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질화물계 발광 다이오드 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015145887
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 위에 산화막으로 마이크로렌즈를 형성한 후 그 위에 LED 구조층를 성장함으로써 광 추출 효율을 높일 수 있는 질화물계 발광 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 무극성면 혹은 반극성면 중에 하나를 갖는 기판의 상부에 산화막을 이용하여 마이크로렌즈 어레이를 형성하고, 상기 마이크로렌즈 어레이가 형성된 기판의 상부에, 질화물 기반의 LED(Light Emitting Diode) 구조층를 형성함으로써, 공정을 단순화시켜 공정 비용 및 시간을 감소시킴은 물론, 마이크로렌즈 어레이를 통해 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 것이다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020110142630 (2011.12.26)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1298927-0000 (2013.08.16)
공개번호/일자 10-2013-0074533 (2013.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20130822) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서용곤 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-1035224-25
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0688948-57
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0038811-87
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.01.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0038810-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0299705-91
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0580888-05
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.06.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0580887-59
9 등록결정서
Decision to grant
2013.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0556184-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판의 상부에 산화막을 이용하여 마이크로렌즈 어레이를 형성하는 단계; 및상기 마이크로렌즈 어레이가 형성된 기판의 상부에, 질화물 기반의 LED(Light Emitting Diode) 구조층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 LED(Light Emitting Diode) 구조층을 형성하는 단계는상기 마이크로렌즈 어레이가 형성된 상기 기판 위에 도핑되지 않은 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 도핑되지 않은 질화물 반도체층을 형성하는 단계는,상기 기판의 표면에 질화물계 결정성장핵층을 형성하는 단계;상기 결정성장핵층 위에 질화물 버퍼층을 형성하는 단계;상기 질화물 버퍼층 위에 수직 방향 성장 속도보다 수평 방향 성장 속도가 커지도록 질화물층을 성장시켜, 상기 마이크로렌즈 어레이 위에 질화물층이 성장되지 않는 상기 도핑되지 않은 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 마이크로렌즈 어레이를 형성하는 단계는상기 기판의 상부에 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막의 상부에 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층을 마이크로 렌즈 어레이 형상의 포토레지스트 패턴으로 패터닝하는 단계; 및상기 마이크로 렌즈 어레이 형상으로 변형된 포토레지스트층 및 상기 산화막을 동시에 에칭하여, 상기 산화막을 마이크로렌즈 어레이로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 포토레지스트층을 마이크로 렌즈 어레이 형상의 포토레지스트 패턴으로 패터닝하는 단계는,포토리소그래피 공정을 통해서 일정 높이 및 직경을 갖는 다수의 육면체 형상의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 용융시켜, 특정 직경 및 높이를 갖는 반구 형상의 마이크로렌즈 어레이 형상의 포토레지스트 패턴으로 변형하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 도핑되지 않은 질화물 반도체층을 형성하는 단계는800 내지 1600 도 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 LED 구조층을 형성하는 단계는상기 도핑되지 않은 질화물 반도체층 상부에 제1형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1형 질화물 반도체층의 상부에 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층의 상부에 제2형 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 다이오드의 제조 방법
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7 7
삭제
8 8
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 IT산업원천 무분극(Non-Polar) LED 에피/칩