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ＬＴＣＣ를 이용한 엑스-밴드 갈륨나이트라이드 증폭기 기판

  • 기술번호 : KST2015145876
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 LTCC(Low temperature cofired ceramic) 재료 및 적층 공정을 이용하여 제작된 엑스-밴드 갈륨나이트라이드 증폭기 기판이 개시되어 있다. 증폭기 기판은 LTCC를 이용하여 엑스-밴드 갈륨나이트라이드 증폭기 구현을 위한 기판으로서, 증폭기용 단자들을 형성하기 위한 하나 이상의 증폭기용 단자 패턴을 포함하는 최하위 기판 층; 입력 임피던스 매칭 인덕터 패턴, 입력 임피던스 매칭 커패시터의 형성을 위한 제 1 커패시터 패턴, 출력 임피던스 매칭 인덕터 패턴 및 출력 임피던스 매칭 커패시터를 형성하기 위한 제 2 커패시터 패턴을 포함하는 내부 기판 층; 및 배어 칩을 실장하기 위한 적어도 하나 이상의 배어 칩 실장 패드, 상기 제 1 커패시터 패턴과 함께 상기 입력 임피던스 매칭 커패시터의 형성을 위한 제 3 커패시터 패턴, 및 상기 제 2 커패시터 패턴과 함께 상기 출력 임피던스 매칭 커패시터를 형성하기 위한 제 4 커패시터 패턴을 포함하는 최상위 기판 층을 포함한다.
Int. CL H05K 1/03 (2006.01) H03F 3/60 (2006.01) H05K 1/18 (2006.01)
CPC H05K 1/0251(2013.01) H05K 1/0251(2013.01) H05K 1/0251(2013.01) H05K 1/0251(2013.01) H05K 1/0251(2013.01)
출원번호/일자 1020110144345 (2011.12.28)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1295027-0000 (2013.08.05)
공개번호/일자 10-2013-0075983 (2013.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20130809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유찬세 대한민국 경기도 의왕시
2 김동수 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍순우 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 (서초동)(라온국제특허법률사무소)
2 김해중 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-1043174-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0015739-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0174448-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0417641-56
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0417625-25
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0537174-63
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
LTCC를 이용하여 엑스-밴드 갈륨나이트라이드 증폭기 구현을 위한 기판으로서,증폭기용 단자들을 형성하기 위한 하나 이상의 증폭기용 단자 패턴을 포함하는 최하위 기판 층;입력 임피던스 매칭 인덕터 패턴, 입력 임피던스 매칭 커패시터의 형성을 위한 제 1 커패시터 패턴, 출력 임피던스 매칭 인덕터 패턴, 출력 임피던스 매칭 커패시터를 형성하기 위한 제 2 커패시터 패턴 및 인터스테이지 임피던스 매칭 커패시터를 형성하기 위한 제 5 커패시터 패턴을 포함하는 내부 기판 층; 및배어 칩을 실장하기 위한 적어도 하나 이상의 배어 칩 실장 패드, 상기 제 1 커패시터 패턴과 함께 상기 입력 임피던스 매칭 커패시터의 형성을 위한 제 3 커패시터 패턴, 및 상기 제 2 커패시터 패턴과 함께 상기 출력 임피던스 매칭 커패시터를 형성하기 위한 제 4 커패시터 패턴을 포함하는 최상위 기판 층을 포함하는 LTCC를 이용한 엑스-밴드 갈륨나이트라이드 증폭기 기판
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 최상위 기판 층은상기 제 5 커패시터 패턴과 함께 상기 인터스테이지 임피던스 매칭 커패시터를 형성하기 위한 제 6 커패시터 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LTCC를 이용한 엑스-밴드 갈륨나이트라이드 증폭기 기판
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 인터스테이지 임피던스 매칭 커패시터는상기 배어 칩 실장 패드들 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 LTCC를 이용한 엑스-밴드 갈륨나이트라이드 증폭기 기판
5 5
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 최상위 기판 층은하나 이상의 매칭 튜닝 오픈 스터브 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는LTCC를 이용한 엑스-밴드 갈륨나이트라이드 증폭기 기판
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 배어 칩 실장 패드 각각에는 다수의 방열용 비아 홀들이 형성되는 것을 특징으로 하는LTCC를 이용한 엑스-밴드 갈륨나이트라이드 증폭기 기판
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 다수의 방열용 비아 홀들은 최상위 기판 층으로부터 상기 최하위 기판 층까지 연장되는 것을 특징으로 하는 LTCC를 이용한 엑스-밴드 갈륨나이트라이드 증폭기 기판
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 하나 이상의 증폭기용 단자 패턴 각각은다수의 연결용 비아 홀들을 통해 상기 최상위 기판 층과 연결되는 것을 특징으로 하는 LTCC를 이용한 엑스-밴드 갈륨나이트라이드 증폭기 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.