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전자장치용 베이스 기판 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015145706
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자장치용 베이스 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 고분자 기판에 유기막과 2층의 무기막을 순차적으로 적층하여, 가스 차단막을 형성하되, 무기막에는 SiO2, Al2O3와 SiON(Silicon oxynitride) 중 어느 하나로 형성함으로써, 투습율을 낮출 수 있어 우수한 특성을 갖는 전자 장치의 베이스 기판으로 사용할 수 있는 효과가 있다. 고분자, 필름, 기판, 투습
Int. CL G02F 1/1333 (2006.01)
CPC G02F 1/133305(2013.01)
출원번호/일자 1020040114470 (2004.12.28)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2006-0075649 (2006.07.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.28)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영훈 대한민국 경기도 오산시
2 김원근 대한민국 경기도 오산시
3 한정인 대한민국 서울특별시 송파구
4 문대규 대한민국 경기도 용인시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0622233-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.04.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.05.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0032424-03
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0286365-24
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2006.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0507594-00
7 의견서
Written Opinion		 2006.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0508961-21
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0509022-53
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0477614-23
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고분자 필름 기판과; 상기 고분자 필름 기판 상부에 유기막, 제 1 무기막과 제 2 무기막이 순차적으로 적층되어 있는 적층막으로 구성된 전자장치용 베이스 기판
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 유기막은, 상기 고분자 필름 기판 하부 및 측면에도 형성되어 상기 고분자 필름 기판을 감싸는 것을 특징으로 하는 전자장치용 베이스 기판
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제 1 무기막은, 상기 유기막 하부 및 측면에도 형성되어 상기 유기막을 감싸고 있고, 상기 제 2 무기막은, 상기 제 1 무기막 하부 및 측면에도 형성되어 상기 제 1 무기막을 감싸고 있는 것을 특징으로 하는 전자장치용 베이스 기판
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기막은, 파린렌(Parylene), 폴리이미드(Polyimide)와 폴리아크릴(Polyacryl) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자장치용 베이스 기판
5 5
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 무기막과 제 2 무기막은, SiO2, Al2O3와 SiON(Silicon oxynitride) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자장치용 베이스 기판
6 6
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기막과 제 1과 2 무기막 각각의 두께는, 10㎚ ~ 1㎛인 것을 특징으로 하는 전자장치용 베이스 기판
7 7
고분자 필름 기판 상부에 유기막을 형성하는 단계와; 상기 유기막 상부에 제 1 무기막과 제 2 무기막을 순차적으로 형성하는 단계를 하는 전자장치용 베이스 기판의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 유기막은, 상기 고분자 필름 기판 하부 및 측면에도 형성시켜 상기 고분자 필름 기판을 감싸도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전자장치용 베이스 기판의 제조 방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 제 1 무기막은, 상기 유기막 하부 및 측면에도 형성시켜 상기 유기막을 감싸도록 형성하고, 상기 제 2 무기막은, 상기 제 1 무기막 하부 및 측면에도 형성시켜 상기 제 1 무기막을 감싸도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전자장치용 베이스 기판의 제조 방법
10 10
제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 무기막과 제 2 무기막은, SiO2, Al2O3와 SiON(Silicon oxynitride) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자장치용 베이스 기판의 제조 방법
11 10
제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 무기막과 제 2 무기막은, SiO2, Al2O3와 SiON(Silicon oxynitride) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자장치용 베이스 기판의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.