맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

탄소지지체와 탄소나노튜브가 직접 연결된 형태의 3차원 구조를 갖는 탄소 나노구조체 제조방법

  • 기술번호 : KST2015146154
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
SMK 보기 상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소지지체와 탄소나노튜브가 직접 연결된 형태의 3차원 구조를 갖는 탄소 나노구조체 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소 나노구조체 제조방법은 무전해 도금을 이용하여 탄소지지체의 표면에 탄소나노튜브 합성을 위한 금속촉매를 담지하는 1단계; 및 금속촉매로부터 탄소나노튜브를 성장시키되, 금속촉매가 탄소나노튜브의 상단 팁 부위에 위치하도록 성장시키는 2단계를 포함한다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01)
CPC C01B 32/162(2013.01) C01B 32/162(2013.01)
출원번호/일자 1020130157208 (2013.12.17)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1545637-0000 (2015.08.12)
공개번호/일자 10-2015-0074224 (2015.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20150819) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.17)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박지선 대한민국 경기 용인시 수지구
2 이철승 대한민국 경기 성남시 분당구
3 신권우 대한민국 경기 화성
4 김윤진 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-1154615-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.09.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0071297-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0892322-41
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0203640-72
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0335512-90
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0601669-19
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.06.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0601607-00
9 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2015.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0472515-51
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
무전해 도금을 이용하여 탄소지지체의 표면에 탄소나노튜브 합성을 위한 금속촉매를 담지하는 1단계; 및상기 금속촉매로부터 탄소나노튜브를 성장시키되, 상기 금속촉매가 상기 탄소나노튜브의 상단 팁 부위에 위치하도록 성장시키는 2단계;를 포함하는 탄소 나노구조체 제조방법으로서, 상기 탄소지지체는 그래핀나노플레이트이고, 상기 금속촉매는 Co 및 Fe이며, 상기 탄소나노튜브의 성장온도는 900℃이고, 상기 그래핀나노플레이트와 상기 금속촉매의 접촉각이 80°이상 90°이하인 것을 특징으로 하는 탄소나노구조체 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 1단계는, 상기 탄소지지체 표면에 Sn2+를 흡착시키는 1-1단계;상기 Sn2+를 팔라듐염과 반응시켜 상기 탄소지지체 표면에 Sn4+/Pd를 형성시키는 1-2단계; 및상기 탄소지지체를 Fe염 및 Co염을 포함하는 도금욕에 침지시켜 무전해 도금 함으로써 상기 탄소지지체 표면에 Fe/Co 금속촉매를 담지시키는 1-3단계를 포함하는 탄소 나노구조체 제조방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
청구항 1 및 청구항 2 중 어느 한 항에 따른 탄소 나노구조체 제조방법에 의해 제조되는 탄소 나노구조체
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2015093759 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2015093759 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 지식경제 기술혁신산업 (WPM 사업) 에너지 절감용 고방열 나노복합소재 개발