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하기를 포함하는, 무카드뮴 (cadmium-free) 콜로이드 양자점:a) 아연 셀레나이드를 포함하는 코어b) 임의로 코어 상에서 성장된 아연 셀레나이드를 포함하는 하나 이상의 쉘c) 코어 및/또는 마지막 쉘에 적용된 부동화 물질의 하나 이상의 쉘
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제 1 항에 있어서,(i) 상기 양자점의 방출 파장이 400 내지 460 nm 이고/이거나(ii) 상기 양자점의 입자 크기가 2 내지 10 nm 인 콜로이드 양자점
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,(i) 콜로이드 양자점의 크기 분포에 대한 표준 편차가 20% 이하이고/이거나(ii) 방출 피크의 반가폭 (FWHM) 이 10 내지 30 nm 범위 내인 콜로이드 양자점
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하기를 포함하는, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 콜로이드 양자점의 제조 방법으로서,a) 하나 이상의 아연 카르복실레이트를 포함하는 원료 용액을 제공하는 단계,b) 하나 이상의 셀레늄 공급원을 제공하는 단계,c) 하나 이상의 황 공급원을 제공하는 단계,d) 단계 a) 로부터의 하나 이상의 아연 카르복실레이트를 포함하는 원료 용액을 단계 b) 로부터의 하나 이상의 셀레늄 공급원과 접촉시키는 단계,e) 임의로 단계 b) 로부터의 하나 이상의 추가 셀레늄 공급원과 단계 d) 로부터 수득된 반응 용액에 대한 하나 이상의 추가 접촉 작업 단계,f) 단계 d) 및/또는 단계 e) 로부터 수득된 반응 용액을 단계 c) 로부터의 하나 이상의 황 공급원과 접촉시키는 단계,여기서, 콜로이드 양자점은 원-포트 (one-pot) 공정으로 제조되고, 단계 d) 및 e) 에서 입자 크기는 단계 a) 로부터의 하나 이상의 아연 카르복실레이트를 포함하는 원료 용액과 단계 b) 로부터의 셀레늄 공급원의 화학량론적 비를 통해 및/또는 단계 e) 에서의 성장 단계의 수를 통해 정의되는 방법
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제 4 항에 있어서, 하나 이상의 아연 카르복실레이트를 포함하는 원료 용액이 아연 아세테이트, 아연 플루오라이드, 아연 클로라이드, 아연 브로마이드, 아연 요오다이드, 아연 니트레이트, 아연 트리플레이트, 아연 토실레이트, 아연 메실레이트, 아연 옥사이드, 아연 술페이트, 아연 아세틸아세토네이트, 아연 톨루엔-3,4-디티올레이트, 아연 p-톨루엔-술포네이트, 아연 디에틸디티오카르바메이트, 아연 디벤질디티오카르바메이트 및 이들의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 아연 염을, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 카프로산, 헵타노산, 카프릴산, 카프르산, 운데카노산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 베헨산, 아크릴산, 메타크릴산, 부트-2-에노산, 부트-3-에노산, 펜트-2-에노산, 펜트-4-에노산, 헥스-2-에노산, 헥스-3-에노산, 헥스-4-에노산, 헥스-5-에노산, 헵트-6-에노산, 옥트-2-에노산, 데크-2-에노산, 운데크-10-에노산, 도데크-5-에노산, 올레산, 가돌레산, 에루크산, 리놀레산, α-리놀렌산, 칼렌드산, 에이코사디에노산, 에이코사트리에노산, 아라키돈산, 스테아리돈산, 벤조산, 파라-톨루산, 오르토-톨루산, 메타-톨루산, 히드로신남산, 나프텐산, 신남산, 파라-톨루엔술폰산 및 이들의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 카르복실산과 접촉시킴으로써 수득되는 방법
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제 4 항에 있어서, 셀레늄 공급원이 트리옥틸포스핀 셀레나이드, 트리(n-부틸)포스핀 셀레나이드, 트리(sec-부틸)포스핀 셀레나이드, 트리(tert-부틸)포스핀 셀레나이드, 트리메틸포스핀 셀레나이드, 트리페닐포스핀 셀레나이드, 디페닐포스핀 셀레나이드, 페닐포스핀 셀레나이드, 시클로헥실포스핀 셀레나이드, 옥타셀레놀, 도데카셀레놀, 셀레노페놀, 옥타데센 중에 용해된 셀레늄 원소, 옥타데센 중에 용해된 셀레늄 디옥사이드, 셀레노우레아, 비스(트리메틸실릴) 셀레나이드 및 이들의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 방법
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제 4 항에 있어서, 황 공급원이 황 원소, 옥탄티올, 도데칸티올, 옥타데칸티올, 트리부틸포스핀 술파이드, 시클로헥실 이소티오시아네이트, α-톨루엔티올, 에틸렌 트리티오카르보네이트, 알릴 메르캅탄, 비스(트리메틸실릴) 술파이드, 트리옥틸포스핀 술파이드 및 이들의 혼합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 방법
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제 4 항에 있어서,(i) 단계 a) 로부터의 하나 이상의 아연 카르복실레이트를 포함하는 원료 용액을, 단계 d) 에서 단계 b) 로부터의 셀레늄 공급원과 접촉시키기 전, 200℃ 내지 320℃ 범위 내, 바람직하게는 270℃ 내지 290℃ 범위 내 온도까지 가열하고,(ii) 임의로, 단계 d) 로부터 수득된, 단계 b) 로부터의 추가 셀레늄 공급원의 반응 용액을 접촉시키고, 접촉시킨 후, 200℃ 내지 320℃ 범위 내, 바람직하게는 270℃ 내지 290℃ 범위 내 온도까지 가열하고, 및(iii) 단계 d) 및/또는 단계 e) 로부터 수득된 반응 용액을, 단계 c) 로부터의 황 공급원과 접촉시킨 후, 200℃ 내지 320℃ 범위 내, 바람직하게는 270℃ 내지 290℃ 범위 내 온도까지 가열하는 방법
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OLED 에서, 혼성 QD 태양전지에서, 생물분석학에서 안정한 형광 라벨로서, 형광 수집기에서, 발광 안전 장치로서, 엑스레이 (X-ray) 신틸레이터에서, 유기 전계효과 트랜지스터에서 및 조명 기술에서의 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 양자점의 용도
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 하나 이상의 양자점, 투명한 애노드, 정공 주입층, 정공 전도층, 전자 전도층, 임의로 전자 주입층 및 금속 캐소드를 포함하는 광전자 소자
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하기를 포함하는, 제 10 항에 따른 광전자 소자의 제조 방법으로서,a) 투명한 애노드를 제공하는 단계,b) 정공 주입층을 제공하는 단계,c) 정공 전도층을 제공하는 단계,d) 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 양자점을 포함하는 층을 제공하는 단계,e) 전자 전도층을 제공하는 단계,f) 임의로 전자 주입층을 제공하는 단계, 및g) 금속 캐소드를 제공하는 단계,여기서, 광전자 소자는 층 구조로 제조되고, 양자점 층은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 그라비어 (gravure) 프린팅 및/또는 스프레이 코팅에 의해 정공 전도층에 적용되는 방법
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