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정류 소자를 이용한 반도체 스위치

  • 기술번호 : KST2015145847
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 정류 소자를 이용한 반도체 스위치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 다이오드의 전압 상태에 따라 자동으로 스위칭하는 반도체 스위치에 관한 것이다.이를 위해 본 발명의 반도체 스위치는 다이오드, 상기 다이오드와 병렬로 연결된 FET, 상기 다이오드의 출력단과 상기 FET의 출력단으로부터 출력되는 전압과 설정된 전압을 입력받고, 입력받은 상기 전압에 따라 ON/OFF 신호를 출력하는 비교기, 상기 비교기로부터 출력되는 ON/OFF 신호를 입력받아 상기 FET의 게이트로 공급하는 게이트 드라이버, 상기 다이오드의 출력 전압을 전원을 생성하고, 생성된 전원을 상기 비교기와 게이트 드라이버로 공급하는 전원 발생부를 포함한다.
Int. CL H03K 17/74 (2006.01.01) H03K 17/687 (2006.01.01) H02M 3/335 (2006.01.01)
CPC H03K 17/74(2013.01) H03K 17/74(2013.01) H03K 17/74(2013.01) H03K 17/74(2013.01)
출원번호/일자 1020110025214 (2011.03.22)
출원인 전자부품연구원, 재단법인 부천산업진흥원
등록번호/일자 10-1233354-0000 (2013.02.07)
공개번호/일자 10-2012-0107611 (2012.10.04) 문서열기
공고번호/일자 (20130215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 재단법인 부천산업진흥원 대한민국 경기도 부천시 원미구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정인성 대한민국 서울특별시 구로구
2 최준혁 대한민국 서울특별시 양천구
3 김영균 대한민국 서울특별시 성북구
4 구본관 대한민국 경기도 부천시 원미구
5 박준성 대한민국 서울특별시 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 다래 대한민국 서울 강남구 테헤란로 ***, **층(역삼동, 한독타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구
2 부천산업진흥재단 경기도 부천시 원미구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0208748-16
2 보정요구서
Request for Amendment
2011.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0028572-04
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0334344-52
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0358406-27
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0665736-55
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0665735-10
7 등록결정서
Decision to grant
2012.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0797526-27
8 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee
2013.02.20 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0154111-23
9 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0021830-40
10 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2013.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0033702-30
11 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee
2013.04.01 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0279520-36
12 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee
2013.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0292877-70
13 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2013.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0037344-81
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
15 수수료 사후 감면안내서
Notification of Follow-up Reduction of Official Fee
2013.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0053713-01
16 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2013.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0053536-15
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5002296-75
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5169385-84
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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다이오드;상기 다이오드와 병렬로 연결된 FET;상기 다이오드의 출력단과 상기 FET의 출력단으로부터 출력되는 제1전압과 설정된 제2전압을 입력받고, 입력받은 상기 제1전압과 제2전압에 따라 ON/OFF 신호를 출력하는 비교기;상기 비교기로부터 출력되는 ON/OFF 신호를 입력받아 상기 FET의 게이트로 공급하는 게이트 드라이버;상기 다이오드의 출력 전압을 전원을 생성하고, 생성된 전원을 상기 비교기와 게이트 드라이버로 공급하는 전원 발생부를 포함함을 특징으로 하는 반도체 스위치
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제 5항에 있어서, 상기 다이오드의 입력단과 상기 FET의 소스는,접지되어 있음을 특징으로 하는 반도체 스위치
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제 6항에 있어서, 상기 설정된 제2전압은,-Vd(다이오드의 문턱전압)보다 크며, 0V보다 작음을 특징으로 하는 반도체 스위치
8 8
제 7항에 있어서, 상기 FET는 p 채널 FET이며, 상기 다이오드에 전류가 흐르면 상기 FET의 드레인과 소스 사이에도 전류가 흐르며, 상기 다이오드에 전류가 흐르지 않으면 상기 FET의 드레인과 소스 사이에도 전류가 흐르지 않음을 특징으로 하는 반도체 스위치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.