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발광 다이오드에 있어서,N형 반도체층, P형 반도체 층, 및N형 반도체와 P형 반도체 사이에 형성된 활성층을 포함하고,상기 활성층으로부터 방출된 광 중 발광 다이오드의 광 출사면의 반대측으로 방출된 광을 광 출사면으로 반사하기 위한 반사층을 포함하고,상기 반사층은 반사층에 도달한 광을 미리 정해진 각도 범위 내로 반사하기 위해 곡률 반사면 또는 경사 반사면을 가진 반사 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사층을 구비한 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 반사 구조물은 굴절율이 상이한 복수의 물질이 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 반사층을 구비한 반사층을 구비한 발광 다이오드
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제2항에 있어서,상기 반사 구조물은 고굴절율 물질과 저굴절율 물질이 교대로 적층된 DBR 구조물인 것을 특징으로 하는 반사층을 구비한 발광 다이오드
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발광 다이오드에 있어서,N형 반도체층, P형 반도체 층, 및 N형 반도체와 P형 반도체 사이에 형성된 활성층을 포함하는 LED층, 및 상기 LED층이 탑재되는 서브마운트를 포함하고,상기 LED 층과 상기 서브마운트 사이에 배치되고, 상기 LED 활성층으로부터 방출된 광 중 서브마운트를 향해 방출된 광을 광 출사면측으로 반사하기 위한 반사층을 포함하고,상기 반사층은 반사층에 도달한 광을 미리 정해진 각도 범위 내로 반사하기 위해 곡률 반사면 또는 경사 반사면을 가진 반사 구조물을 포함하고, 상기 반사층은 전극으로부터의 전류를 반사층에 인접한 P형 반도체층으로 전달하여 P형 반도체층을 활성화할 수 있도록 도전성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반사층을 구비한 발광 다이오드
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제4항에 있어서,상기 반사층과 상기 서브마운트 사이에 금속 반사층을 더 포함하고, 상기 금속 반사층은 상기 반사층의 반사 구조물을 통과한 빛을 재반사하도록 형성된 것을 특징으로 하는 반사층을 구비한 발광 다이오드
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발광 다이오드에 있어서,N형 반도체층, P형 반도체 층, 및 N형 반도체와 P형 반도체 사이에 형성된 활성층을 포함하는 LED층, 및 상기 LED층이 탑재되는 서브마운트, 상기 서브마운트 상부에 형성되는 금속 반사층을 포함하고,상기 금속 반사층은 상기 LED 활성층으로부터 방출된 광 중 서브마운트를 향해 방출된 광을 광 출사면측으로 미리 정해진 각도 범위 내로 반사하기 위해 곡률 반사면 또는 경사 반사면을 가진 반사 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사층을 구비한 발광 다이오드
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제4항 또는 제6항에 있어서,상기 반사 구조물은 굴절율이 상이한 복수의 물질이 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 반사층을 구비한 발광 다이오드
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제4항 또는 제6항에 있어서,상기 반사 구조물은 고굴절율 물질과 저굴절율 물질이 교대로 적층된 DBR 구조물인 것을 특징으로 하는 반사층을 구비한 발광 다이오드
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발광 다이오드에 있어서,N형 반도체층, P형 반도체 층, 및 N형 반도체층와 P형 반도체층 사이에 형성된 활성층을 포함하는 LED층, 상기 N형 반도체층에 전원을 인가하기 위한 N형 전극 및 상기 P형 반도체층에 전원을 인가하기 위한 P형 전극을 포함하고,상기 P형 전극은 상기 LED 활성층으로부터 방출된 광 중 P형 전극을 향해 방출된 광을 광 출사면측으로 미리 정해진 각도 범위 내로 반사하기 위해 곡률 반사면 또는 경사 반사면을 가진 반사 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사층을 구비한 발광 다이오드
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