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베이스 기판;상기 베이스 기판 위에 형성된 질화물계의 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성되며, 굴절율이 주기적으로 변하는 알루미늄을 함유하는 복수의 질화물층을 포함하고, 상기 복수의 질화물층 중 적어도 연속되는 두 개의 질화물층이 노출되는 전극 형성부를 갖는 도핑 보강층;적어도 상기 도핑 보강층의 전극 형성부가 노출되게 상기 도핑 보강층 위에 형성된 알루미늄을 함유하는 질화물계의 p형 반도체층;상기 p형 반도체층 위에 형성된 알루미늄을 함유하는 질화물계의 활성층;상기 활성층 위에 형성된 알루미늄을 함유하는 질화물계의 n형 반도체층;상기 전극 형성부 위에 형성된 p형 전극;상기 n형 반도체층 위에 형성된 n형 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 도핑 보강층은,상기 p형 반도체층의 알루미늄 조성비 보다는 낮은 알루미늄 조성비를 갖는 질화물층을 포함하며, 상기 전극 형성부에 상기 질화물층이 노출되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 도핑 보강층은,p형으로 도핑된 제1 질화물층;상기 p형 질화물층 위에 형성되는 p형으로 도핑된 제2 질화물층;을 포함하며,상기 제1 및 제2 질화물층이 교대로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제3항에 있어서,상기 제1 질화물층은 p형으로 도핑된 AlxGayIn1-x-yN(0003c#x, 0003c#y, x+y≤1)의 소재로 형성되고, 상기 제2 질화물층은 p형으로 도핑된 AlmGanIn1-m-nN(0003c#m, 0003c#n, m+n≤1)의 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 도핑 보강층의 전극 형성부는,경사면, 요홈 또는 계단면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 도핑 보강층의 전극 형성부는,상기 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층에 대해서 일측으로 돌출되어 상기 도핑 보강층에 형성되며, 노출된 상기 도핑 보강층의 상부면 부분에 좌우로 경사진 경사면으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 도핑 보강층의 전극 형성부는,상기 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층에 대해서 일측으로 돌출되어 상기 도핑 보강층에 형성되며, 노출된 상기 도핑 보강층의 상부면 부분에 상하로 경사진 경사면으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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8
제1항에 있어서, 상기 도핑 보강층은,상기 버퍼층 위에 형성되는 DBR(Distributed Bragg Reflector)층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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9
제8항에 있어서, 상기 도핑 보강층은,상기 버퍼층과 상기 DBR층 사이에 형성된 초격자층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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10
제9항에 있어서, 상기 초격자층은,제1 AlxGayIn1-x-yN층(0003c#x, 0003c#y, x+y≤1);상기 제1 AlxGayIn1-x-yN층 위에 형성되며, 상기 제1 AlxGayIn1-x-yN층과 다른 조성비를 갖는 제2 AlxGayIn1-x-yN층(0003c#x, 0003c#y, x+y≤1);을 포함하며,상기 초격자층은 상기 제1 및 제2 AlxGayIn1-x-yN층을 단위 초격자층으로 하여, 상기 단위 초격자층이 적어도 한 층 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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베이스 기판;상기 베이스 기판 위에 형성된 질화물계의 버퍼층;상기 버퍼층 위에 적층된 굴절율이 다른 복수의 질화물층을 포함하고, 일측에 상기 복수의 질화물층 중 서로 다른 굴절율을 갖는 질화물층이 적어도 두 개가 노출되는 전극 형성부를 갖는 도핑 보강층;상기 전극 형성부가 노출되게 상기 도핑 보강층 위에 형성된 질화물계의 p형 반도체층;상기 p형 반도체층 위에 형성된 질화물계의 활성층;상기 활성층 위에 형성된 질화물계의 n형 반도체층;상기 전극 형성부 위에 형성된 p형 전극;상기 n형 반도체층 위에 형성된 n형 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자
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베이스 기판 위에 질화물계의 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 위에 굴절율이 주기적으로 변하는 복수의 질화물층을 포함하는 도핑 보강층을 형성하는 단계;상기 도핑 보강층 위에 알루미늄을 함유하는 질화물계의 p형 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 반도체층 위에 알루미늄을 함유하는 질화물계의 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 위에 알루미늄을 함유하는 질화물계의 n형 반도체층을 형성하는 단계;상기 도핑 보강층의 일부가 노출되게 상기 n형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 p형 반도체층의 일부를 제거하고, 상기 도핑 보강층을 형성하는 상기 복수의 질화물층 중 적어도 연속되는 두 개의 질화물층을 노출시켜 전극 형성부를 형성하는 단계;상기 전극 형성부 위에 p형 전극을 형성하고, 상기 n형 반도체층 위에 n형 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 전극 형성부를 형성하는 단계는,섀도우 마스크를 이용하여 상기 n형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 p형 반도체층의 일부를 제거하여 상기 도핑 보강층의 일부를 노출시키되, 상기 도핑 보강층을 형성하는 상기 복수의 질화물층 중 적어도 연속되는 두 개의 질화물층이 경사면을 통하여 노출되게 상기 전극 형성부를 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 전극 형성부를 형성하는 단계는,상기 도핑 보강층의 일부가 노출되게 상기 n형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 p형 반도체층의 일부를 제거하는 단계; 상기 도핑 보강층을 형성하는 상기 복수의 질화물층 중 적어도 연속되는 두 개의 질화물층을 레이저를 조사하여 노출시켜 전극 형성부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 전극 형성부를 형성하는 단계에서,상기 전극 형성부는 경사면 또는 적어도 하나의 요홈을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
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