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포토-피모스 에이피에스 이미지 센서 및 그 광신호 전달 방법

  • 기술번호 : KST2015145694
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 수광하여 전기적인 신호를 생성하는 고감도 나노 이미지 센서(SMPD; single carrier modulation photo detector)의 광전변환 구조를 능동 픽셀 센서(APS; Active Pixel Sensor)에 적용한 이미지 센서에 관한 것으로, 빛을 받아 그에 대응하는 전기적 신호를 생성하는 광전 변환용 포토- 피모스(Photo-PMOS), 전원전압과 플로팅 확산 영역 사이에 접속되어 플로팅 확산 영역의 초기화를 위하여 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터용 PMOS, 상기 광전 변환용 Photo-PMOS와 전기적으로 연결되어 상기 광전 변환용 Photo-PMOS로부터 받은 전기적 신호를 플로팅 확산 영역으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터용 PMOS, 전압으로 변환하기 위한 소스 팔로워 버퍼용 NMOS 및 스위칭 역할로 어드레싱하는 셀렉트 트랜지스터용 NMOS를 포함한다. 따라서, 본 발명은 저조도 상황에서도 고감도의 특성이 있으며, 광전변환 효율의 측면에서 기존의 포토 다이오드에 비해 수백 내지 수만 배 이상의 광전류를 발생시킴으로써 인테그레이션 타임 확보에 의한 프레임 비율이 낮아지는 문제점이 없다. 또한 게이트의 두께에 따라서 컬러 이미지센서 구현이 가능하므로 공정상에 있어서, 특정 MOS 형성시 게이트로 활용되는 폴리 실리콘의 두께를 조절하면 컬러 필터 공정을 제거할 수 있다. 고감도 나노 이미지 센서, 에이피에스(APS), 포토-피모스(Photo-PMOS), 피모스(PMOS), 엔모스(NMOS), 광전 변환
Int. CL H01L 27/146 (2011.01) B82Y 20/00 (2011.01)
CPC H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01)
출원번호/일자 1020050129800 (2005.12.26)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0096106 (2007.10.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박광수 대한민국 경기도 구리시
2 정민재 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 김상진 대한민국 경기 화성시
4 조영창 대한민국 경기 수원시 영통구
5 김 훈 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0763126-59
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0634941-32
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0980648-94
4 의견서
Written Opinion
2006.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0980654-68
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2007.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0213930-67
6 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2007.06.22 보정각하 (Rejection of amendment) 7-1-2007-0025295-11
7 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2007.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0404065-13
8 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2007.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0404064-67
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0242227-92
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.07.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0477370-11
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0477381-13
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0586877-16
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.01.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0019187-76
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0019189-67
15 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2009.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2009-0005290-13
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0244181-61
17 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0485432-10
18 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0554646-81
19 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0619502-73
20 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0686786-71
21 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2009.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0084782-28
22 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0759723-06
23 지정기간연장불승인서
Written Disapproval of Extension of Designated Period
2009.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0509567-74
24 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0512691-09
25 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2010.01.12 수리 (Accepted) 7-1-2010-0001237-15
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일측은 제1전원전압과 타측은 제1노드와 접속되고, 외부로부터 빛을 받아 전기적 신호를 변환하기 위한 광전 변환 모스;제2 전원전압과 상기 제 1노드 사이에 리셋 신호에 제어되어 플로팅 확산 영역의 초기화를 위하여 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터;상기 광전 변환용 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 상기 광전 변환용 트랜지스터로부터 출력되고 전기적 신호를 상기 플로팅 확산 영역으로 전달하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터;전압으로 변환하기 위한 소스 팔로워 버퍼; 및외부에서 인가되고 스위칭 신호에 따라 스위칭 되는 셀렉트 트랜지스터를 포함하는 포토-피모스 에이피에스 이미지 센서
2 2
제 1 항에 있어서,상기 광전 변환 모스는 Photo-PMOS이며, 상기 리셋 트랜지스터 및 상기 트랜스퍼 트랜지스터는 PMOS인 포토-피모스 에이피에스 이미지 센서
3 3
제 1 항에 있어서,상기 소스 팔로워 버퍼 및 셀렉트 트랜지스터는 NMOS인 포토-피모스 에이피에스 이미지 센서
4 4
제 2 항에 있이서,상기 광전 변환 모스는 P형 반도체 기판상에 형성된 N-웰 및상기 N-웰의 내에는 고농도의 P형 소스/드레인을 포함하는 포토-피모스 에이피에스 이미지 센서
5 5
제 4 항에 있어서,상기 N-웰은 플로팅되는 포토-피모스 에이피에스 이미지 센서
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 광전 변환 모스는 컬러 필터를 더 포함하는 포토-피모스 에이피에스 이미
7 7
제 4 항에 있어서,상기 광전 변환 모스는 게이트를 더 포함하며, 상기 게이트는 상기 N-웰과 플로팅되는 포토-피모스 에이피에스 이미지 센서
8 8
제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광전 변환 모스를 이용하여 컬러 이미지 구현시, 상기 게이트는 청색 파장을 흡수하기 위한 광전 변환 모스를 제외한, 적색파장을 흡수하기 위한 광전 변환 모스와 녹색 파장을 흡수하기 위한 광전 변환 모스에 존재하며, 상기 적색 파장을 흡수하기 위한 광전 변환 모스의 게이트 두께가 상기 녹색 파장을 흡수하기 위한 광전 변환 모스의 게이트 두께보다 더 두꺼운 포토-피모스 에이피에스 이미지 센서
9 9
제 8 항에 있어서,상기 녹색 파장을 흡수하기 위한 광전 변환 모스의 게이트 두께는 0
10 10
제 9 항에 있어서,상기 적색 파장을 흡수하기 위한 광전 변환 모스의 게이트 두께는 1
11 11
제 8 항에 있어서,상기 적색파장을 흡수하기 위한 광전 변환 모스, 상기 녹색 파장을 흡수하기 위한 광전 변환 모스 및 상기 청색 파장을 흡수하기 위한 광전 모스의 N-웰의 깊이는 동일한 포토-피모스 에이피에스 이미지 센서
12 12
제 11 항에 있어서,상기 N-웰의 깊이는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.