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전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법 및 그 조성물
- 기술번호 : KST2015145610
- 담당센터 : 경기기술혁신센터
- 전화번호 : 031-8006-1570
| 요약 | 본 발명은 탄소나노튜브 전도성 박막에 티타늄 알콕사이드(titanium alkoxide) 와 마그네슘 알콕사이드(magnesium alkoxide)를 가지는 용액과 반응개시 용액을 이용하여 후처리 공정을 진행함으로써 탄소나노튜브 전도성막의 물성을 크게 개선시키는 방법 및 이 방법으로 인해 형성된 조성물에 관한 것이다. 이 방법은 다양한 방법으로 형성된 탄소나노튜브 전도성막에 titanium alkoxide와 magnesium alkoxide로 구성된 후처리 용액을 처리하여, titanium alkoxide와 magnesium alkoxide의 분해 및 물리적, 화학적 결합 반응을 유도하여 탄소나노튜브 전도성막의 기계적, 전기적 특성을 효율적으로 향상시키기 때문에 탄소나노튜브가 적용되는 다양한 부품/제품 분야에 활용할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01B 1/24 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01) H01B 1/04 (2006.01) |
| CPC | H01B 1/24(2013.01) H01B 1/24(2013.01) H01B 1/24(2013.01) H01B 1/24(2013.01) H01B 1/24(2013.01) H01B 1/24(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020100031673 (2010.04.07) |
| 출원인 | 전자부품연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-1154867-0000 (2012.06.04) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0112525 (2011.10.13) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120618) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.04.07) |
| 심사청구항수 | 23 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자기술연구원 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한종훈 | 대한민국 | 경기도 고양시 일산구 |
| 2 | 신권우 | 대한민국 | 경기도 화성시 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박종한 | 대한민국 | 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자기술연구원 | 경기도 성남시 분당구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.04.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0220494-62 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.07.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.08.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0065700-24 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.10.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0620489-96 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.12.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-1026009-15 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.12.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-1026010-51 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.05.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0299950-25 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0013766-37 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.08.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5189497-57 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 형성된 탄소나노튜브 전도성막; 및 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)과 적어도 하나의 마그네슘 알콕시화물(magnesium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 형성되며 탄소나노튜브, 티타늄(titanium) 및 마그네슘(magnesium)의 화합물로 이루어지며 0 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 상기 화합물막은 티타늄(titanium)과 마그네슘(magnesium)의 수화물 및 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물 |
| 3 |
3 제1항에 있어서, 상기 후처리 용액의 조성물은 금속(metal)-산소원자-유기치환기(R)의 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물 |
| 4 |
4 제3항에 있어서, 상기 금속은 티타늄 및 마그세슘이며, 상기 유기치환기의 형태에 따라 metal methoxide, metal ethoxide, metal propoxide, metal isopropoxide, metal butoxide, 및 metal pentoxide 중 적어도 하나의 금속 알콕사이드(metal alkoxide)가 되는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물 |
| 5 |
5 제1항에 있어서, 상기 티타늄 알콕시화물 및 상기 마그네슘 알콕시화물의 농도는 0 wt% 초과 50 wt% 이하인 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물 |
| 6 |
6 삭제 |
| 7 |
7 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 형성된 탄소나노튜브 전도성막;상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)과 적어도 하나의 마그네슘 알콕시화물(magnesium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 형성되며 탄소나노튜브, 티타늄(titanium) 및 마그네슘(magnesium)의 화합물로 이루어진 화합물막; 및 상기 화합물막 상에 형성되며 고분자로 이루어진 고분자막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물 |
| 8 |
8 제1항에 있어서, 상기 기판은 유리, 석영(quartz), 글라스 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 투명 및 불투명 플라스틱 기판, 투명 및 불투명 고분자 필름 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물 |
| 9 |
9 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 형성된 탄소나노튜브 전도성막; 및 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)과 적어도 하나의 마그네슘 알콕시화물(magnesium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 형성되며 탄소나노튜브, 티타늄(titanium) 및 마그네슘(magnesium)의 화합물로 이루어진 화합물막을 포함하고,상기 전도성막은, 단일벽 탄소나노튜브, 기능화된 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 기능화된 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 기능화된 다중벽 탄소나노튜브 중 적어도 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 의해 형성된 조성물 |
| 10 |
10 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 있어서, 기판을 마련하는 과정과, 상기 기판 상에 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 전도성막을 형성하는 과정과, 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)과 적어도 하나의 마그네슘 알콕시화물(magnesium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 탄소나노튜브, 티타늄(titanium) 및 마그네슘(magnesium)을 포함하는 화합물로 이루어지며 0 |
| 11 |
11 제10항에 있어서, 상기 화합물막은 티타늄(titanium)과 마그네슘(magnesium) 수화물 및 산화물로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법 |
| 12 |
12 제10항에 있어서, 상기 후처리 용액의 조성물은 금속(metal)-산소원자-유기치환기(R)의 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법 |
| 13 |
13 제10항에 있어서, 상기 티타늄 알콕시화물은 alkoxide 작용기 종류에 따라 titanium methoxide, titanium ethoxide, titanium propoxide, titanium isopropoxide, titanium butoxide 및 titanium pentoxide 중 적어도 어느 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법 |
| 14 |
14 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 있어서, 기판을 마련하는 과정과, 상기 기판 상에 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 전도성막을 형성하는 과정과, 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)과 적어도 하나의 마그네슘 알콕시화물(magnesium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 탄소나노튜브, 티타늄(titanium) 및 마그네슘(magnesium)을 포함하는 화합물로 이루어진 화합물막을 형성하는 과정을 포함하며,상기 마그네슘 알콕시화물은 magnesium methoxide, magnesium ethoxide, magnesium propoxide, magnesium isopropoxide, magnesium butoxide 및 magnesium pentoxide 중 적어도 어느 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법 |
| 15 |
15 제10항에 있어서, 상기 티타늄 알콕시화물 및 상기 마그네슘 알콕시화물의 농도는 0 wt% 초과 50 wt% 이하인 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법 |
| 16 |
16 제10항에 있어서, 상기 반응개시 용액은 후처리 코팅 조성물과 반응할 수 있는 것으로 물 |
| 17 |
17 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 있어서, 기판을 마련하는 과정과, 상기 기판 상에 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 전도성막을 형성하는 과정과, 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)과 적어도 하나의 마그네슘 알콕시화물(magnesium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 탄소나노튜브, 티타늄(titanium) 및 마그네슘(magnesium)을 포함하는 화합물로 이루어진 화합물막을 형성하는 과정을 포함하며,상기 화합물막을 형성하는 과정은 상기 전도성막 상에 상기 후처리 용액을 딥(dip) 코팅, 스프레이(spray) 코팅, 스핀(spin) 코팅, 솔루션 캐스팅(solution casting), 도롭핑(dropping), 롤(roll) 코팅, 그라비아 코팅, 바코팅(bar coating) 중 어느 하나의 방법으로 코팅하고, 그 이후에 반응개시 용액을 딥(dip) 코팅, 스프레이(spray) 코팅, 스핀(spin) 코팅, 솔루션 캐스팅(solution casting), 도롭핑(dropping), 롤(roll) 코팅, 그라비아 코팅, 바코팅(bar coating) 중 어느 하나의 방법으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법 |
| 18 |
18 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 있어서, 기판을 마련하는 과정과, 상기 기판 상에 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 전도성막을 형성하는 과정과, 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)과 적어도 하나의 마그네슘 알콕시화물(magnesium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 탄소나노튜브, 티타늄(titanium) 및 마그네슘(magnesium)을 포함하는 화합물로 이루어진 화합물막을 형성하는 과정과,상기 화합물막 상에 고분자 물질을 이용하여 고분자막을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법 |
| 19 |
19 제18항에 있어서, 상기 고분자막을 형성하는 과정은 상기 화합물막 상에 딥(dip) 코팅, 스프레이(spray) 코팅, 스핀(spin) 코팅, 솔루션 캐스팅(solution casting), 도롭핑(dropping), 롤(roll) 코팅, 그라비아 코팅, 바코팅(bar coating) 중 적어도 하나의 방법으로 단일 또는 서로 다른 종류의 고분자 물질을 코팅하는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법 |
| 20 |
20 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 있어서, 기판을 마련하는 과정과, 상기 기판 상에 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 전도성막을 형성하는 과정과, 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)과 적어도 하나의 마그네슘 알콕시화물(magnesium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 탄소나노튜브, 티타늄(titanium) 및 마그네슘(magnesium)을 포함하는 화합물로 이루어진 화합물막을 형성하는 과정을 포함하며,상기 마련하는 과정 후, 상기 전도성막을 형성하는 과정 전, 상기 기판에 피라나(Piranha) 용액 처리, 산 처리, 염기 처리, 플라즈마 처리, 상압 플라즈마처리, 오존 처리, UV 처리, SAM(self assembled monolayer) 처리, 및 고분자 또는 단분자 코팅 방법 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 표면 처리를 수행하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법 |
| 21 |
21 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법에 있어서, 기판을 마련하는 과정과, 상기 기판 상에 탄소나노튜브 분산 용액을 이용하여 전도성막을 형성하는 과정과, 상기 전도성막 상에 적어도 하나의 티타늄 알콕시화물(titanium alkoxide)과 적어도 하나의 마그네슘 알콕시화물(magnesium alkoxide)을 포함하는 후처리 용액 및 반응개시 용액을 이용하여 탄소나노튜브, 티타늄(titanium) 및 마그네슘(magnesium)을 포함하는 화합물로 이루어진 화합물막을 형성하는 과정을 포함하며,상기 탄소나노튜브 분산 용액은 수용액계 계면 활성제 및 유기 용매를 사용하여 생성하는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법 |
| 22 |
22 제21항에 있어서, 상기 수용액계 계면 활성제는 SDBS, SDS, LDS, CTAB, DTAB, PVP, Triton X-series, Brij-series, Tween-series, poly(acrylic acid), 및 polyvinyl alcohol 중 적어도 어느 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법 |
| 23 |
23 제21항에 있어서, 상기 유기 용매는 NMP, DMF, DCE, 및 THF 중 적어도 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법 |
| 24 |
24 제10항에 있어서, 상기 전도성막을 형성하는 과정은 상기 기판 상에 상기 탄소나노튜브 분산 용액을 딥(dip) 코팅, 스프레이(spray) 코팅, 스핀(spin) 코팅, 솔루션 캐스팅(solution casting), 도롭핑(dropping), 롤(roll) 코팅, 그라비아 코팅 등의 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 코팅하는 것을 특징으로 하는 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 전자부품연구원 | 전략기술개발사업 | 고전기열전도성 CNT-고분자 복합재 기반기술 개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1154867-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20100407 출원 번호 : 1020100031673 공고 연월일 : 20120618 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120523 청구범위의 항수 : 23 유별 : H01B 1/04 발명의 명칭 : 전기 열 전도성 탄소나노튜브 박막 후처리 공정 방법 및 그 조성물 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 471,000 원 | 2012년 06월 04일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 382,200 원 | 2015년 01월 09일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 382,200 원 | 2015년 12월 24일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 382,200 원 | 2017년 05월 12일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 487,000 원 | 2018년 04월 06일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 487,000 원 | 2019년 03월 13일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 487,000 원 | 2020년 05월 04일 | 납입 |
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.04.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0220494-62 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.07.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2011.08.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0065700-24 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2011.10.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0620489-96 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.12.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-1026009-15 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.12.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-1026010-51 |
| 7 | 등록결정서 | 2012.05.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0299950-25 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0013766-37 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.08.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5189497-57 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415097160 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10031734 |
| 연구과제명 | 고전기/열전도성CNT-고분자복합재기반기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 전자부품연구원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200812~201309 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1415107662 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10031734 |
| 연구과제명 | 고전기/열전도성 CNT-고분자 복합재 기반기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 전자부품연구원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200812~201309 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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