맞춤기술찾기

이전대상기술

양극 활물질, 그를 갖는 리튬이차전지 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015146175
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양극 활물질, 그를 갖는 리튬이차전지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 리튬 코발트 산화물을 기반으로 한 양극 활물질의 4.4V (vs. Li/Li+) 이상의 고전압 및 고온 환경에서의 용량 열화를 억제하고, 전해액에 일부 포함되는 수분으로 기인하여 발생되는 HF로 인한 양극 표면의 열화를 억제하기 위한 것이다. 본 발명은 아래의 화학식으로 표현되는 리튬 코발트 산화물의 표면에 균일하게 나노 크기의 Zr 산화물이 코팅된 리튬이차전지용 양극 활물질을 제공한다. 리튬 코발트 산화물의 표면에 나노 크기의 Zr 산화물과 함께 균일하게 나노 크기의 Si 산화물을 코팅할 수 있다. [화학식] LiCo1-xMxO2(0.00≤x003c#0.10, M은 Mg, Fe, Cu, Zn, Cr, Ag, Ca, Na, K, In, Ga, Ge, V, Mo, Nb, Si, Ti 및 Zr으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 금속)
Int. CL H01M 4/525 (2010.01) H01M 10/052 (2010.01) H01M 4/485 (2010.01)
CPC H01M 4/525(2013.01) H01M 4/525(2013.01) H01M 4/525(2013.01) H01M 4/525(2013.01)
출원번호/일자 1020140022555 (2014.02.26)
출원인 전자부품연구원, 주식회사 포스코이에스엠
등록번호/일자 10-1588652-0000 (2016.01.20)
공개번호/일자 10-2015-0101181 (2015.09.03) 문서열기
공고번호/일자 (20160128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.26)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 주식회사 포스코이에스엠 대한민국 경상북도 구미시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조우석 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김점수 대한민국 경기 화성시 영통로**번길 **,
3 김영준 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 고형신 대한민국 경북 구미시
5 민성환 대한민국 서울 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 주식회사 포스코케미칼 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0189208-07
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.08.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.09.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0071437-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0567337-25
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1021108-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1021106-12
7 등록결정서
Decision to grant
2016.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0045002-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아래의 화학식으로 표현되는 리튬 코발트 산화물의 표면에 균일하게 나노 크기의 Zr 산화물과 나노 크기의 Si 산화물이 코팅된 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 양극 활물질
2 2
제1항에 있어서, 상기 Zr 산화물의 원료는,100nm 이하의 입경을 가지는 ZrO2 또는 Zr(OR)4(R은 alkyl, alkenyl 또는 alkynyl)를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 양극 활물질
3 3
제1항에 있어서,상기 Zr 산화물은 상기 리튬 코발트 산화물에 대해서 0
4 4
제1항에 있어서,상기 리튬 코발트 산화물은 LiCo1-xMxO2(0
5 5
제1항에 있어서, 상기 Si 산화물의 원료는,100 nm 이하의 입경을 가지는 SiOx(0003c#x≤2), Si(OR)4(R은 alkyl, alkenyl 또는 alkynyl) 또는 SiX4(X는 halogen, F, Cl, Br, I)를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 양극 활물질
6 6
아래의 화학식으로 표현되는 리튬 코발트 산화물의 표면에 균일하게 나노 크기의 Zr 산화물과 나노 크기의 Si 산화물이 코팅된 양극 활물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지
7 7
제6항에 있어서,상기 리튬 코발트 산화물은 LiCo1-xMxO2(0
8 8
아래의 화학식으로 표현되는 리튬 코발트 산화물을 Zr 화합물 용액에 투입한 후 교반 및 건조하여 상기 리튬 코발트 산화물의 표면에 상기 Zr 화합물을 흡착시키는 단계;Zr 화합물이 흡착된 리튬 코발트 산화물을 열처리하여 상기 리튬 코발트 산화물의 표면에 균일하게 나노 크기의 Zr 산화물을 코팅하는 단계;Zr 산화물이 코팅된 리튬 코발트 산화물을 Si 화합물 용액에 투입한 후 교반 및 건조하여 상기 리튬 코발트 산화물의 표면에 상기 Si 화합물을 흡착시키는 단계;Si 화합물이 흡착된 리튬 코발트 산화물을 열처리하여 상기 리튬 코발트 산화물의 표면에 균일하게 나노 크기의 Si 산화물을 코팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 양극 활물질의 제조 방법
9 9
아래의 화학식으로 표현되는 리튬 코발트 산화물을 Si 화합물 용액에 투입한 후 교반 및 건조하여 상기 리튬 코발트 산화물의 표면에 상기 Si 화합물을 흡착시키는 단계;Si 화합물이 흡착된 리튬 코발트 산화물을 열처리하여 상기 리튬 코발트 산화물의 표면에 균일하게 나노 크기의 Si 산화물을 코팅하는 단계;Si 산화물이 코팅된 리튬 코발트 산화물을 Zr 화합물 용액에 투입한 후 교반 및 건조하여 상기 리튬 코발트 산화물의 표면에 상기 Zr 화합물을 흡착시키는 단계;Zr 화합물이 흡착된 리튬 코발트 산화물을 열처리하여 상기 리튬 코발트 산화물의 표면에 균일하게 나노 크기의 Zr 산화물을 코팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 양극 활물질의 제조 방법
10 10
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 Zr 화합물은 100nm 이하의 입경을 가지는 ZrO2 또는 Zr(OR)4(R은 alkyl, alkenyl 또는 alkynyl)를 포함하고,상기 리튬 코발트 산화물의 표면에 30nm 이하의 Zr 산화물 입자들이 코팅되는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 양극 활물질의 제조 방법
11 11
제8항 또는 제9항에 있어서,상기 Zr 화합물 원료는 100 nm 이하의 입경을 가지는 ZrO2 분말이 포함된 용액 또는 Zr 이소프로폭사이드(Zr isoporoxide) 용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 양극 활물질의 제조 방법
12 12
제8항 또는 제9항에 있어서,상기 Zr 산화물은 상기 리튬 코발트 산화물에 대해서 0
13 13
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 Si 산화물의 원료는 100 nm 이하의 입경을 가지는 SiOx(0003c#x≤2), Si(OR)4(R은 alkyl, alkenyl 또는 alkynyl) 또는 SiX4(X는 halogen, F, Cl, Br, I)를 포함하고,상기 리튬 코발트 산화물의 표면에 수백 nm 이하의 Si 산화물 입자들이 코팅되는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 양극 활물질의 제조 방법
14 14
제8항 또는 제9항에 있어서,상기 Si 화합물 원료는 100 nm 이하의 입경을 가지는 SiO2 분말이 포함된 용액, Si(OC2H5)O4(Tetraethyl orthosilicate) 용액 또는 SiF4 용액인 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 양극 활물질의 제조 방법
15 15
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 Zr 산화물을 코팅하는 단계 및 상기 Si 산화물을 코팅하는 단계에서,열처리는 200 내지 700℃에서 1 내지 24시간 수행하는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 양극 활물질의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.