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제1 CMOS 트랜지스터와 제2 CMOS 트랜지스터를 포함하는 제1 캐스코드 증폭기,제3 CMOS 트랜지스터와 제4 CMOS 트랜지스터를 포함하는 제2 캐스코드 증폭기,상기 제2 및 상기 제4 CMOS 트랜지스터의 게이트에 각각 연결되고 전압 바이어스와 연결된 게이트 바이어스 네트워크,상기 제2 CMOS 트랜지스터의 게이트에 연결된 제1 커패시터,상기 제1 커패시터와 상기 제1 CMOS 트랜지스터의 드레인에 연결된 제1 저항,상기 제4 CMOS 트랜지스터의 게이트에 연결된 제2 커패시터,상기 제2 커패시터와 상기 제3 CMOS 트랜지스터의 드레인에 연결된 제2 저항,상기 제2 CMOS 트랜지스터의 게이트와 상기 제4 CMOS 트랜지스터의 드레인에 연결된 제1 밀러 커패시터, 그리고상기 제4 CMOS 트랜지스터의 게이트와 상기 제2 CMOS 트랜지스터의 드레인에 연결된 제2 밀러 커패시터을 포함하며,상기 제2 및 제4 CMOS 트랜지스터는 게이트 공통 증폭기를 형성하고,상기 게이트 바이어스 네트워크는 상기 제2 CMOS 트랜지스터의 게이트에 연결되고 상기 전압 바이어스에 연결된 제1 인덕터와, 상기 제4 CMOS 트랜지스터의 게이트에 연결되고 상기 전압 바이어스에 연결된 제2 인덕터를 포함하는 무선 송수신기용 선형 전력증폭기
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제1항에서,상기 게이트 바이어스 네트워크는 상기 제2 CMOS 트랜지스터의 게이트에 연결되고 상기 제1 인덕터에 직렬 연결된 제1 저임피던스 저항 및 상기 제4 CMOS 트랜지스터의 게이트에 연결되고 상기 제2 인덕터에 직렬 연결된 제2 저임피던스 저항을 더 포함하는 무선 송수신기용 선형 전력증폭기
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제1항 또는 제2항에서,상기 제1 및 제2 밀러 커패시터 각각은 연결된 게이트에서 바라본 커패시턴스의 크기에 따라 그 크기가 조절되는 무선 송수신기용 선형 전력증폭기
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제3항에서,상기 제1 및 제2 인덕터는 나선형 인덕터 또는 외부 보드 상에 형성된 마이크로스트립 라인 또는 외부 집중 인덕터 중 하나인 무선 송수신기용 선형 전력증폭기
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제2항에서,상기 제1 저임피던스 저항 및 상기 제2 저임피던스 저항은 저항값이 수 옴내지 수십 옴인 무선 송수신기용 선형 전력증폭기
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