| 1 |
1
애노드 기판;상기 애노드 기판 하면에 도포되는 형광체층; 및상기 애노드 기판으로 향하는 광의 진행방향을 상기 애노드 기판과 대향되게 배치되는 캐소드 기판 방향으로 변경시키는 반사막을 포함하는 애노드 패널; 및액정패널 배면에 위치하되, 상기 반사막에 의해 반사된 광을 투과시켜 상기 액정패널로 전달하는 캐소드 기판을 포함하는 캐소드 패널을 포함하는 전계방출형 백라이트 유닛
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 반사막은상기 애노드 기판 상면에 형성되는 것인 전계방출형 백라이트 유닛
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 반사막은상기 애노드 기판과 상기 형광체층 사이에 형성되는 것인 전계방출형 백라이트 유닛
|
| 4 |
4
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 반사막은200 ㎚ 두께의 알루미늄 반사막인 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 애노드 기판은투명한 유리기판; 및상기 유리기판 상면에 전도성 물질이 도포된 애노드 전극을 포함하는 것인 전계방출형 백라이트 유닛
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 애노드 패널의 상부에 방열수단을 더 포함하는 것인 전계방출형 백라이트 유닛
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 캐소드 패널은상기 애노드 기판과 이격되어 대향되게 배치되는 상기 캐소드 기판; 및상기 캐소드 기판의 상면에 형성되는 전자방출원을 포함하는 것인 전계방출형 백라이트 유닛
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 전자방출원은 탄소나노튜브 에미터로 구성되는 것인 전계방출형 백라이트 유닛
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 캐소드 기판은유리기판; 및상기 유리기판 상면에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 산화아연(ZnO), 인듐(Indium) 또는 아연(Zn)이 코팅되어 산화된 투명전극이 코팅된 캐소드 전극을 포함하는 것인 전계방출형 백라이트 유닛
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 캐소드 전극은 각각이 이격되어 복수개의 스트라이프 캐소드 전극인 것을 특징으로 하는 전계방출형 백라이트 유닛
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 캐소드 패널과 상기 애노드 패널 사이에 형성되고, 상기 캐소드 전극의 스트라이프 방향과 수직을 이루며, 상기 캐소드 전극의 전계방출을 제어하기 위한 게이트를 더 포함하는 것인 전계방출형 백라이트 유닛
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,상기 캐소드 전극의 스트라이프 방향과 평행하고, 상기 복수개의 스트라이프 캐소드 전극 사이에 형성되어 상기 캐소드 전극의 전계방출을 제어하기 위한 게이트를 더 포함하는 것인 전계방출형 백라이트 유닛
|
