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복합 전도성 기판 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015145952
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 복합 전도성 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 탄소나노튜브를 이용하여 형성되는 전도성 박막의 전기전도성을 향상시키기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판 위에 금속 박막을 형성한다. 금속 박막 위에 탄소나노튜브를 분산시켜 네트워크 구조의 탄소나노튜브층을 형성한다. 그리고 습식 식각을 통하여 금속 박막을 부분적으로 제거하여 탄소나노튜브층 아래에 부분적으로 금속 박막 성분의 금속 구조체를 잔존시켜, 탄소나노튜브층 밑에 부분적으로 금속 구조체가 잔존하는 구조의 복합 전도성 박막을 형성한다. 이와 같이 복합 전도성 박막은 탄소나노튜브층을 형성하는 탄소나노튜브 간의 접촉 상태를 그대로 유지하면서, 탄소나노튜브층 아래에 금속 구조체가 위치하기 때문에, 금속 구조체에 의한 전기전도성이 탄소나노튜브층에 부가되어 복합 전도성 박막의 저항 감소시킴으로써 전기전도성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 13/0036(2013.01) H01B 13/0036(2013.01) H01B 13/0036(2013.01) H01B 13/0036(2013.01) H01B 13/0036(2013.01)
출원번호/일자 1020120080486 (2012.07.24)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1303590-0000 (2013.08.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130911) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.24)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한종훈 대한민국 경기 고양시 일산서구
2 신권우 대한민국 경기도 화성
3 강효경 대한민국 경북 포항시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 테토스 충청남도 아산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0590250-31
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0036021-31
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0361644-93
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0580891-32
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0580892-88
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0588362-24
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 위에 금속 박막을 형성하는 단계;상기 금속 박막 위에 탄소나노튜브를 분산시켜 네트워크 구조의 탄소나노튜브층을 형성하는 단계;습식 식각을 통하여 상기 금속 박막을 부분적으로 제거하여 상기 탄소나노튜브층 아래에 부분적으로 상기 금속 박막 성분의 금속 구조체를 잔존시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판은 투명한 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 금속 박막을 형성하는 단계에서,상기 금속 박막의 소재는 은, 금, 니켈, 구리, 알루미늄, 철, 티타늄, 크롬, 아연, 망간, 코발트 또는 이들의 합금이고,상기 금속 박막은 5~50nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 금속 구조체를 잔존시키는 단계에서,상기 금속 구조체는 상기 탄소나노튜브층을 형성하는 탄소나노튜브가 중첩되는 부분에 상대적으로 많이 분포하는 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판의 제조 방법
5 5
기판;상기 기판 위에 탄소나노튜브를 분산시켜 네트워크 구조로 형성된 탄소나노튜브층과,상기 기판과 탄소나노튜브층 사이에 개재되며, 상기 탄소나노튜브층을 형성하는 탄소나노튜브 아래에 불연속적으로 위치하는 금속 구조체를 구비하는 복합 전도성 박막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판
6 6
제5항에 있어서, 상기 금속 구조체는,상기 탄소나노튜브층을 형성하는 탄소나노튜브가 중첩되는 부분에 상대적으로 많이 분포하는 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판
7 7
제6항에 있어서, 상기 금속 구조체는,은, 금, 니켈, 구리, 알루미늄, 철, 티타늄, 크롬, 아연, 망간, 코발트 또는 이들의 합금의 소재로, 상기 기판 위에 5~50nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판
8 8
제5항에 있어서,상기 기판의 소재는 광투과성을 갖는 투명한 소재인 것을 특징으로 하는 복합 전도성 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 산업원천기술개발산업 고전기 · 열전도성 CNT-고분자 복합재 기반기술개발