 수행하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 41/04 (2006.01)
CPC H01L 41/314(2013.01) H01L 41/314(2013.01) H01L 41/314(2013.01) H01L 41/314(2013.01)
출원번호/일자 1020100023270 (2010.03.16)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0104244 (2011.09.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.16)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 양우석 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 황학인 대한민국 서울특별시 성북구
3 장세홍 대한민국 서울특별시 서초구
4 한승호 대한민국 경기도 성남시 중원구
5 이형규 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 다래 대한민국 서울 강남구 테헤란로 ***, **층(역삼동, 한독타워)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0165910-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0027121-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0346929-23
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0641649-95
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0641648-49
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0696662-03
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
K2CO3, Na2CO3, Nb2O5의 원료 분말을 이용하여 세라믹 표적을 생성하는 단계;생성한 상기 세라믹 표적을 스퍼터링 챔버에 장착한 후 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 단계;형성된 상기 박막을 설정된 산소 압력하에서 후열처리를 수행하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 압전 세라믹 박막 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 생성된 상기 세라믹 표적은, (K0
3 3
제 2항에 있어서, 상기 세라믹 표적을 생성하는 단계는,상기 원료 분말들을 혼합하고, 볼 밀링과 건조 공정을 수행하는 단계;건조 공정 후 열처리 공정을 수행하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 압전 세라믹 박막 제조 방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 열처리 공정은,650℃의 온도에서 2시간 동안 수행함을 특징으로 하는 압전 세라믹 박막 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 박막을 형성하는 단계는,박막 증착을 위해 Pt, Ti, SiO2, Si 중 적어도 하나로 형성된 기판을 사용하며, 상기 기판의 온도는 600℃임을 특징으로 하는 압전 세라믹 박막 제조 방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 후열 처리를 수행하는 단계는,740 Torr 산소 압력 하에서 600 내지 800℃의 온도에서 30 내지 180분 동안 수행함을 특징으로 하는 압전 세라믹 박막 제조 방법
7 7
K2CO3, Na2CO3, Nb2O5의 원료 분말을 이용하여 (K0
8 8
(K0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국세라믹기술원 부품소재산업경쟁력향상사업 극막 다층에 의한 고효율/저전력 액추에이터 세라믹스 소재 기술