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태양전지 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015145701
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열화 현상을 제거할 수 있는 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상부에 제 1 전극, P형 반도체층, 흡수층, N형 반도체층과 제 2 전극이 순차적으로 적층된 태양전지 소자영역과; 상기 제 2 전극 상부에 형성된 절연막과; 상기 절연막 상부에 형성된 박막히터 패턴로 구성된다. 따라서, 본 발명은 태양전지 내에 박막히터를 내장하여 장시간 빛에 노출시킨 후 박막히터에 전류 또는 전압을 인가해 열처리함으로써, S-W(Staebler- Wronski) 효과에 의한 박막의 특성저하 현상을 해결할 수 있는 효과가 있다. 태양전지, 히터, 열화
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020030050215 (2003.07.22)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0539639-0000 (2005.12.22)
공개번호/일자 10-2005-0011212 (2005.01.29) 문서열기
공고번호/일자 (20051229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.07.22)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이유진 대한민국 서울특별시서초구
2 신진국 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창남 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, *층 (서초동, 명지빌딩)(나이스국제특허법률사무소)
2 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
3 장재용 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **-*, *층(역삼동, 대명빌딩)(휴피아국제특허법률사무소)
4 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
5 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
6 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 더블유스코프코리아 주식회사 충청북도 청주시 청원구
2 더블유씨피 주식회사 충청북도 충주시 대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2003-0266908-08
2 보정통지서
Request for Amendment
2003.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2003-0048746-33
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items
2003.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2003-0283738-86
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.04.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.05.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0028763-81
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0281310-28
8 의견서
Written Opinion
2005.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0450650-10
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0450652-01
10 등록결정서
Decision to grant
2005.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0639036-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 제 1 전극, P형 반도체층, 흡수층, N형 반도체층과 제 2 전극이 순차적으로 적층된 태양전지 소자영역과;상기 제 2 전극 상부에 형성된 절연막과;상기 절연막 상부에 형성된 박막히터 패턴과;상기 박막 히터 패턴의 사이에 형성되며 박막 히터 패턴에서 히팅된 온도를 측정할 수 있는 소자로 구성된 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 절연막과 박막히터 패턴의 상부에는, 상기 박막히터 패턴을 외부로부터 보호하는 보호막이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 흡수층은 도핑되지 않은 비정질 실리콘층이며, 상기 P형과 N형 반도체층은 P형과 N형 불순물로 각각 도핑된 비정질 실리콘층인 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 N형 반도체층과 제 2 전극의 사이에는, P형 결정질 실리콘층, 도핑되지 않은 결정질 실리콘층과 N형 결정질 실리콘층이 순차적으로 적층된 구조가 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 P형 비정질 실리콘층, 도핑되지 않은 비정질 실리콘층과 N형 비정질 실리콘층 각각은, 상호 대응되는 P형 결정질 실리콘층, 도핑되지 않은 결정질 실리콘층과 N형 결정질 실리콘층 각각의 두께보다 얇게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 온도를 측정할 수 있는 소자는,상호 이격된 두 전극단자를 갖는 서모커플인 것을 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 기판은, 플라스틱, 실리콘과 글래스(Glass) 중 어느 하나 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 기판이 플라스틱 또는 실리콘이며, 상기 제 1 전극은 금속이고, 상기 제 2 전극은 투명 전도성 산화막(Transparent Conducting Oxide, TCO)인 것을 특징으로 하는 태양전지
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 기판이 글래스이며, 상기 제 1 전극은 투명 전도성 산화막이고, 상기 제 2 전극은 금속인 것을 특징으로 하는 태양전지
11 11
금속으로된 기판 상부에 P형 반도체층, 흡수층, N형 반도체층과 전극이 순차적으로 적층된 태양전지 소자영역과;상기 전극 상부에 형성된 절연막과;상기 절연막 상부에 형성된 박막히터 패턴과;상기 박막 히터 패턴의 사이에 형성되며 박막 히터 패턴에서 히팅된 온도를 측정할 수 있는 소자와;상기 박막히터 패턴을 외부로부터 보호하는 보호막으로 구성된 태양전지
12 12
삭제
13 13
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14 14
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15 14
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20050016582 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2005016582 US 미국 DOCDBFAMILY
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