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태양전지

  • 기술번호 : KST2015145888
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 셀 내부 P형 반도체에서 생성된 전자가 N형 반도체로 이동하지 못하고 다시 P형 반도체 전극쪽으로 확산되어 재결합하여 소멸되는 것을 방지하는 방안에 관한 것이다.이를 위해 본 발명의 태양전지는 N형 반도체, 상기 N형 반도체 하단에 형성되어 있는 P형 반도체, 상기 P형 반도체 하단에 형성되어 있는 금속 전극층, 상기 금속 전극층 하단에 형성되어 있는 N극 자기박막과 S극 자기박막, 상기 금속 전극층 하단에 형성되며, 인접 태양전지와 전기적 연결을 위한 리본 와이어를 포함한다.
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01)
출원번호/일자 1020110135974 (2011.12.16)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0068666 (2013.06.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.16)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정재성 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 다래 대한민국 서울 강남구 테헤란로 ***, **층(역삼동, 한독타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-1000126-40
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0376844-68
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0526557-42
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.06.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0526555-51
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0752020-84
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0014675-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
N형 반도체;상기 N형 반도체 하단에 형성되어 있는 P형 반도체;상기 P형 반도체 하단에 형성되어 있는 금속 전극층;상기 금속 전극층 하단에 형성되어 있는 N극 자기박막과 S극 자기박막을 포함함을 특징으로 하는 태양전지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 N극 자기박막과 S극 자기박막의 개수는 동일하며, 순차적으로 하나씩 교대로 상기 금속 전극층의 하단에 형성됨을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제 2항에 있어서, 상기 N극 자기박막과 S극 자기박막의 개수 또는 크기는 태양전지를 구성하고 있는N형 반도체, P형 반도체, 금속 전극층의 두께에 따라 달라짐을 특징으로 하는 태양전지
4 4
제 3항에 있어서, 상기 금속 전극층은알루미늄(Al)으로 형성됨을 특징으로 하는 태양전지
5 5
N형 반도체;상기 N형 반도체 하단에 형성되어 있는 P형 반도체;상기 P형 반도체 하단에 형성되어 있는 금속 전극층;상기 금속 전극층 하단에 형성되어 있는 N극 자기박막과 S극 자기박막;상기 금속 전극층 하단에 형성되며, 인접 태양전지와 전기적 연결을 위한 리본 와이어를 포함함을 특징으로 하는 태양전지
6 6
제 5항에 있어서, 상기 N극 자기박막과 S극 자기박막의 개수는 동일하며, 순차적으로 하나씩 교대로 상기 금속 전극층의 하단에 형성됨을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제 6항에 있어서, 상기 N극 자기박막과 S극 자기박막의 개수 또는 크기는 태양전지를 구성하고 있는N형 반도체, P형 반도체, 금속 전극층의 두께에 따라 달라짐을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.