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실리콘 기판에 음향 감지 소자를 구동할 수 있는 구동회로부를 집적하고, 상기 구동회로부에 있는 전극단자가 노출되도록, 전면에 패시베이션막을 형성하는 제 1 단계와;상기 패시베이션막의 전면에 유기 물질막을 형성하고, 상기 노출된 구동회로부의 전극단자와 전기적으로 연결되는 하부전극라인, 이 하부전극라인에 연결된 하부전극과, 상기 구동회로부의 다른 전극 단자와 전기적으로 연결되는 상부전극라인을 상기 유기 물질막의 상부에 형성하는 제 2 단계와;상기 상부전극라인과 실리콘 기판의 패시베이션막을 노출시키고, 상기 하부전극 및 하부전극라인을 감싸며 희생층을 형성하는 제 3 단계와;상기 희생층의 상부에 종자층(Seed layer)을 형성하는 제 4 단계와;상기 실리콘 기판에 의해 지지되고, 상기 하부전극으로부터 부상되며, 복수개의 관통홀로 이루어진 상부전극을 형성할 수 있는 도금틀층을 상기 종자층의 상부에 형성하고, 상기 도금틀층이 형성되지 않은 종자층 영역에 금속층을 도금하는 제 5 단계와;상기 하부전극의 하부에 있는 실리콘 기판과 패시베이션막을 제거하여 유기 물질막으로 이루어진 진동판을 형성하는 제 6 단계와; 상기 도금틀층과 희생층을 제거하는 제 7 단계로 구성된 음향감지소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 패시베이션막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 음향 감지 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 유기 물질막은 폴리이미드(Polyimide) 또는 테플론(Teflon)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 음향 감지 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 희생층은 실리콘 산화막으로 형성하며, 상기 실리콘 산화막은 20℃ ~ 300℃의 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 음향 감지 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 종자층은 열 증착법, 전자빔 증착법과 스퍼터링법 중 어느 하나의 방법으로 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 음향 감지 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 금속층은 구리, 니켈과 금 중 선택된 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 음향 감지 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 하부전극의 하부에 있는 실리콘 기판과 패시베이션막을 제거하는 것은, 비등방성 습식식각법 또는 비등방성 건식식각법으로 수행하여 제거하는 것을 특징으로 하는 음향 감지 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 하부전극의 하부에 있는 실리콘 기판과 패시베이션막을 제거하는 것은, 비등방성 습식식각법 또는 비등방성 건식식각법으로 수행하여 제거하는 것을 특징으로 하는 음향 감지 소자의 제조방법
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