맞춤기술찾기

이전대상기술

스루 홀이 없는 마이크로웨이브 전력 변환기

  • 기술번호 : KST2015145759
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스루 홀을 가지지 않은 멀티 레이어 구조의 마이크로웨이브 전력 변환기로서, 마이크로웨이브 신호를 수신하는 안테나 패턴이 형성되는 제1 금속층과, 슬롯을 가지고 있는 제2 금속층과, 변환 회로 패턴이 형성된 제3 금속층과, 금속층들 사이에 각각 형성되는 제1 및 제2 유전체층으로 이루어진다. 여기서, 변환 회로는 안테나로부터 수신되는 마이크로웨이브 신호를 슬롯과 제1 및 제2 유전체층을 통해 수신하고 수신된 신호를 두 개의 신호로 분리하여 각각 다른 극성의 방향으로 정류하고 평활화한다. 이를 위해 변환 회로는 안테나로부터 수신되는 마이크로웨이브 신호를 수신하는 신호 공급선과, 신호 공급선에 의해 수신된 마이크로웨이브 신호를 제1 및 제2 마이크로웨이브 신호로 분리하기 위한 브랜치 회로와, 각각 제1 마이크로웨이브 신호를 애노드에 인가받아 제1 마이크로웨이브 신호를 양의 방향으로 정류하고 제2 마이크로웨이브 신호를 캐소드에 인가받아 제2 마이크로웨이브 신호를 음의 방향으로 정류하기 위한 제1 및 제2 다이오드와, 각각 제1 다이오드의 캐소드와 제2 다이오드의 애노드에 커플링되며 정류된 제1 마이크로웨이브 신호 및 제2 마이크로 웨이브 신호를 평활화하기 위한 제1 및 제2 평활화 회로로 이루어진다.
Int. CL H04B 1/16 (2006.01)
CPC H02J 50/20(2013.01) H02J 50/20(2013.01)
출원번호/일자 1019980044309 (1998.10.22)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0272184-0000 (2000.08.23)
공개번호/일자 10-2000-0026666 (2000.05.15) 문서열기
공고번호/일자 (20001115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.10.22)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 황학인 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 이대성 대한민국 경기도 평택시
3 송기무 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송만호 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
3 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 평택시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1998.10.22 수리 (Accepted) 1-1-1998-0355279-66
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1998.10.22 수리 (Accepted) 1-1-1998-0355278-10
3 특허출원서
Patent Application
1998.10.22 수리 (Accepted) 1-1-1998-0384353-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification
1999.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5084255-65
6 등록사정서
Decision to grant
2000.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0184087-59
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

마이크로웨이브 신호를 수신하는 안테나 패턴이 형성되는 제1 금속층과;

상기 제1 금속층 밑에 형성되는 제1 유전체층과;

상기 제1 유전체층의 밑에 형성되며, 슬롯을 가지고 있는 제2 금속층과;

상기 제2 금속층의 밑에 형성되는 제2 유전체층과;

상기 안테나로부터 수신되는 마이크로웨이브 신호를 상기 슬롯과 상기 제1 및 제2 유전체층을 통해 수신하고 수신된 신호를 두 개의 신호로 분리하여 각각 다른 극성의 방향으로 정류하고 평활화하기 위한 변환 회로를 가지며, 상기 제2 유전체층의 밑에 형성되는 제3 금속층을 포함하는 마이크로웨이브 전력 변환기

2 2

제1항에서,

상기 변환 회로는

상기 안테나로부터 수신되는 마이크로웨이브 신호를 상기 슬롯과 상기 제1 및 제2 유전체층을 통해 수신하는 신호 공급선과,

상기 신호 공급선에 의해 수신된 마이크로웨이브 신호를 제1 및 제2 마이크로웨이브 신호로 분리하기 위한 브랜치 회로와,

상기 제1 마이크로웨이브 신호를 애노드에 인가받아 상기 제1 마이크로웨이브 신호를 양의 방향으로 정류하기 위한 제1 다이오드와,

상기 제2 마이크로웨이브 신호를 캐소드에 인가받아 상기 제2 마이크로웨이브 신호를 음의 방향으로 정류하기 위한 제2 다이오드와,

상기 제1 다이오드의 캐소드에 커플링되며, 상기 정류된 제1 마이크로웨이브 신호를 평활화하기 위한 제1 평활화 회로와,

상기 제2 다이오드의 애노드에 커플링되며, 상기 정류된 제2 마이크로웨이브 신호를 평활화하기 위한 제2 평활화 회로를 포함하는 마이크로웨이브 전력 변환기

3 3

제2항에서,

상기 변환 회로는

상기 브랜치 회로에 의해 분리된 상기 제1 및 제2 마이크로웨이브 신호에 대하여 각각 임피던스 매칭하기 위한 제1 및 제2 임피던스 매칭회로를 더 포함하는 마이크로웨이브 전력 변환기

4 4

제3항에서,

상기 변환 회로는

각각 상기 제1 및 제2 마이크로웨이브 신호가 상기 제1 다이오드 및 상기 제2 다이오드에 의해 정류될 때 발생하는 하모닉 성분을 제거하기 위한 제1 및 제2 하모닉 필터를 더 포함하는 마이크로웨이브 전력 변환기

5 5

제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에서,

상기 안테나 패턴은 지름이 공진 주파수 파장의 약 1/2인 원형 패턴인 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 전력 변환기

6 6

제5항에서,

상기 변환 회로는 원형 형태인 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 전력 변환기

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.