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기판을 무전해 도금하여 무전해 도금층을 형성하는 1단계;상기 무전해 도금층 상에 전극부와 비전극부로 구분되는 전극 패턴을 형성하는 2단계;상기 무전해 도금층을 통해 인가되는 전기를 이용하여 제1 전해도금을 수행하여 상기 전극부에 제1 금속층을 형성하는 3단계;제2 전해도금을 통해 상기 제1 금속층 상부에 제2 금속층을 형성하는 4단계;상기 전극부에 탄소나노튜브 잉크층을 형성하거나, 상기 전극부 및 비전극부에 탄소나노튜브 잉크층을 형성하는 5단계; 및상기 비전극부를 제거하는 6단계를 포함하는 전계 방출 면광원 캐소드 전극 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 6단계 이후에, 열처리를 통해 상기 제2 금속층 상부를 용융시켜 상기 탄소나노튜브 잉크층을 상기 제2 금속층 상부에 부착하는 7단계;액티베이션 공정을 통해 탄소나노튜브 에미터를 형성하는 8단계; 및상기 비전극부에 존재하는 상기 무전해 도금층을 제거하는 9단계를 더 포함하는 전계 방출 면광원 캐소드 전극 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 1단계는 상기 무전해 도금 이전에 상기 기판을 샌드 블라스팅 및 산처리 하는 단계를 포함하는 전계 방출 면광원 캐소드 전극 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 1단계의 무전해 도금은 NiCr 무전해 도금인 전계 방출 면광원 캐소드 전극 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 금속층은 Cu, Al 또는 Cr로 형성되고, 상기 제2 금속층은 Sn, In 또는 Al로 형성되는 전계 방출 면광원 캐소드 전극 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 5단계는 상기 전극부 및 비전극부 상부에 탄소나노튜브 잉크를 스프레이 공정을 통해 도포하거나, 상기 전극부 상부에만 탄소나노튜브 잉크를 잉크젯 공정을 통해 선택적으로 프린팅하는 단계인 전계 방출 면광원 캐소드 전극 제조방법
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청구항 2에 있어서, 상기 7단계의 열처리는 150℃ 내지 400℃에서 수행되는 전계 방출 면광원 캐소드 전극 제조방법
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청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 따른 전계 방출 면광원 캐소드 전극 제조방법에 따라 제조되는 전계 방출 면광원 캐소드 전극을 포함하는 전계 방출 면광원 소자
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